公开(公告)号：US20060172907A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11341412

申请日：2006-01-30

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim ,  Kui-Jong Baek ,  Sung-Bae Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sang-Won Lee ,  Woong Han ,  Jung-Hun Lim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim ,  Kui-Jong Baek ,  Sung-Bae Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sang-Won Lee ,  Woong Han ,  Jung-Hun Lim

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： C11D3/042 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047

摘要： According to an example embodiment of the present invention, the microelectronic cleaning agent may include a fluoride component, an acid component, a chelating agent, a surfactant and water. Example embodiments of the present invention provide a microelectronic cleaning agent which can selectively remove, for example, a high-k dielectric layer. The microelectronic cleaning agent includes from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a fluoride component, from about 0.001 weight % to about 30 weight % of an acid component, from about 0.001 weight % to about 20 weight % of a chelating agent, from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a surfactant, and water (H2O). The water may comprise the remainder of the cleaning agent. According to another embodiment of the present invention, a method of fabricating a semiconductor device using the microelectronic cleaning agent is also provided.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方案，微电子清洗剂可以包括氟化物组分，酸组分，螯合剂，表面活性剂和水。 本发明的示例性实施方案提供了可以选择性地除去例如高k电介质层的微电子清洁剂。 微电子清洁剂包括约0.001重量％至约10重量％的氟化物组分，约0.001重量％至约30重量％的酸组分，约0.001重量％至约20重量％的螯合剂， 约0.001重量％至约10重量％的表面活性剂和水（H 2 O 2）。 水可以包括剩余的清洁剂。 根据本发明的另一实施例，还提供了使用微电子清洁剂制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20110256485A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13167587

申请日：2011-06-23

申请人： Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick Park ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Ji-Sun Lee ,  Byeong-Jin Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee ,  Yong-Sung Song

发明人： Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick Park ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Ji-Sun Lee ,  Byeong-Jin Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee ,  Yong-Sung Song

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L33/62

CPC分类号： C09K13/06 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： An etchant composition that allows simplification and optimization of semiconductor manufacturing process is presented, along with a method of patterning a conductive layer using the etchant and a method of manufacturing a flat panel display using the etchant. The etchant includes nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, and an acetate compound in addition to water.

摘要翻译： 提出了允许半导体制造工艺的简化和优化的蚀刻剂组合物，以及使用蚀刻剂图案化导电层的方法和使用蚀刻剂制造平板显示器的方法。 除了水之外，蚀刻剂包括硝酸，磷酸，乙酸和乙酸酯化合物。

公开(公告)号：US07985982B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12391976

申请日：2009-02-24

申请人： Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Ji-Sun Lee ,  Byeong-Jin Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee ,  Yong-Sung Song

发明人： Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Ji-Sun Lee ,  Byeong-Jin Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee ,  Yong-Sung Song

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： C09K13/06 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： An etchant composition that allows simplification and optimization of semiconductor manufacturing process is presented, along with a method of patterning a conductive layer using the etchant and a method of manufacturing a flat panel display using the etchant. The etchant includes nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, and an acetate compound in addition to water.

摘要翻译： 提出了允许半导体制造工艺的简化和优化的蚀刻剂组合物，以及使用蚀刻剂图案化导电层的方法和使用蚀刻剂制造平板显示器的方法。 除了水之外，蚀刻剂包括硝酸，磷酸，乙酸和乙酸酯化合物。

公开(公告)号：US20070087580A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11540604

申请日：2006-10-02

申请人： Dong-Min Kang ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Hahn ,  Chun-Deuk Lee ,  Jung-Hun Lim ,  Young-Nam Kim ,  Hyun-Joon Kim

发明人： Dong-Min Kang ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Hahn ,  Chun-Deuk Lee ,  Jung-Hun Lim ,  Young-Nam Kim ,  Hyun-Joon Kim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/02079

摘要： In one aspect, a composition is provided which is capable of removing an insulation material which includes at least one of a low-k material and a passivation material. The composition of this aspect includes about 5 to about 40 percent by weight of a fluorine compound, about 0.01 to about 20 percent by weight of a first oxidizing agent, about 10 to about 50 percent by weight of a second oxidizing agent, and a remaining water.

