发明授权
- 专利标题： ZnO-based semiconductor device
- 专利标题（中）： ZnO基半导体器件
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申请号： US12308064申请日： 2007-06-08
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公开(公告)号： US07741637B2公开(公告)日： 2010-06-22
- 发明人: Ken Nakahara , Hiroyuki Yuji , Kentaro Tamura , Shunsuke Akasaka , Masashi Kawasaki , Atsushi Tsukazaki , Akira Ohtomo
- 申请人： Ken Nakahara , Hiroyuki Yuji , Kentaro Tamura , Shunsuke Akasaka , Masashi Kawasaki , Atsushi Tsukazaki , Akira Ohtomo
- 申请人地址： JP Kyoto-fu
- 专利权人： Rohm Co., Ltd.
- 当前专利权人： Rohm Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Kyoto-fu
- 代理机构： Rabin & Berdo, PC
- 优先权： JP2006-160273 20060608
- 国际申请： PCT/JP2007/061662 WO 20070608
- 国际公布： WO2008/004405 WO 20080110
- 主分类号： H01L29/22
- IPC分类号： H01L29/22
摘要：
Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x
公开/授权文献
- US20090200545A1 ZnO-Based Semiconductor Device 公开/授权日：2009-08-13
信息查询
IPC分类:
