公开(公告)号：US08633439B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13175384

申请日：2011-07-01

申请人： Chia-Chi Tsao ,  Syun-Jie Jhan ,  Yi-Cheng Shih ,  Chwen Yu

发明人： Chia-Chi Tsao ,  Syun-Jie Jhan ,  Yi-Cheng Shih ,  Chwen Yu

IPC分类号： G01N23/00 ,  G21K7/00

CPC分类号： H05K9/0007 ,  H01J37/09 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0264 ,  H01J2237/0266

摘要： System and method for EMI shielding for a CD-SEM are described. One embodiment is a scanning electron microscope (“SEM”) comprising an electron gun for producing an electron beam directed toward a sample; a secondary electron (“SE”) detector for detecting secondary electrons reflected from the sample in response to the electron beam; and a dual-layer shield disposed around and enclosing the SE detector. The shield comprises a magnetic shielding lamina layer and a metallic foil layer.

摘要翻译： 描述了用于CD-SEM的EMI屏蔽的系统和方法。 一个实施例是包括用于产生朝向样品的电子束的电子枪的扫描电子显微镜（“SEM”）。 用于响应于电子束检测从样品反射的二次电子的二次电子（“SE”）检测器; 以及设置在SE检测器周围并包围SE检测器的双层屏蔽。 屏蔽包括磁屏蔽层和金属箔层。

公开(公告)号：US20130228882A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13410714

申请日：2012-03-02

申请人： Kai-Wen Cheng ,  Chwen Yu ,  Chih-Ming Chen

发明人： Kai-Wen Cheng ,  Chwen Yu ,  Chih-Ming Chen

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/08

摘要： Methods and apparatuses for a magnetic tunnel junction (MTJ) which can be used in as a magnetic random access memory cell are disclosed. The MTJ comprises a free layer and an insulator layer. The MTJ further comprises a pinned layer with a first region, a second region, and a third region. The second region is of a first length and of a first thickness, and the first region and the third region are of a second length and of a second thickness. A ratio of the first thickness to the second thickness may be larger than 1.2. A ratio of the second length to the first length is larger than 0.5. The first thickness may be larger than a spin diffusion length of a material for the pinned layer. So formed MTJ results in increased tunneling magnetic resistance ratio and reduced critical switch current of the MTJ.

摘要翻译： 公开了可用作磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结（MTJ）的方法和装置。 MTJ包括自由层和绝缘体层。 MTJ还包括具有第一区域，第二区域和第三区域的钉扎层。 第二区域具有第一长度和第一厚度，并且第一区域和第三区域具有第二长度和第二厚度。 第一厚度与第二厚度之比可以大于1.2。 第二长度与第一长度的比率大于0.5。 第一厚度可以大于用于钉扎层的材料的自旋扩散长度。 所形成的MTJ导致隧道磁阻比提高，MTJ的关键开关电流降低。

公开(公告)号：US20130001419A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13175384

申请日：2011-07-01

申请人： Chia-Chi Tsao ,  Syun-Jie Jhan ,  Yi-Cheng Shih ,  Chwen Yu

发明人： Chia-Chi Tsao ,  Syun-Jie Jhan ,  Yi-Cheng Shih ,  Chwen Yu

IPC分类号： H01J37/28 ,  H05K9/00

CPC分类号： H05K9/0007 ,  H01J37/09 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0264 ,  H01J2237/0266

摘要： System and method for EMI shielding for a CD-SEM are described. One embodiment is a scanning electron microscope (“SEM”) comprising an electron gun for producing an electron beam directed toward a sample; a secondary electron (“SE”) detector for detecting secondary electrons reflected from the sample in response to the electron beam; and a dual-layer shield disposed around and enclosing the SE detector. The shield comprises a magnetic shielding lamina layer and a metallic foil layer.

