公开(公告)号：US20150380370A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：US14316558

申请日：2014-06-26

申请人： Harald KRAUS ,  Hebert SCHIER

发明人： Harald KRAUS ,  Hebert SCHIER

IPC分类号： H01L23/00 ,  C23F1/26 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L24/11 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： A method of etching a semiconductor structure, comprises contacting an under bump metallization (UBM) with an etching composition. The UBM includes an underlying layer comprising titanium and an overlying layer comprising a second metal. The etching composition is a liquid comprising at least 0.1 wt % hydrofluoric acid and at least 0.1 wt % phosphoric acid.

摘要翻译： 蚀刻半导体结构的方法包括使凹凸金属化（UBM）与蚀刻组合物接触。 UBM包括包含钛的下层和包含第二金属的上覆层。 蚀刻组合物是包含至少0.1重量％氢氟酸和至少0.1重量％磷酸的液体。

公开(公告)号：US20150221521A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：US14616250

申请日：2015-02-06

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Hui-Fang HOU ,  William Ward ,  Ming-Chih Yeh ,  Chih-Pin Tsai

IPC分类号： H01L21/3105 ,  C09G1/02 ,  C23F1/26 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/06 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) method for removal of a metal layer deposited over a titanium nitride (TiN) or titanium/titanium nitride (Ti/TiN) barrier layer is described herein. The method comprises abrading the metal layer with an acidic CMP composition to expose the underlying TiN or Ti/TiN layer, wherein the TiN or Ti/N layer is polished at a low rate due to the presence of a surfactant inhibitor. The acidic CMP composition comprises a particulate abrasive (e.g., silica, alumina) suspended in a liquid carrier containing a surfactant selected from the group consisting of an anionic surfactant, a nonionic surfactant, cation surfactants, and a combination thereof.

摘要翻译： 本文描述了用于去除沉积在氮化钛（TiN）或钛/氮化钛（Ti / TiN）阻挡层上的金属层的化学机械抛光（CMP）方法。 该方法包括用酸性CMP组合物研磨金属层以暴露下面的TiN或Ti / TiN层，其中由于表面活性剂抑制剂的存在，TiN或Ti / N层以低速率抛光。 酸性CMP组合物包含悬浮在含有选自阴离子表面活性剂，非离子表面活性剂，阳离子表面活性剂及其组合的表面活性剂的液体载体中的颗粒磨料（例如二氧化硅，氧化铝）。

公开(公告)号：US20150184028A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：US14519122

申请日：2014-10-20

申请人： UBMATERIALS INC.

发明人： Seung Won JUNG

IPC分类号： C09G1/02 ,  C23F1/26 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3212

摘要： A polishing slurry for tungsten and a substrate polishing method are disclosed. The polishing slurry includes an abrasive for performing polishing and having positive zeta potential, and a potential modulator for promoting the oxidation of the tungsten and for controlling the zeta potential of the abrasive.

摘要翻译： 公开了一种用于钨的抛光浆料和基材研磨方法。 抛光浆料包括用于进行抛光并具有正ζ电位的研磨剂，以及用于促进钨的氧化和用于控制研磨剂的ζ电位的电位调节器。

公开(公告)号：US08821750B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US12527607

申请日：2008-02-22

申请人： Jin Amanokura ,  Takafumi Sakurada ,  Sou Anzai ,  Takashi Shinoda ,  Shigeru Nobe

发明人： Jin Amanokura ,  Takafumi Sakurada ,  Sou Anzai ,  Takashi Shinoda ,  Shigeru Nobe

IPC分类号： C09G1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

摘要： The present invention relates to a metal polishing slurry containing abrasive grains, a metal-oxide-dissolving agent, and water, wherein the abrasive grains contain two or more abrasive grain species different from each other in average secondary particle diameter. Using the metal polishing slurry of the present invention, a metal polishing slurry can be obtained which gives a large polishing rate of an interlayer dielectric layer, and is high in the flatness of the polished surface. This metal polishing slurry can provide suitable method for a semiconductor device which is excellent in being made finer and thinner and in dimension precision and in electric characteristics, is high in reliability, and can attain a decrease in costs.

