公开(公告)号：US07717060B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11610768

申请日：2006-12-14

申请人： Steven M. Hues ,  Michael L. Lovejoy ,  Varughese Mathew

发明人： Steven M. Hues ,  Michael L. Lovejoy ,  Varughese Mathew

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1617 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  H01L21/76849

摘要： An electroless metal deposition process to make a semiconductor device uses a plating bath solution having a reducing agent. A sample of the bath solution is taken and the pH of the sample is increased. The hydrogen evolved from the sample is measured. The hydrogen evolved is used to determine the concentration of the reducing agent present in the sample. Based on the determined reducing agent concentration, the plating bath solution is modified.

摘要翻译： 制造半导体器件的无电金属沉积工艺使用具有还原剂的镀浴溶液。 取出溶液的样品，并增加样品的pH。 测量从样品放出的氢。 放出的氢被用于测定样品中存在的还原剂的浓度。 基于确定的还原剂浓度，对镀液溶液进行改性。

公开(公告)号：US20090170246A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US11966126

申请日：2007-12-28

申请人： Ritwik Chatterjee ,  Eddic Acosta ,  Varughese Mathew

发明人： Ritwik Chatterjee ,  Eddic Acosta ,  Varughese Mathew

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a first contact pad on a first die, wherein the first contact pad comprises a first metal element, forming a metal over the first contact pad, wherein the metal comprises a second metal element, and the second metal element is different from the first metal element. The method further includes rapidly reflowing a portion of the metal to form a thin intermetallic layer. The method further includes attaching the first contact pad of the first die to a second contact pad of a second die, wherein attaching comprises heating the first contact pad and the second contact pad to reflow the metal to form an intermetallic layer such that substantially all of the metal formed over the first contact pad is used as part of the intermetallic layer.

摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括：在第一裸片上形成第一接触焊盘，其中所述第一接触焊盘包括第一金属元件，在所述第一接触焊盘上形成金属，其中所述金属包括第二金属元件， 金属元素不同于第一金属元素。 该方法还包括快速回流一部分金属以形成薄的金属间层。 该方法还包括将第一管芯的第一接触焊盘连接到第二管芯的第二接触焊盘，其中附接包括加热第一接触焊盘和第二接触焊盘以回流金属以形成金属间层，使得基本上全部 形成在第一接触垫上的金属被用作金属间层的一部分。

公开(公告)号：US20080299759A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US11807745

申请日：2007-05-29

申请人： Ritwik Chatterjee ,  Eddie Acosta ,  Sam S. Garcia ,  Varughese Mathew

发明人： Ritwik Chatterjee ,  Eddie Acosta ,  Sam S. Garcia ,  Varughese Mathew

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76898

摘要： A method for forming a via, comprising (a) providing a structure comprising a mask (210) disposed on a semiconductor substrate (203), wherein the structure has an opening (215) defined therein which extends through the mask and into the substrate, and wherein the mask comprises a first electrically conductive layer; (b) depositing a second electrically conductive layer (219) such that the second conductive layer is in electrical contact with the first conductive layer, the second conductive layer having a first portion which extends over the surfaces of the opening and a second portion which extends over a portion of the mask adjacent to the opening; (c) removing the second portion of the second conductive layer; and (d) depositing a first metal (221) over the first portion of the second conductive layer.

摘要翻译： 一种用于形成通孔的方法，包括（a）提供包括设置在半导体衬底（203）上的掩模（210）的结构，其中所述结构具有限定在其中的开口（215），所述开口延伸穿过所述掩模并进入所述衬底， 并且其中所述掩模包括第一导电层; （b）沉积第二导电层（219），使得所述第二导电层与所述第一导电层电接触，所述第二导电层具有在所述开口的表面上延伸的第一部分，所述第二部分延伸 在面罩的与开口相邻的一部分上方; （c）去除第二导电层的第二部分; 和（d）在第二导电层的第一部分上沉积第一金属（221）。

公开(公告)号：US20080099799A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11552821

申请日：2006-10-25

申请人： Varughese Mathew ,  Eddie Acosta ,  Ritwik Chatterjee ,  Sam S. Garcia

发明人： Varughese Mathew ,  Eddie Acosta ,  Ritwik Chatterjee ,  Sam S. Garcia

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L31/112 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14

摘要： A semiconductor process is taught for performing electroless plating of copper overlying at least a portion of a layer comprising cobalt, nickel, or both cobalt and nickel. The cobalt and/or nickel comprising layer may be formed using electroless plating. For some embodiments, a tin layer is then formed overlying the copper. The tin layer may be formed using immersion plating or electroless plating. A micropad may comprise the cobalt and/or nickel comprising layer and the copper layer. In some embodiments, the micropad may also comprise the tin layer. In one embodiment, the micropad may be compressed at an elevated temperature to form a copper tin intermetallic compound which provides an interconnect between a plurality of semiconductor devices.

摘要翻译： 教导了一种半导体工艺，用于执行铜覆盖至少部分钴，镍或钴和镍两者的层的化学镀。 可以使用无电镀形成包含钴和/或镍的层。 对于一些实施例，然后形成覆盖铜的锡层。 锡层可以使用浸镀或无电镀形成。 微孔可以包括包含钴和/或镍的层和铜层。 在一些实施方案中，微团也可包含锡层。 在一个实施例中，微塔可以在升高的温度下被压缩以形成提供多个半导体器件之间的互连的铜锡金属间化合物。

公开(公告)号：US20070087566A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11610768

申请日：2006-12-14

申请人： Steven Hues ,  Michael Lovejoy ,  Varughese Mathew

发明人： Steven Hues ,  Michael Lovejoy ,  Varughese Mathew

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1617 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  H01L21/76849

摘要： An electroless metal deposition process to make a semiconductor device uses a plating bath solution having a reducing agent. A sample of the bath solution is taken and the pH of the sample is increased. The hydrogen evolved from the sample is measured. The hydrogen evolved is used to determine the concentration of the reducing agent present in the sample. Based on the determined reducing agent concentration, the plating bath solution is modified.

