公开(公告)号：US08410478B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12672444

申请日：2008-08-01

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/285 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0083

摘要： A p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is formed on a substrate (2) made of a ZnO-based semiconductor. The p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is composed so that X as a ratio of Mg with respect to Zn therein can be 0≦X

摘要翻译： 在由ZnO类半导体制成的基板（2）上形成p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）。 p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）的构成为，使Mg相对于Zn的比例的X为0以上，X <1，优选为0＆lt; nlE; X＆lt; lE; 0.5。 在p型MgZnO薄膜（1）中，作为受体的p型杂质的氮含量约为5.0×1018 cm -3以上。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硅的IV族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×10 17 cm -3以下。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硼和铝的III族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×1016 cm -3以下。

公开(公告)号：US20100230671A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12680406

申请日：2008-09-26

申请人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/18 ,  H01L33/28

摘要： Provided are a ZnO-based semiconductor capable of alleviating the self-compensation effect and of achieving easier conversion into p-type, and a ZnO-based semiconductor device. The ZnO-based semiconductor includes a nitrogen-doped MgXZn1-XO (0

摘要翻译： 提供能够减轻自补偿效果并且实现更容易转化为p型的ZnO基半导体以及ZnO类半导体器件。 ZnO基半导体包括氮掺杂的MgXZn1-XO（0

公开(公告)号：US07741637B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C面（0001）的作为主表面的至少在m轴方向上倾斜的MgxZn1-xO（0＆lt; nlE; x <1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。

公开(公告)号：US20100102309A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12525537

申请日：2008-02-04

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

IPC分类号： H01L29/221

CPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/045 ,  H01L29/225 ,  H01L29/402 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0296 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/4233 ,  Y02E10/549

摘要： To solve the foregoing problems, provided is a ZnO-based semiconductor element having an entirely novel function distinct from hitherto, using a ZnO-based semiconductor and organic matter for an active role. An organic electrode 2 is formed on a ZnO-based semiconductor 1, and an Au film 3 is formed on the organic electrode 2. An electrode formed of a multilayer metal film including a Ti film 4 and an Au film 5 is formed on the back surface of the ZnO-based semiconductor 1 so as to be opposed to the organic electrode 2. A bonding interface between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 is in a pn junction-like state. Thus, rectification occurs therebetween.

摘要翻译： 为了解决上述问题，提供了使用ZnO类半导体和有机物作为主动作用的具有与迄今不同的全新功能的ZnO类半导体元件。 在ZnO类半导体1上形成有机电极2，在有机电极2上形成Au膜3.在背面形成由包含Ti膜4和Au膜5的多层金属膜形成的电极 ZnO基半导体1的表面与有机电极2相对。有机电极2和ZnO系半导体1之间的接合界面处于pn结状态。 因此，在它们之间发生整流。

公开(公告)号：US20080245297A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12078322

申请日：2008-03-28

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B05C5/00

CPC分类号： C30B23/066 ,  C30B35/00

摘要： A container of a material supply apparatus is configured of a crucible and an orifice. The crucible has a cylindrical shape, a rectangular-column shape or the like, and is hollow. Heat sources such as heaters are disposed around the crucible. The orifice including an opening is provided on a side of the crucible in a material element supplying direction. The orifice includes a pipe portion that extends in the material element supplying direction. The opening is formed on a tip of the pipe portion. An opening area of the pipe portion is formed to become gradually narrower towards the material element supplying side, namely in a direction of the opening.

摘要翻译： 材料供给装置的容器由坩埚和孔构成。 坩埚具有圆柱形状，矩形柱状等，并且是中空的。 诸如加热器的热源设置在坩埚周围。 包括开口的孔口沿着材料元件供给方向设置在坩埚的一侧。 孔口包括在材料元件供给方向上延伸的管部分。 开口形成在管部的前端。 管部的开口部形成为朝向材料供给侧逐渐变窄，即开口方向。

公开(公告)号：US07095067B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10445414

申请日：2003-05-27

申请人： Harold Y. Hwang ,  Akira Ohtomo ,  David Muller

发明人： Harold Y. Hwang ,  Akira Ohtomo ,  David Muller

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L27/11507

摘要： The present invention provides a semicondctor device that includes a conductor comprised of first and second layers of perovskite that have different stoichiometric compositions. The conductors provide a good template for the formation of dielectric layers thereon and are resistant to oxidizing environments used in semiconductor processing.

摘要翻译： 本发明提供了一种包括由具有不同化学计量组成的第一和第二层钙钛矿组成的导体的半浸渍装置。 导体为在其上形成电介质层提供了良好的模板，并且耐半导体处理中使用的氧化环境。

公开(公告)号：US20120181531A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US12672432

申请日：2008-08-07

申请人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/227 ,  H01L21/36

CPC分类号： C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/20 ,  C01P2006/22 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C23C14/086 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/28

摘要： A semiconductor element includes a semiconductor layer mainly composed of MgxZn1-xO (0

摘要翻译： 半导体元件包括主要由Mg x Zn 1-x O（0 <= x <1）组成的半导体层，其中包含在作为杂质的半导体层中的锰的密度不大于1×1016cm-3。

公开(公告)号：US20100183045A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12452809

申请日：2008-07-22

申请人： Ken Nakahara ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： G01J5/00

CPC分类号： G01J5/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/541 ,  G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0875 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/0081 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554

摘要： A substrate temperature measuring apparatus includes: a heating source that heat a substrate; a transmission window that transmits therethrough an infrared ray in a range of a wavelength at which the infrared ray cannot transmit through the substrate; and a temperature-measuring instrument having a sensitivity range including the range of the wavelength, and measuring a substrate temperature of the substrate by analyzing an infrared ray radiated from the substrate heated by the heating source and having transmitted through the transmission window.

摘要翻译： 基板温度测量装置包括：加热基板的加热源; 透射窗，其透过红外线不能透过基板的波长范围内的红外线; 以及温度测量仪器，其具有包括波长范围的灵敏度范围，并且通过分析从由所述加热源加热并已透射通过透射窗的衬底辐射的红外线来测量衬底的衬底温度。

公开(公告)号：US20080187776A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12026863

申请日：2008-02-06

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Yoshio Nishimoto ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Yoshio Nishimoto ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B32B15/00

CPC分类号： C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  Y10T428/12778

摘要： Provided is a multilayer substrate having the configuration in which a multilayer film is formed on a principal surface opposite to a principal surface in the oxide-thin-film lamination direction in a translucent substrate. The multilayer film is formed by sequentially laminating a dielectric film, Au (gold) film, and oxide film in this order from the translucent substrate. On the principal surface opposite to the principal surface on which the oxide thin film is disposed, the multilayer film containing the Au film is formed, the Au film can reflect and block the excessive infrared light from a substrate holder or a heat source at the time of growth. As a result, temperature can be accurately measured.

摘要翻译： 提供一种多层基板，其具有在透光性基板中在与氧化物薄膜层叠方向的主面相反的主面上形成多层膜的结构。 通过从透光性基板依次层叠电介质膜Au（金）膜和氧化膜而形成多层膜。 在与设置有氧化物薄膜的主表面相对的主表面上形成含有Au膜的多层膜，Au膜可以反映并阻挡来自衬底保持器或热源的过多红外光 的增长。 结果，可以精确地测量温度。

公开(公告)号：US06878962B1

公开(公告)日：2005-04-12

申请号：US09926186

申请日：2000-03-22

申请人： Masashi Kawasaki ,  Hideo Ohno ,  Akira Ohtomo

发明人： Masashi Kawasaki ,  Hideo Ohno ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： C01G1/02 ,  H01L21/338 ,  H01L21/36 ,  H01L27/15 ,  H01L29/12 ,  H01L29/22 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01S5/32 ,  H01S5/347 ,  H01L23/62 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y20/00 ,  C01G1/02 ,  C01P2002/77 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/347

摘要： The present invention provides a high quality thin film comparable to a bulk single crystal and providres a semiconductor device with superior characteristics. A channel layer 11, for example, is formed of a semiconductor such as zinc oxide ZnO or the like. A source 12, a drain 13, a gate 14 and a gate insulating layer 15 are formed on the channel layer 111 to form an FET. For a substrate 16, a proper material is selected depending on a thin film material of the channel layer 11 in consideration of compatibility of both lattice constants. For example, if ZnO is used for the semiconductor of the channel layer as a base material, ScAlMgO4 or the like can be used for the substrate 16.

摘要翻译： 本发明提供了与大块单晶相当的高质量薄膜，并提供了具有优异特性的半导体器件。 沟道层11例如由诸如氧化锌ZnO等的半导体形成。 源极12，漏极13，栅极14和栅极绝缘层15形成在沟道层111上以形成FET。 对于基板16，考虑到两个晶格常数的兼容性，根据沟道层11的薄膜材料选择合适的材料。 例如，如果使用ZnO作为沟道层的半导体作为基底材料，则可以使用ScAlMgO 4等作为基板16。