摘要翻译： 本发明涉及含有磨粒，金属氧化物溶解剂和水的金属抛光浆料，其中磨粒含有平均二次粒径彼此不同的两种或更多种磨粒。 使用本发明的金属研磨浆，可以得到层状电介质层的研磨速度高的金属研磨浆料，并且抛光面的平坦度高。 这种金属抛光浆料可以提供适合于制造更细和更薄，尺寸精度和电特性优异的可靠性高的半导体器件的方法，并且可以降低成本。

公开(公告)号：US20120180634A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US12361464

申请日：2009-01-28

申请人： David V. Kirkham ,  Jeffrey B. Kirkham

发明人： David V. Kirkham ,  Jeffrey B. Kirkham

IPC分类号： F41H5/08 ,  F41H1/04 ,  B22D25/02 ,  C23F1/00 ,  C23F1/26

CPC分类号： F41H1/04 ,  B22D21/005 ,  F41H1/02 ,  Y10T29/49771 ,  Y10T29/4998 ,  Y10T29/49988 ,  Y10T29/49989

摘要： Methods for manufacturing cast titanium helmets include casting a helmet in an oversized mold. The resulting oversized cast helmet is then exposed to a hot isostatic press (HIP) process that applies heat and pressure for a predetermined period of time. The resulting oversized cast helmet is then exposed to an acid bath that chemically mills the helmet to a desired thickness and removes contaminants formed during casting of titanium.

摘要翻译： 制造铸钛头盔的方法包括在超大型模具中铸造头盔。 然后将所得到的超大型铸头盔暴露于在预定时间段内施加热和压力的热等静压机（HIP）过程。 然后将所得到的超大型铸造头盔暴露于酸浴中，该酸浴将头盔化学研磨至期望的厚度并去除在钛铸造期间形成的污染物。

公开(公告)号：US20110186542A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13084024

申请日：2011-04-11

申请人： Yuzhuo LI ,  Changxue WANG

发明人： Yuzhuo LI ,  Changxue WANG

IPC分类号： H05K3/00 ,  C09K13/00 ,  C23F1/00 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing slurry containing multiple oxidizers and nano abrasive particles (including engineered nano diamond particles) suitable for polishing multilayer substrate with tungsten and Ti/TiN barrier layers. The slurry contains no metallic catalyst and has low total abrasive particle content. The absence of metal ions can be advantageous for certain applications as certain metal ions may present contamination issues. A low total abrasive content may also lower the total defect counts, reduce the slurry waste treatment burden, and simplify the post CMP clean process.

摘要翻译： 含有多个氧化剂和纳米磨料颗粒（包括工程纳米金刚石颗粒）的化学机械抛光浆料，适用于抛光具有钨和Ti / TiN阻挡层的多层基材。 浆料不含金属催化剂，总磨料颗粒含量低。 金属离子的缺乏对于某些应用是有利的，因为某些金属离子可能存在污染问题。 低的总研磨剂含量也可能降低总缺陷计数，减少浆料废物处理负担，并简化后CMP清洁工艺。

公开(公告)号：US20110024002A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12852622

申请日：2010-08-09

申请人： Shin Ishikawa ,  Yasushi Kato ,  Osamu Furukimi

发明人： Shin Ishikawa ,  Yasushi Kato ,  Osamu Furukimi

IPC分类号： C23C22/78 ,  C23F1/28 ,  C23F1/26

CPC分类号： H01M8/0206 ,  C22C38/001 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/44 ,  H01M8/021 ,  H01M8/0228 ,  H01M2008/1095

摘要： A method of processing a metallic material includes immersing ferritic stainless steel or austenitic stainless steel in an acid solution containing hydrochloric acid in an amount of two times or more relative to the concentration of nitric acid or an acid solution containing hydrofluoric acid in an amount of one and a half times or more relative to the concentration of nitric acid to adjust surface roughness of the metallic material.

