公开(公告)号：CN117468089A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311347155.8

申请日：2023-10-17

申请人： 中环领先半导体材料有限公司

发明人： 孙晨光 ,  陈龙飞 ,  顾长恒 ,  王虎 ,  刘姣龙 ,  袁祥龙 ,  王彦君 ,  郝小辉 ,  武卫

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B33/08 ,  C30B33/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/263

摘要： 本申请公开了一种硅片、处理方法和硅片的制备方法。本申请的硅片具有硅衬底，硅衬底表面具有粗糙层，粗糙层的表面粗糙度Ra≥0.7μm。本申请的硅片通过以下方法制备：在硅衬底的至少一面形成粗糙层。本申请制备的硅片经过表面处理，显著增大硅片表面粗糙度，经过表面处理的硅片可在DDG工序使用，避免打滑现象。

公开(公告)号：CN117161836A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311200013.9

申请日：2023-09-18

申请人： 中环领先半导体材料有限公司

发明人： 雍琪浩 ,  刘建伟 ,  袁祥龙 ,  刘姣龙 ,  刘洋 ,  庞陞强 ,  李晓宝 ,  吴超平 ,  徐发生 ,  王俊伟 ,  蒋文斌 ,  陈龙飞 ,  王彦君 ,  孙晨光

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02

摘要： 本发明改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，包括：1)改善压力变化曲线，将加压模式调整为缓压，使压力上升时间延长，减少硅片压力骤增带来的硅片应力损伤；2)改变粗研的压力，加大研磨去除量，并压实硅片；减少研磨用时，同步改善硅片在游星片中的晃动；3)增大加工初段时的流量，结合轻压轻转速，使研磨砂在初始阶段更好的铺满在硅片表面，避免硅片初始阶段大盘对硅片硬接触所造成硅片表面应力过大。

公开(公告)号：CN117182665A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311204631.0

申请日：2023-09-18

申请人： 中环领先半导体材料有限公司

发明人： 雍琪浩 ,  袁祥龙 ,  刘姣龙 ,  刘洋 ,  庞陞强 ,  吴超平 ,  陈龙飞 ,  王俊伟 ,  李晓宝 ,  徐发生 ,  王彦君 ,  孙晨光 ,  郝小辉

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34

摘要： 本发明改善半导体晶圆NT几何参数的磨片工艺，通过在硅片不同阶段的损伤层以及硅片在研磨盘中运行状态，调整研磨液流量和压力变化曲线，将加压模式调整为缓压，使压力上升时间延长，减少硅片压力骤增带来的硅片应力损伤；研磨初期，加大研磨压力，进一步加大研磨去除量，并压实硅片，使研磨砂在初始阶段更好的铺满在硅片表面，减少硅片初始阶段大盘对硅片硬接触所造成硅片表面应力过大的问题；研磨中期，减少研磨流量大小，使研磨砂更稳定的在大盘间流动，研磨砂对硅片的作用力更均匀。

公开(公告)号：CN220324422U

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202321883416.3

申请日：2023-07-18

申请人： 中环领先半导体材料有限公司

发明人： 李晓宝 ,  刘建伟 ,  袁祥龙 ,  刘姣龙 ,  雍琪浩 ,  吴超平 ,  陈龙飞 ,  蒋文斌 ,  刘洋 ,  庞陞强 ,  徐发生 ,  王俊伟 ,  郭红慧 ,  武卫 ,  王彦君 ,  孙晨光

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本实用新型整体式自动脱胶结构装置，包括料座抓持部、设置于料座抓持部下方的加热箱；加热箱用于容纳加热介质，内部加热介质加热至底座和晶圆片脱胶温度，形成适应升温式脱胶仓；加热箱内设置有脱胶分离区，脱胶分离区包括与晶圆片的边缘对应设置的柔性阻挡件，料座抓持部抓持料座上升，柔性阻挡件对应阻挡晶圆片，于对应的脱胶温度下，形成料座和晶圆片快速分离的整体式自动脱胶结构。