公开(公告)号：CN118407109A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410496366.6

申请日：2024-04-24

申请人： 浙江工业大学

发明人： 杭伟 ,  沈蒙蒙 ,  陈泓谕 ,  吕冰海 ,  韦民 ,  吴凌伟

IPC分类号： C25F3/30 ,  C30B33/08 ,  C30B29/36

摘要： 本发明公开了基于电化学‑剪切流变复合效应的碳化硅晶片加工方法，采用电化学反应与剪切流变效应相结合，通过外加电场的作用下，发生电化学反应，碳化硅工件作为阳极，非牛顿流体抛光液作为阴极，碳化硅工件浸入非牛顿流体抛光液中，各组分相互连接形成闭合电解系统，阳极发生氧化反应，工件表面生成氧化膜SiO2，与非牛顿流体抛光液中的CeO2接触发生化学反应，生成CeSiO4，抛光液中的金刚石磨粒与工件表面接触，在金刚石磨粒微切削作用下去除CeSiO4从而实现对碳化硅工件表面的抛光，工件表面由于电化学反应生成氧化膜使得工件表面改性变软，与非牛顿流体抛光液的相对剪切作用实现柔性抛光去除氧化层，不会对工件表面造成亚损伤，且抛光效率高，抛光质量好。

公开(公告)号：CN117921193A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311782503.4

申请日：2023-12-22

申请人： 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司

发明人： 张乐 ,  邵岑 ,  邱凡 ,  王彤 ,  李明洲 ,  陈浩

IPC分类号： B23K26/362 ,  C30B33/08 ,  C30B29/20 ,  B23K26/402 ,  B23K26/60 ,  B23K26/70

摘要： 本发明公开了一种大尺寸蓝宝石单晶隐格刻写方法，包括：蓝宝石板材双面抛光并涂覆导热硅脂；飞秒激光加工板材，每加工20～50mm，对蓝宝石板材进行浸泡；然后进行冲洗；加工完成后，对蓝宝石板材进行浸泡；然后进行冲洗；使用轻硅油对加工出的孔隙进行冲洗，然后将蓝宝石板材放入真空干燥箱进行干燥，然后将透明有机树脂注入加工出的孔隙中，直至孔隙被完全填充；将所得的蓝宝石板材放入透明真空袋中，抽取空气，然后往真空袋补注透明有机树脂至孔隙完全充满；然后将真空袋放入真空固化室中固化，即可得到具备断裂限域功能的蓝宝石材料。本发明避免了蓝宝石单晶加工过程中热应力缺陷的产生，提升蓝宝石单晶作为装甲迎弹面的防护能力和实战应用能力。

公开(公告)号：CN111801804B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201980016365.4

申请日：2019-02-25

申请人： 株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司 ,  TDK株式会社

发明人： 佐佐木公平 ,  藤田实 ,  平林润 ,  有马润

IPC分类号： H01L29/872 ,  C30B29/16 ,  C30B33/08 ,  H01L21/329 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/94

摘要： 提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具备：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有沟槽(12)；阳极电极(13)；阴极电极(14)；绝缘膜(15)；以及沟槽电极(16)，第2半导体层(11)在包含沟槽(12)的内表面的区域具有厚度为0.8μm以下的绝缘性的干式蚀刻损伤层(11a)。

公开(公告)号：CN117468089A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311347155.8

申请日：2023-10-17

申请人： 中环领先半导体材料有限公司

发明人： 孙晨光 ,  陈龙飞 ,  顾长恒 ,  王虎 ,  刘姣龙 ,  袁祥龙 ,  王彦君 ,  郝小辉 ,  武卫

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B33/08 ,  C30B33/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/263

摘要： 本申请公开了一种硅片、处理方法和硅片的制备方法。本申请的硅片具有硅衬底，硅衬底表面具有粗糙层，粗糙层的表面粗糙度Ra≥0.7μm。本申请的硅片通过以下方法制备：在硅衬底的至少一面形成粗糙层。本申请制备的硅片经过表面处理，显著增大硅片表面粗糙度，经过表面处理的硅片可在DDG工序使用，避免打滑现象。

公开(公告)号：CN117448957A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311495468.8

申请日：2023-11-10

申请人： 郑州大学

发明人： 单崇新 ,  林超男 ,  张镇峰 ,  赵文博 ,  焦富行

IPC分类号： C30B29/04 ,  C30B33/08 ,  C30B25/02 ,  C23C16/50

摘要： 一种金刚石中Si‑V色心的制备方法，通过将处理好的单晶金刚石籽晶放置在同心圆硅片的中心部位，这样在生长过程中Ｈ等离子体会刻蚀含Si的固体并将Si原子释放到等离子体气氛中，从而将Si原子掺入到金刚石薄膜中获得Si‑V色心。另外在同心圆硅片上有多晶金刚石的生成，也含有Si‑V色心；通过这种方法首先实现了含有Si‑V色心的单晶金刚石和多晶金刚石的同时生长，其次通过改变生长气氛中甲烷的浓度，可对单晶金刚石中的Si‑V色心的浓度进行有效的调控，这是因为甲烷浓度的增加导致了更高的生长速率，这可以增强硅向金刚石晶格的扩散，也会增加缺陷的浓度，使得Si和空穴的结合更多。