摘要翻译： 制造半导体器件的无电金属沉积工艺使用具有还原剂的电镀液溶液。 取出溶液的样品，并增加样品的pH。 测量从样品放出的氢。 放出的氢被用于测定样品中存在的还原剂的浓度。 基于确定的还原剂浓度，对镀液溶液进行改性。

公开(公告)号：US20060110911A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10994720

申请日：2004-11-22

申请人： Steven Hues ,  Michael Lovejoy ,  Varughese Mathew

发明人： Steven Hues ,  Michael Lovejoy ,  Varughese Mathew

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1617 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  H01L21/76849

摘要： An electroless metal deposition process to make a semiconductor device uses a plating bath solution having a reducing agent. A sample of the bath solution is taken and the pH of the sample is increased. The hydrogen evolved from the sample is measured. The hydrogen evolved is used to determine the concentration of the reducing agent present in the sample. Based on the determined reducing agent concentration, the plating bath solution is modified.

摘要翻译： 制造半导体器件的无电金属沉积工艺使用具有还原剂的镀浴溶液。 取出溶液的样品，并增加样品的pH。 测量从样品放出的氢。 放出的氢被用于测定样品中存在的还原剂的浓度。 基于确定的还原剂浓度，对镀液溶液进行改性。

公开(公告)号：US09012263B1

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：US14069103

申请日：2013-10-31

申请人： Varughese Mathew ,  Burton J. Carpenter ,  Leo M. Higgins, III

发明人： Varughese Mathew ,  Burton J. Carpenter ,  Leo M. Higgins, III

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L31/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85011 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/8548 ,  H01L2224/85484 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method of making a package substrate having a copper bond pad and a location for receiving a semiconductor die having a remnant of one of a group consisting of HEDP and an HEDP derivative on a top surface of the copper bond pad. The semiconductor die is attached to the substrate. A wirebond connection is attached between the remnant and the semiconductor die.

摘要翻译： 一种制造具有铜键合焊盘的封装衬底的方法和用于接收在铜键合焊盘的顶表面上具有由HEDP和HEDP衍生物组成的组中的一种的残留物的半导体管芯的位置。 半导体管芯附着在基板上。 引线接合连接在残余物和半导体管芯之间。

公开(公告)号：US20130319129A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13484353

申请日：2012-05-31

申请人： Varughese Mathew ,  Sheila F. Chopin ,  Leo M. Higgins, III

发明人： Varughese Mathew ,  Sheila F. Chopin ,  Leo M. Higgins, III

IPC分类号： G01N3/08 ,  H01L21/66 ,  H01L21/56

CPC分类号： G01N19/04 ,  G01N3/24 ,  H01L22/12 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00

摘要： A technique for testing the compatibility of an encapsulation material and a wire bond included at an unencapsulated assembly. The technique includes immersing the assembly in an encapsulating compound extract. The assembly includes a semiconductor die and a bonding wire affixed to a metalized pad of the semiconductor die by the wire bond. After the immersing, a mechanical strength of the wire bond is determined.

摘要翻译： 一种用于测试包封在未封装组件中的封装材料和引线键合的相容性的技术。 该技术包括将组件浸入封装化合物提取物中。 组件包括半导体管芯和通过引线接合固定到半导体管芯的金属化焊盘的接合线。 浸渍后，确定线接合的机械强度。

公开(公告)号：US20130193576A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13361171

申请日：2012-01-30

申请人： Varughese Mathew

发明人： Varughese Mathew

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/293 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A packaged electronic device including an electronic device, a conductive structure, and an encapsulant. The encapsulant has chlorides and a negatively-charged corrosion inhibitor for preventing corrosion of the conductive structure.

摘要翻译： 包括电子器件，导电结构和密封剂的封装电子器件。 密封剂具有氯化物和带负电荷的腐蚀抑制剂，用于防止导电结构的腐蚀。

公开(公告)号：US08003517B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US11807777

申请日：2007-05-29

申请人： Varughese Mathew ,  Eddie Acosta ,  Ritwik Chatterjee ,  Sam S. Garcia

发明人： Varughese Mathew ,  Eddie Acosta ,  Ritwik Chatterjee ,  Sam S. Garcia

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76898

摘要： A method for forming an interconnect, comprising (a) providing a substrate (203) with a via (205) defined therein; (b) forming a seed layer (211) such that a first portion of the seed layer extends over a surface of the via, and a second portion of the seed layer extends over a portion of the substrate; (c) removing the second portion of the seed layer; and (d) depositing a metal (215) over the first portion of the seed layer by an electroless process.

摘要翻译： 一种用于形成互连的方法，包括：（a）提供具有在其中限定的通孔（205）的衬底（203）; （b）形成晶种层（211），使种子层的第一部分在通孔的表面上延伸，种子层的第二部分延伸到衬底的一部分上; （c）去除种子层的第二部分; 和（d）通过无电解方法在种子层的第一部分上沉积金属（215）。