摘要翻译： 描述了用于CD-SEM的EMI屏蔽的系统和方法。 一个实施例是包括用于产生朝向样品的电子束的电子枪的扫描电子显微镜（SEM） 用于响应于电子束检测从样品反射的二次电子的二次电子（SE）检测器; 以及设置在SE检测器周围并包围SE检测器的双层屏蔽。 屏蔽包括磁屏蔽薄层和金属箔层。

公开(公告)号：US09343656B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US13410714

申请日：2012-03-02

申请人： Kai-Wen Cheng ,  Chwen Yu ,  Chih-Ming Chen

发明人： Kai-Wen Cheng ,  Chwen Yu ,  Chih-Ming Chen

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/08

摘要： Methods and apparatuses for a magnetic tunnel junction (MTJ) which can be used in as a magnetic random access memory cell are disclosed. The MTJ comprises a free layer and an insulator layer. The MTJ further comprises a pinned layer with a first region, a second region, and a third region. The second region is of a first length and of a first thickness, and the first region and the third region are of a second length and of a second thickness. A ratio of the first thickness to the second thickness may be larger than 1.2. A ratio of the second length to the first length is larger than 0.5. The first thickness may be larger than a spin diffusion length of a material for the pinned layer. So formed MTJ results in increased tunneling magnetic resistance ratio and reduced critical switch current of the MTJ.

摘要翻译： 公开了可用作磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结（MTJ）的方法和装置。 MTJ包括自由层和绝缘体层。 MTJ还包括具有第一区域，第二区域和第三区域的钉扎层。 第二区域具有第一长度和第一厚度，并且第一区域和第三区域具有第二长度和第二厚度。 第一厚度与第二厚度之比可以大于1.2。 第二长度与第一长度的比率大于0.5。 第一厚度可以大于用于钉扎层的材料的自旋扩散长度。 所形成的MTJ导致隧道磁阻比提高，MTJ的关键开关电流降低。

公开(公告)号：US08624338B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13101443

申请日：2011-05-05

申请人： Fei-Gwo Tsai ,  Chwen Yu

发明人： Fei-Gwo Tsai ,  Chwen Yu

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01J2237/31759 ,  H01L21/0277 ,  H01L27/20

摘要： An apparatus, method for manufacturing the apparatus, and method for processing a substrate using the apparatus are disclosed. An exemplary apparatus includes a substrate having a plurality of cells, wherein each cell includes a cell structure. The cell structure includes a piezoelectric film portion and a tip disposed over the piezoelectric film portion. The tip is physically coupled with the piezoelectric film portion.

摘要翻译： 公开了一种用于制造该设备的设备，方法和使用该设备处理衬底的方法。 示例性装置包括具有多个单元的基板，其中每个单元包括单元结构。 电池结构包括压电膜部分和设置在压电膜部分上的尖端。 尖端与压电膜部分物理耦合。

公开(公告)号：US20130023121A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13188248

申请日：2011-07-21

申请人： Chwen Yu ,  Fei-Gwo Tsai ,  Kai-Wen Cheng

发明人： Chwen Yu ,  Fei-Gwo Tsai ,  Kai-Wen Cheng

IPC分类号： H01L21/306 ,  G03F7/34 ,  G03F7/16

CPC分类号： H01L21/0272 ,  G03F7/0035

摘要： Methods for patterning material layers, which may be implemented in forming integrated circuit device features, are disclosed. In an example, a method includes forming a first resist layer over a material layer; forming a second resist layer over the first resist layer; forming an opening that extends through the second resist layer and the first resist layer to expose the material layer, wherein the opening has a substantially constant width in the second resist layer and a tapered width in the first resist layer; and performing a tilt-angle deposition process to form a feature over the exposed material layer.

摘要翻译： 公开了可以在形成集成电路器件特征中实现的图案化材料层的方法。 在一个实例中，一种方法包括在材料层上形成第一抗蚀剂层; 在所述第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层; 形成延伸穿过所述第二抗蚀剂层和所述第一抗蚀剂层以暴露所述材料层的开口，其中所述开口在所述第二抗蚀剂层中具有基本上恒定的宽度，并且所述第一抗蚀剂层中具有锥形宽度; 以及进行倾斜角淀积处理以在所述暴露的材料层上形成特征。

公开(公告)号：US20120319732A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13162190

申请日：2011-06-16

申请人： Chwen Yu ,  Kai-Wen Cheng ,  Tai-Wei Chiang

发明人： Chwen Yu ,  Kai-Wen Cheng ,  Tai-Wei Chiang

IPC分类号： H03K19/20

CPC分类号： H03K19/20 ,  H03K19/16

摘要： The present disclosure provides for magnetic logic devices and methods of operating such a device. In one embodiment, the device includes a bottom electrode configured to receive a first input current and a second input current, a bottom magnetic layer disposed over the bottom electrode, a nonmagnetic layer disposed over the bottom magnetic layer, a top magnetic layer disposed over the nonmagnetic layer, and a top electrode disposed over the top magnetic layer, the top electrode and the bottom electrode configured to provide an output voltage which is dependent on the first and second input currents and which follows an AND gate logic or an OR gate logic.