摘要翻译： 在一个方面，提供了能够去除包括低k材料和钝化材料中的至少一种的绝缘材料的组合物。 该方面的组成包括约5至约40重量％的氟化合物，约0.01至约20重量％的第一氧化剂，约10至约50重量％的第二氧化剂，以及剩余的 水。

公开(公告)号：US20060287208A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11467736

申请日：2006-08-28

申请人： Kwang-Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee ,  Chang-Lyong Song ,  Yong-Sun Ko ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Han

发明人： Kwang-Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee ,  Chang-Lyong Song ,  Yong-Sun Ko ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Han

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/0084 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106

摘要： A corrosion-inhibiting cleaning composition for semiconductor wafer processing includes hydrogen peroxide at a concentration in a range from about 0.5 wt % to about 5 wt %, sulfuric acid at a concentration in a range from about 1 wt % to about 10 wt %, hydrogen fluoride at a concentration in a range from about 0.01 wt % to about 1 wt %; an azole at a concentration in a range from about 0.1 wt % to about 5 wt % and deionized water. The azole operates to inhibit corrosion of a metal layer being cleaned by chelating with a surface of the metal layer during a cleaning process.

摘要翻译： 用于半导体晶片处理的腐蚀抑制清洁组合物包括浓度在约0.5重量％至约5重量％范围内的浓度在约1重量％至约10重量％范围内的硫酸，氢气 浓度在约0.01重量％至约1重量％范围内的氟化物; 浓度在约0.1重量％至约5重量％范围内的唑类和去离子水。 在清洁过程中，唑类用于通过与金属层的表面螯合来抑制被清洁的金属层的腐蚀。

公开(公告)号：US20060014391A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11176276

申请日：2005-07-08

申请人： Kyung-Jin Lee ,  Seung-Hyun Ahn ,  Baik-Soon Choi ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Hahn

发明人： Kyung-Jin Lee ,  Seung-Hyun Ahn ,  Baik-Soon Choi ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Hahn

IPC分类号： H01L21/465

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106 ,  C23G1/125

摘要： A metal-containing pattern structure is formed on a semiconductor substrate, and a cleaning composition is applied to the semiconductor substrate. The cleaning composition includes, based on a total weight of the cleaning composition, about 78 wt % to about 99.98 wt % of an acidic aqueous solution, about 0.01 wt % to about 11 wt % of a first chelating agent, and about 0.01 wt % to about 11 wt % of a second chelating agent. The metal-containing pattern structure includes an exposed first surface portion and a second surface portion covered with a polymer. Application of the cleaning solution forms a first corrosion-inhibition layer on the first surface portion of the metal-containing pattern structure, and removes the polymer from the second surface portion of the metal-containing pattern structure.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成含有金属的图案结构，并将清洗组合物涂敷在半导体衬底上。 清洁组合物基于清洁组合物的总重量包含约78重量％至约99.98重量％的酸性水溶液，约0.01重量％至约11重量％的第一螯合剂和约0.01重量％ 至约11重量％的第二螯合剂。 含金属的图案结构包括暴露的第一表面部分和被聚合物覆盖的第二表面部分。 清洁溶液的应用在含金属图案结构的第一表面部分上形成第一防腐蚀层，并从含金属图案结构的第二表面部分除去聚合物。

公开(公告)号：US08173546B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US13167587

申请日：2011-06-23

申请人： Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Ji-Sun Lee ,  Byeong-Jin Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee ,  Yong-Sung Song

发明人： Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Ji-Sun Lee ,  Byeong-Jin Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee ,  Yong-Sung Song

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09K13/06 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： An etchant composition that allows simplification and optimization of semiconductor manufacturing process is presented, along with a method of patterning a conductive layer using the etchant and a method of manufacturing a flat panel display using the etchant. The etchant includes nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, and an acetate compound in addition to water.

摘要翻译： 提出了允许半导体制造工艺的简化和优化的蚀刻剂组合物，以及使用蚀刻剂图案化导电层的方法和使用蚀刻剂制造平板显示器的方法。 除了水之外，蚀刻剂包括硝酸，磷酸，乙酸和乙酸酯化合物。

公开(公告)号：US20110045741A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US11912849

申请日：2006-04-28

申请人： Jung-Ryul Ahn ,  Jong-Kwan Park ,  Seok-Ju Kim ,  Eun-Il Jeong ,  Deok-Su Han ,  Hyu-Bum Park ,  Kui-Jong Baek ,  Tae-Kyeong Lee

发明人： Jung-Ryul Ahn ,  Jong-Kwan Park ,  Seok-Ju Kim ,  Eun-Il Jeong ,  Deok-Su Han ,  Hyu-Bum Park ,  Kui-Jong Baek ,  Tae-Kyeong Lee