公开(公告)号：CN108704827B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201810340100.7

申请日：2018-04-16

申请人： 天津大学

发明人： 张慧 ,  李志 ,  郑冠儒 ,  刘玉振 ,  于露

IPC分类号： B06B1/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  C23C14/16

摘要： 一种空气耦合的电容式微加工超声换能器、制备方法及用途，包括：换能器阵列中包括16个阵元，每个阵元由多个敏感单元组成，其中单个敏感元件的结构由上到下依次由：上电极1、振膜2、空腔3、以及基底5组成，基底作为下电极使用。所设计的换能器工作频率为100kHz‑2MHz。换能器阵列基于SOI键合工艺制作，振动薄膜材料是单晶硅，上电极为金或铝，绝缘层4为二氧化硅或氮化硅，通过刻蚀低阻硅基底形成沟槽来分隔换能器的阵元，从而构成多阵元的阵列。空耦式超声换能器以空气耦合的方式激发金属板或复合材料板中的超声波，用于板内部缺陷的无损检测。换能器与相控阵系统配合，对各阵元的脉冲驱动信号进行延时控制，实现声束的相控偏转、聚焦等调整，增大检测自由度。

公开(公告)号：CN112074928A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980030451.0

申请日：2019-03-15

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 宫濑贵也 ,  堀勉

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 一种碳化硅外延衬底包括碳化硅衬底、碳化硅外延膜和复合缺陷。复合缺陷包括扩展缺陷和基面位错。扩展缺陷包括从位于碳化硅衬底与碳化硅外延膜之间的边界处的起点起在 方向上延伸的第一区域和沿着 方向延伸的第二区域。第一区域在 方向上具有从起点起朝向第二区域增加的宽度。基面位错包括连续到起点并沿着 方向延伸的第三区域和沿着与 方向相交的方向延伸的第四区域。当主表面的面积是第一面积并且外接于复合缺陷的四边形的面积是第二面积时，通过将第二面积除以第一面积而获得的值不大于0.001。

公开(公告)号：CN112011778A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010871145.4

申请日：2020-08-26

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 史全宇

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C30B33/08 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本申请实施例提供一种半导体工艺设备中的卡盘组件和半导体工艺设备，包括基座、卡盘及电连接结构，卡盘设置于基座上，卡盘包括卡盘主体和设置在卡盘主体中的电加热件，电加热件具有接电端，接电端设置于卡盘主体与基座接触的面上，电连接结构与基座密封连接，基座上开置有贯穿孔，电连接结构穿过贯穿孔与电加热件的接电端可移动地电连接，从而使电连接件能够在卡盘由于受热膨胀等原因发生位移时，始终保持与电加热件电连接的状态，解决了卡盘由于受热膨胀发生位移导致电连接不稳定的问题。

公开(公告)号：CN108365022A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810090750.0

申请日：2018-01-30

申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司

发明人： 陈丽萍

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C30B33/08

摘要： 本发明涉及一种选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成纳米绒面，背面为抛光面；（2）在硅片的正面扩散形成N型层，去除正面磷硅玻璃和背面pn结；（3）在硅片正面沉积氮化硅减反射膜层，在背面沉积钝化介质层；（4）在硅片背面打点或者打线，印刷银电极和铝浆；（5）低温烧结形成局部铝背场；（6）在硅片正面喷涂磷酸和酒精的混合溶液，使用激光形成重掺杂后的主栅线和副栅线区域；（7）硅片正面浸入电镀溶液，硅片正面在光照条件下进行电镀，电镀后进行退火。本发明克服了丝网印刷难以形成高质量精细栅线及无法保证栅线与选择性发射极精确对准的缺陷，将电极引起的遮蔽和漏电流最小化。

公开(公告)号：CN108004564A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711222130.X

申请日：2017-11-29

申请人： 中国矿业大学

发明人： 强颖怀 ,  贾晨晨 ,  顾修全 ,  赵宇龙

IPC分类号： C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C30B31/04 ,  C30B31/06 ,  C30B33/08

CPC分类号： Y02E60/366 ,  Y02E70/10 ,  Y02P20/134 ,  C25B11/04 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B31/04 ,  C30B31/06 ,  C30B33/08

摘要： 一种基于黑硅PN结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法，属于半导体光电极制备方法及光解水反应装置。(1)在将普通的P型单晶或多晶硅片表面微纳米化形成黑硅后，经过低温低浓度源扩散工艺，将所得的黑硅片置于扩散炉中750-800℃预热并通入流量为0.1-0.2L/min(升每分钟)的O2，预先将黑硅片表面轻微氧化；然后通入流量为0.9～1.5L/min的POCl3，在800～870℃下扩散30～80min后形成均匀的黑硅PN结；最后用氢氟酸将PN结黑硅表面的磷硅玻璃层去除。优点：利用太阳能作为驱动，只需少量外力驱动，原理简单、易组装、成本低；将硅片反射率降低至2％～15％，从而提升了对光的利用；通过扩散工艺制备均匀的PN结，进一步提升该装置的光解水效率。