摘要翻译： 本公开提供了用于操作这种装置的磁逻辑装置和方法。 在一个实施例中，该器件包括配置成接收第一输入电流和第二输入电流的底部电极，设置在底部电极上的底部磁性层，设置在底部磁性层上的非磁性层，设置在底部磁性层上的顶部磁性层 非磁性层和设置在顶部磁性层上的顶部电极，所述顶部电极和底部电极被配置为提供取决于第一和第二输入电流并且跟随与门逻辑或或门逻辑的输出电压。

公开(公告)号：US08709267B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13188248

申请日：2011-07-21

申请人： Chwen Yu ,  Fei-Gwo Tsai ,  Kai-Wen Cheng

发明人： Chwen Yu ,  Fei-Gwo Tsai ,  Kai-Wen Cheng

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0272 ,  G03F7/0035

摘要： Methods for patterning material layers, which may be implemented in forming integrated circuit device features, are disclosed. In an example, a method includes forming a first resist layer over a material layer; forming a second resist layer over the first resist layer; forming an opening that extends through the second resist layer and the first resist layer to expose the material layer, wherein the opening has a substantially constant width in the second resist layer and a tapered width in the first resist layer; and performing a tilt-angle deposition process to form a feature over the exposed material layer.

摘要翻译： 公开了可以在形成集成电路器件特征中实现的图案化材料层的方法。 在一个实例中，一种方法包括在材料层上形成第一抗蚀剂层; 在所述第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层; 形成延伸穿过所述第二抗蚀剂层和所述第一抗蚀剂层以暴露所述材料层的开口，其中所述开口在所述第二抗蚀剂层中具有基本上恒定的宽度，并且所述第一抗蚀剂层中具有锥形宽度; 以及进行倾斜角淀积处理以在所述暴露的材料层上形成特征。

公开(公告)号：US20130200475A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13364881

申请日：2012-02-02

申请人： Tien-Wei Chiang ,  Chwen Yu ,  Ya-Chen Kao

发明人： Tien-Wei Chiang ,  Chwen Yu ,  Ya-Chen Kao

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive random access memory (MRAM) device and a method of manufacture are provided. The MRAM device comprises a magnetic pinned layer, a compound GMR structure acting as a free layer, and a non-magnetic barrier layer separating the pinned and GMR layers. The barrier layer is provided to reduce the magnetic coupling of the free layer and GMR structure, as well as provide a resistive state (high or low) for retaining binary data (0 or 1) in the device. The GMR structure provides physical electrode connectivity for set/clear memory functionality which is separated from the physical electrode connectivity for the read functionality for the memory device.

摘要翻译： 提供了一种磁阻随机存取存储器（MRAM）装置及其制造方法。 MRAM器件包括磁性钉扎层，用作自由层的复合GMR结构以及分离钉扎和GMR层的非磁性阻挡层。 提供阻挡层以减少自由层和GMR结构的磁耦合，以及提供用于在装置中保持二进制数据（0或1）的电阻状态（高或低）。 GMR结构提供了用于设置/清除存储器功能的物理电极连接，其与用于存储器件的读取功能的物理电极连接分开。

公开(公告)号：US20130153285A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13328543

申请日：2011-12-16

申请人： Chwen YU ,  Yung-Ti HUNG ,  Kuo-An YEH ,  Tzu-Sou CHUANG ,  Chien-Teh HUANG

发明人： Chwen YU ,  Yung-Ti HUNG ,  Kuo-An YEH ,  Tzu-Sou CHUANG ,  Chien-Teh HUANG

IPC分类号： H05K9/00

CPC分类号： H05K9/0003 ,  H05K9/0075

摘要： A magnetic field shielding raised floor panel having a plurality of grain-oriented electrical steel (GOES) sections. The orientation of each GOES section is parallel to a top surface of the section. The plurality of GOES sections can include sidewall and lip portions. The plurality of GOES sections can be perforated to permit air flow through the GOES section. Openings in adjacent perforated GOES sections do not substantially overlap.

摘要翻译： 一种具有多个晶粒取向电工钢（GOES）部分的磁场屏蔽升高地板镶板。 每个GOES部分的方向平行于该部分的顶部表面。 多个GOES部分可以包括侧壁和唇部。 多个GOES部分可以穿孔以允许空气流过GOES部分。 相邻穿孔GOES部分中的开口基本上不重叠。