IPC分类号： C09K13/06 ,  B24B1/00 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： Disclosed is a chemical-mechanical polishing composition used in a process for chemical-mechanical polishing of silicon oxide layer having severe unevenness with large step-height. The composition includes abrasive particles of metal oxide; and at least one compound(s) selected from the group consisting of amino alcohols, hydroxycarboxylic acid having at least 3 of the total number of carboxylic acid group(s) and hydroxyl group(s) or their salts, or a mixture thereof. A polymeric organic acid, a preservative, a lubricant and a surfactant may be further contained. The composition shortens the vapor-deposition time of a layer to be polished, saves the raw material to be vapor-deposited, shortens the chemical-mechanical polishing time, and saves the slurry employed.

摘要翻译： 公开了一种化学机械抛光组合物，其用于具有大步长严重不均匀性的氧化硅层的化学机械抛光方法。 该组合物包括金属氧化物的磨料颗粒; 和至少一种选自氨基醇，具有至少3个羧基基团和羟基或其盐的羟基羧酸或其混合物的化合物。 还可以含有聚合有机酸，防腐剂，润滑剂和表面活性剂。 该组合物缩短了待抛光层的气相沉积时间，节省了原料蒸汽沉积，缩短了化学机械抛光时间，节省了所用浆料。

公开(公告)号：US07851372B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11540604

申请日：2006-10-02

申请人： Dong-Min Kang ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Hahn ,  Chun-Deuk Lee ,  Jung-Hun Lim ,  Young-Nam Kim ,  Hyun-Joon Kim

发明人： Dong-Min Kang ,  Kui-Jong Baek ,  Woong Hahn ,  Chun-Deuk Lee ,  Jung-Hun Lim ,  Young-Nam Kim ,  Hyun-Joon Kim

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/02079

摘要： In one aspect, a composition is provided which is capable of removing an insulation material which includes at least one of a low-k material and a passivation material. The composition of this aspect includes about 5 to about 40 percent by weight of a fluorine compound, about 0.01 to about 20 percent by weight of a first oxidizing agent, about 10 to about 50 percent by weight of a second oxidizing agent, and a remaining water.

摘要翻译： 在一个方面，提供了能够去除包括低k材料和钝化材料中的至少一种的绝缘材料的组合物。 该方面的组成包括约5至约40重量％的氟化合物，约0.01至约20重量％的第一氧化剂，约10至约50重量％的第二氧化剂，以及剩余的 水。

公开(公告)号：US20090298289A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12295521

申请日：2007-03-29

申请人： Eun-Il Jeong ,  Hyu-Bum Park ,  Seok-Ju Kim ,  Deok-Su Han ,  Jung-Ryul Ahn ,  Jong-Kwan Park ,  Kui-Jong Baek

发明人： Eun-Il Jeong ,  Hyu-Bum Park ,  Seok-Ju Kim ,  Deok-Su Han ,  Jung-Ryul Ahn ,  Jong-Kwan Park ,  Kui-Jong Baek

IPC分类号： H01L21/463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

摘要： The present invention relates to a novel slurry composition for copper polishing, comprising zeolite which is a porous crystalline material for CMP of copper film in a semiconductor manufacturing process. The slurry composition according to the present invention comprises zeolite, an oxidant and a polish promoting agent and may further comprise a corrosion inhibitor, a surfactant, an aminoalcohol, an antiseptic and a dispersion agent and pH is in a range of 1 to 7. The zeolite slurry according to the present invention has advantages of absorbing and removing metal cation generated in CMP process by using zeolite and having a low level of scratches as the zeolite has micropores therein and thus its hardness is low. The slurry composition using zeolite of the present invention is usable to both first and second step polishing of copper damascene process and particularly useful as the first step polishing slurry for copper.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于铜抛光的新型浆料组合物，其包含沸石，其是在半导体制造工艺中用于铜膜的CMP的多孔结晶材料。 根据本发明的浆料组合物包含沸石，氧化剂和抛光促进剂，并且还可以包含腐蚀抑制剂，表面活性剂，氨基醇，防腐剂和分散剂，并且pH在1至7的范围内。 根据本发明的沸石浆料具有通过使用沸石吸收和去除在CMP工艺中产生的金属阳离子并具有低水平划痕的优点，因为沸石在其中具有微孔，因此其硬度低。 使用本发明的沸石的浆料组合物可用于铜镶嵌方法的第一和第二阶段抛光，并且特别可用作铜的第一步抛光浆料。