摘要翻译： 一种处理金属材料的方法包括将铁素体不锈钢或奥氏体不锈钢浸入含有盐酸的酸溶液中，相对于硝酸浓度或含有氢氟酸的酸溶液的浓度为2倍或更多 相对于硝酸浓度的一半或更多，以调节金属材料的表面粗糙度。

公开(公告)号：US20050137029A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10906796

申请日：2005-03-07

申请人： D. Evans ,  J. Galloway

发明人： D. Evans ,  J. Galloway

IPC分类号： A63B53/02 ,  A63B53/04 ,  A63B53/06 ,  A63B53/08 ,  B21J5/00 ,  B21K17/00 ,  C22F1/18 ,  C23F1/00 ,  C23F1/26

CPC分类号： A63B53/02 ,  A63B53/04 ,  A63B53/0466 ,  A63B53/08 ,  A63B60/00 ,  A63B2053/0408 ,  A63B2053/0412 ,  A63B2053/0416 ,  A63B2053/0433 ,  A63B2053/0441 ,  A63B2053/045 ,  A63B2053/0458 ,  A63B2053/0462 ,  B21J5/00 ,  B21K17/00 ,  C22F1/183 ,  C23F1/00 ,  C23F1/26

摘要： A golf club head having a striking plate with regions of varying thickness is disclosed herein. A central region has a first thickness range that is thicker than the thickness range of any of the other regions. The thickness of the regions decreases outward from the center. The striking plate may be used on a fairway wood-type golf club head or a driver-type golf club head. The striking plate is preferably composed of steel or titanium.

摘要翻译： 本文公开了具有具有不同厚度区域的撞击板的高尔夫球杆头。 中心区域具有比任何其它区域的厚度范围厚的第一厚度范围。 区域的厚度从中心向外减小。 打击板可以用于球道木杆型高尔夫球杆头或驾驶型高尔夫球杆头上。 打击板优选由钢或钛构成。

公开(公告)号：US06881679B2

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：US10331726

申请日：2002-12-31

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Yong-Sup Hwang ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Yong-Sup Hwang ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee

IPC分类号： G02F1/13 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  Y10S436/80

摘要： An etching solution for etching one of a copper single metal layer and a copper (Cu)/titanium (Ti) double metal layer that serves as one of a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of a thin film transistor for a liquid crystal display (LCD) device includes oxone, fluoric compounds, one of a reducing agent and a weak oxidizing agent, an etching rate restrainer, KHF2, and water.

摘要翻译： 一种蚀刻溶液，用于蚀刻用作薄膜晶体管的栅电极，源电极和漏电极之一的铜单金属层和铜（Cu）/钛（Ti）双金属层之一， 液晶显示器（LCD）装置包括牛酮，氟化合物，还原剂和弱氧化剂之一，蚀刻速率抑制剂，KHF 2 N和水。

公开(公告)号：US20050011863A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10622304

申请日：2003-07-17

申请人： Peter Wayte

发明人： Peter Wayte

IPC分类号： G01N31/00 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C09K13/08 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  F01D5/28 ,  F01D25/00 ,  F02C7/00 ,  G01M15/00 ,  G01N21/78 ,  G01N21/88 ,  G01N21/91 ,  G01N31/22 ,  G01N33/20

CPC分类号： C23F1/20 ,  F05B2260/80 ,  F05C2201/021 ,  F05C2201/0412 ,  G01N21/8803 ,  G01N21/91 ,  G01N33/20

摘要： A process for detecting an aluminum-based material deposited onto a titanium-based gas turbine engine component during engine operation is disclosed. The process comprises immersing at least a portion of the titanium-based component, which has been subjected to engine operation, into an acid solution to form an etched component. The acid solution comprises sodium fluoride, sulphuric acid and water. The etched component may then be removed from the solution and visually inspected for dark areas in contrast to light areas, the dark areas indicating deposited aluminum-based material.

摘要翻译： 公开了一种在发动机运转期间检测沉积在钛基燃气涡轮发动机部件上的铝基材料的方法。 该方法包括将经过发动机操作的钛基组分的至少一部分浸入酸溶液中以形成蚀刻组分。 酸溶液包括氟化钠，硫酸和水。 然后可以从溶液中除去蚀刻的组分，并与光区域相比目视检查暗区，暗区表示沉积的铝基材料。