公开(公告)号：US10266963B2

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：US14168517

申请日：2014-01-30

申请人： Neeraj Nepal ,  Virginia D. Wheeler ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Michael A. Mastro ,  Rachael L. Myers-Ward ,  Sandra C. Hangarter

发明人： Neeraj Nepal ,  Virginia D. Wheeler ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Michael A. Mastro ,  Rachael L. Myers-Ward ,  Sandra C. Hangarter

IPC分类号： B32B9/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48

摘要： A method of growing crystalline materials on two-dimensional inert materials comprising functionalizing a surface of a two-dimensional inert material, growing a nucleation layer on the functionalized surface, and growing a crystalline material. A crystalline material grown on a two-dimensional inert material made from the process comprising functionalizing a surface of a two-dimensional inert material, growing a nucleation layer on the functionalized surface, and growing a crystalline material.

公开(公告)号：US09685513B2

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：US14060916

申请日：2013-10-23

申请人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L29/16 ,  H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L29/1602 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

摘要： Semiconductor devices that include a semiconductor structure integrated with one or more diamond material layers. A first diamond material layer is formed on a bottom surface and optionally, the side surfaces of the semiconductor structure. In some embodiments, at least a portion of the semiconductor structure is embedded in the diamond. An electrical device can be formed on a top surface of the semiconductor structure. A second diamond material layer can be formed on the top surface of the semiconductor structure. The semiconductor structure can include a III-nitride material such as GaN, which can be embedded within a the first diamond material layer or encased by the first and/or second diamond material layer.

公开(公告)号：US09396941B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US13235624

申请日：2011-09-19

申请人： Jennifer K. Hite ,  Francis J. Kub ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Nelson Garces

发明人： Jennifer K. Hite ,  Francis J. Kub ,  Charles R. Eddy, Jr. ,  Nelson Garces

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Disclosed herein is a method of: depositing a patterned mask layer on an N-polar GaN epitaxial layer of a sapphire, silicon, or silicon carbide substrate; depositing an AlN inversion layer on the open areas; removing any remaining mask; and depositing a III-N epitaxial layer to simultaneously produce N-polar material and III-polar material. Also disclosed herein is: depositing an AlN inversion layer on an N-polar bulk III-N substrate and depositing a III-N epitaxial layer to produce III-polar material. Also disclosed herein is: depositing an inversion layer on a III-polar bulk III-N substrate and depositing a III-N epitaxial layer to produce N-polar material. Also disclosed herein is a composition having: a bulk III-N substrate; an inversion layer on portions of the substrate; and a III-N epitaxial layer on the inversion layer. The III-N epitaxial layer is of the opposite polarity of the surface of the substrate.

摘要翻译： 本文公开了一种方法：在蓝宝石，硅或碳化硅衬底的N极GaN外延层上沉积图案化掩模层; 在开放区域上沉积AlN反转层; 去除任何剩余的面罩; 并沉积III-N外延层以同时产生N-极性材料和III-极性材料。 本文还公开的是：在N极本体III-N衬底上沉积AlN反转层并沉积III-N外延层以产生III极性材料。 本文还公开：在III极本体III-N衬底上沉积反型层并沉积III-N外延层以产生N-极性材料。 本文还公开了具有：本体III-N底物的组合物; 在基板的部分上的反转层; 和反型层上的III-N外延层。 III-N外延层具有与衬底表面相反的极性。

公开(公告)号：US20150362374A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：US14729441

申请日：2015-06-03

申请人： Virginia D. Wheeler ,  Francis J. Kub ,  Charles R. Eddy, JR. ,  Marko J. Tadjer

发明人： Virginia D. Wheeler ,  Francis J. Kub ,  Charles R. Eddy, JR. ,  Marko J. Tadjer

IPC分类号： G01J5/20 ,  H01L37/00

CPC分类号： G01J5/20 ,  C23C16/45525 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0275 ,  G01J5/084 ,  G01J5/0853 ,  G01J5/089 ,  G01J2005/204 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  G02B5/003 ,  G02F1/0147 ,  H01L37/00 ,  Y10T156/10

摘要： This disclosure describes a microbolometer sensor element and microbolometer array imaging devices optimized for infrared radiation detection that are enabled using atomic layer deposition (ALD) of vanadium oxide material layer (VOx) for a temperature sensitive resistor.

摘要翻译： 本公开描述了一种用于红外辐射检测优化的微测辐射热计传感器元件和微测辐射计阵列成像装置，其使用用于温度敏感电阻器的氧化钒材料层（VOx）的原子层沉积（ALD）来实现。

公开(公告)号：US09196614B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US14617510

申请日：2015-02-09

申请人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L27/095 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L29/205 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/04 ,  H01L29/201 ,  H01L29/36 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762 ,  H01L29/207 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L27/095 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0921 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/452 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7831

摘要： An inverted P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising a gallium-polar III-Nitride barrier material, a second material layer, a two-dimensional hole gas in the second layer, and wherein the gallium-polar material comprises one or more III-Nitride epitaxial material layers grown such that when GaN is epitaxially grown the top surface of the epitaxial layer is gallium-polar. A method of making an inverted P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising selecting a face or offcut orientation of a substrate so that the gallium-polar (0001) face is the dominant face, growing a nucleation layer, growing a gallium-polar epitaxial layer, doping the epitaxial layer, growing a barrier layer, etching the GaN, forming contacts, performing device isolation, defining a gate opening, depositing and defining gate metal, making a contact window, depositing and defining a thick metal.

摘要翻译： 在通道中具有空穴载流子的反向P沟道III族氮化物场效应晶体管，其包含镓极性III-氮化物阻挡材料，第二材料层，第二层中的二维空穴气体，并且其中镓极性 材料包括一个或多个生长的III-Nitride外延材料层，使得当外延生长GaN时，外延层的顶表面是镓极性的。 在通道中制造具有空穴载流子的反相P沟道III族氮化物场效应晶体管的方法，包括选择衬底的面或切口取向，使得镓极（0001）面是主要面，生长成核层 ，生长镓极性外延层，掺杂外延层，生长势垒层，蚀刻GaN，形成接触，执行器件隔离，限定栅极开口，沉积和限定栅极金属，形成接触窗口，沉积和限定 厚金属。

公开(公告)号：US20150221760A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：US14617510

申请日：2015-02-09

申请人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

发明人： Francis J. Kub ,  Travis J. Anderson ,  Andrew D. Koehler ,  Karl D. Hobart

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/201 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L27/095 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0921 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/452 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7831

摘要： An inverted P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising a gallium-polar III-Nitride first material, a barrier material layer, a two-dimensional hole gas in the barrier layer, and wherein the gallium-polar material comprises one or more III-Nitride epitaxial material layers grown such that when GaN is epitaxially grown the top surface of the epitaxial layer is gallium-polar. A method of making an inverted P-channel III-nitride field effect transistor with hole carriers in the channel comprising selecting a face or offcut orientation of a substrate so that the gallium-polar (0001) face is the dominant face, growing a nucleation layer, growing a gallium-polar epitaxial layer, doping the epitaxial layer, growing a barrier layer, etching the GaN, forming contacts, performing device isolation, defining a gate opening, depositing and defining gate metal, making a contact window, depositing and defining a thick metal.

摘要翻译： 在通道中具有空穴载流子的反相P沟道III族氮化物场效应晶体管，其包含镓极性III-氮化物第一材料，阻挡材料层，阻挡层中的二维空穴气体，并且其中镓极性 材料包括一个或多个生长的III-Nitride外延材料层，使得当外延生长GaN时，外延层的顶表面是镓极性的。 在通道中制造具有空穴载流子的反相P沟道III族氮化物场效应晶体管的方法，包括选择衬底的面或切口取向，使得镓极（0001）面是主要面，生长成核层 ，生长镓极性外延层，掺杂外延层，生长势垒层，蚀刻GaN，形成接触，执行器件隔离，限定栅极开口，沉积和限定栅极金属，形成接触窗口，沉积和限定 厚金属。

公开(公告)号：US09065246B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US14480757

申请日：2014-09-09

申请人： Francis J. Kub ,  Marc Currie

发明人： Francis J. Kub ,  Marc Currie

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S3/10 ,  H01S3/09 ,  H01S3/091 ,  H01S3/06 ,  H01S3/113 ,  H01S5/06 ,  H01S5/14 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/11 ,  H01S3/083 ,  H01S5/028 ,  H01S5/183 ,  H01S5/34 ,  H01S5/50

CPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/06 ,  H01S3/081 ,  H01S3/0813 ,  H01S3/0815 ,  H01S3/083 ,  H01S3/0906 ,  H01S3/091 ,  H01S3/10 ,  H01S3/11 ,  H01S3/1106 ,  H01S3/1112 ,  H01S3/1115 ,  H01S3/1118 ,  H01S3/113 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/14 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/50

摘要： Laser devices are presented in which a graphene saturable absorber and an optical amplifier are disposed in a resonant optical cavity with an optical or electrical pump providing energy to the optical amplifier.

摘要翻译： 提供了激光装置，其中石墨烯可饱和吸收体和光放大器设置在具有向光放大器提供能量的光或电泵的共振光腔中。

公开(公告)号：US09029833B2

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：US14471001

申请日：2014-08-28

申请人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Travis J. Anderson

发明人： Francis J. Kub ,  Karl D. Hobart ,  Travis J. Anderson

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  H01L31/028 ,  H01L27/148 ,  H01L31/0336 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/14694 ,  H01L27/148 ,  H01L31/0336

摘要： Ultraviolet or Extreme Ultraviolet and/or visible detector apparatus and fabrication processes are presented, in which the detector includes a thin graphene electrode structure disposed over a semiconductor surface to provide establish a potential in the semiconductor material surface and to collect photogenerated carriers, with a first contact providing a top side or bottom side connection for the semiconductor structure and a second contact for connection to the graphene layer.

摘要翻译： 提出了紫外或极紫外和/或可见的检测器装置和制造方法，其中检测器包括设置在半导体表面上的薄的石墨烯电极结构，以在半导体材料表面中建立电位并且收集光生载流子，第一 接触提供用于半导体结构的顶侧或底侧连接以及用于连接到石墨烯层的第二接触。

公开(公告)号：US20140376585A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US14480757

申请日：2014-09-09

申请人： Francis J. Kub ,  Marc Currie

发明人： Francis J. Kub ,  Marc Currie

IPC分类号： H01S5/10

CPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/06 ,  H01S3/081 ,  H01S3/0813 ,  H01S3/0815 ,  H01S3/083 ,  H01S3/0906 ,  H01S3/091 ,  H01S3/10 ,  H01S3/11 ,  H01S3/1106 ,  H01S3/1112 ,  H01S3/1115 ,  H01S3/1118 ,  H01S3/113 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/14 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/50

摘要： Laser devices are presented in which a graphene saturable absorber and an optical amplifier are disposed in a resonant optical cavity with an optical or electrical pump providing energy to the optical amplifier.

摘要翻译： 提供了激光装置，其中石墨烯可饱和吸收体和光放大器设置在具有向光放大器提供能量的光或电泵的共振光腔中。

公开(公告)号：US08885676B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13676608

申请日：2012-11-14

申请人： Francis J. Kub ,  Marc Currie

发明人： Francis J. Kub ,  Marc Currie

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/11 ,  H01S3/09 ,  H01S3/113 ,  H01S5/06 ,  H01S3/091 ,  H01S3/10 ,  H01S3/06 ,  H01S5/14 ,  H01S5/10 ,  H01S3/083 ,  H01S5/50 ,  H01S5/028 ,  H01S5/34 ,  H01S5/183

CPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/06 ,  H01S3/081 ,  H01S3/0813 ,  H01S3/0815 ,  H01S3/083 ,  H01S3/0906 ,  H01S3/091 ,  H01S3/10 ,  H01S3/11 ,  H01S3/1106 ,  H01S3/1112 ,  H01S3/1115 ,  H01S3/1118 ,  H01S3/113 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/14 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/50

摘要： Laser devices are presented in which a graphene saturable absorber and an optical amplifier are disposed in a resonant optical cavity with an optical or electrical pump providing energy to the optical amplifier.

摘要翻译： 提供了激光装置，其中石墨烯可饱和吸收体和光放大器设置在具有向光放大器提供能量的光或电泵的共振光腔中。