发明公开
- 专利标题： 硅片、处理方法和硅片的制备方法
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申请号： CN202311347155.8申请日： 2023-10-17
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公开(公告)号： CN117468089A公开(公告)日： 2024-01-30
- 发明人: 孙晨光 , 陈龙飞 , 顾长恒 , 王虎 , 刘姣龙 , 袁祥龙 , 王彦君 , 郝小辉 , 武卫
- 申请人： 中环领先半导体材料有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
- 专利权人： 中环领先半导体材料有限公司
- 当前专利权人： 中环领先半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 214203 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
- 代理机构： 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- 代理商 陈风平
- 主分类号： C30B29/06
- IPC分类号： C30B29/06 ; C30B33/08 ; C30B33/04 ; H01L21/306 ; H01L21/263
摘要：
本申请公开了一种硅片、处理方法和硅片的制备方法。本申请的硅片具有硅衬底，硅衬底表面具有粗糙层，粗糙层的表面粗糙度Ra≥0.7μm。本申请的硅片通过以下方法制备：在硅衬底的至少一面形成粗糙层。本申请制备的硅片经过表面处理，显著增大硅片表面粗糙度，经过表面处理的硅片可在DDG工序使用，避免打滑现象。
公开/授权文献
- CN117468089B 硅片、处理方法和硅片的制备方法 公开/授权日：2024-09-13
IPC分类:
