-
公开(公告)号：CN114535213A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210053728.5
申请日：2022-01-18
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种大尺寸包装片盒清洗后的保护方法，其保护方法包括以下步骤：S1、首先将待清洗片盒经过高温清洗、高温烘干清洗后，对清洁后的片盒内环境进行初步颗粒环境稳定和片盒降温，对清洁后片盒在设备内冷却一定时间，根据实际需求进行选择，员工需要更换新的手套，防止人员的二次沾污，取出设备上的清洁后的片盒。S2、然后进行开盖模式：将清洗后的主体片盒放置在专用片盒架上，合盒盖虚掩盖在片盒主体上，保持未封闭状态，专用片盒架需要配置包括专门的离子棒辐射范围内，用于消除片盒的静电，使清洗后片盒的颗粒效果和金属离子效果维持良好的效果，防止放置不当造成的二次沾污，使得对片盒的保护措施更加完善。
-
公开(公告)号：CN116403962A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310398096.0
申请日：2023-04-14
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明公开了一种大直径晶圆专用理片器，包括支撑立板，所述支撑立板相对的一侧表面皆设置有支撑侧板，所述支撑侧板内侧的两端皆设置有横柱，所述支撑侧板之间形成有V槽，所述V槽靠近底部的位置处通过转轴转动设置有晶圆旋转主轴，所述晶圆旋转主轴的一侧设置有V槽限位轴，所述V槽的顶部设置有片篮。该一种大直径晶圆专用理片器，在进行晶圆放置整理使用的过程中，通过利用硅片V槽限位轴将晶圆V位置定位在同一轴线上,达到同一篮硅片V槽方向保持一致的理片目的，通过使用大直径晶圆专用理片器，可以高效整理硅片的方位，为观察硅片的整体特征提供了便捷的工具，对实际生产以及硅片研究有着重要的意义。
-
公开(公告)号：CN114602921A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210318213.3
申请日：2022-03-29
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种便捷式片盒清洗机片盒专用架，包括固定架主体框架，所述固定架主体框架的内侧设置有片盒主体放置区，所述片盒主体放置区的顶部两侧皆设置有片盒主体放置轨道，所述片盒主体放置区的下方设置有片盒盒盖放置区，所述片盒盒盖放置区的顶部两侧皆设置有片盒盒盖倾斜轨道，所述片盒盒盖放置区的一侧设置有片盒盒盖阻挡结构。该一种便捷式片盒清洗机片盒专用架通过纵向排布设置在固定架主体框架内侧的片盒主体放置区和片盒盒盖放置区，可以进行将片盒多层放置，同时固定架主体框架表面为镂空结构，便于进行纯水的清洗和甩干烘干过程的操作，能够有效的减小专用架的整体尺寸和占地面积，有利于空间的合理利用化。
-
公开(公告)号：CN114602886A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210355340.0
申请日：2022-04-06
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
发明人： 雍琪浩
摘要： 本发明公开了一种磨片后简易超声清洗设备，包括柜体，所述柜体的内部横向排布设置有清洗槽，所述清洗槽的底部皆设置有超声波振板，所述超声波振板的一侧皆设置有加热管，所述柜体的底部一固定安装有放置框。该一种磨片后简易超声清洗设备，通过利用超声波的高能量,使物质分子产生显著的声压作用,使得液体分子排列易发生断裂，液体分子断裂后,其内出现许多泡状的小空腔,这些空腔在极短的时间内闭合,同时产生巨大的瞬时压力，可使浮悬在液体中的固体表面受到急剧的破坏作用,而磨片的砂浆的颗粒粒径在8.6μm左右，根据此原理，将磨片后硅片通过超声的方式将硅片表面大颗粒砂浆清洗干净，减少磨片后清洗压力，提高硅片表面洁净度。
-
公开(公告)号：CN116374388A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310391856.5
申请日：2023-04-13
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： B65D25/10 , B65D81/05 , B65D55/02 , B65D85/48 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了大直径晶圆收纳盒，包括盒体，所述盒体的顶部活动卡合设置有盒盖，所述盒体和盒盖的内侧皆设置有放置腔，所述盒体内侧的放置腔内壁环绕活动设置有载片圈，所述载片圈的顶部活动放置有晶圆，所述盒体和盒盖的内侧靠近四个边角处皆设置有锁紧座，所述盒体内侧的锁紧座顶部表面皆设置有锁紧块，且盒盖内侧的锁紧座表面皆设置有锁紧孔。该大直径晶圆收纳盒，在进行晶圆收纳放置使用过程中，通过将载片圈放入收纳盒内腔，能够保证晶圆无挤压等现象，并且盒体内部收纳结构为非连续，可有效保证收纳晶圆的同时具有一定的张力缓解作用，避免转运过程出现应力集中，进一步保证收纳的晶圆不受磕碰导致损坏，大大提升了晶圆储存的安全性。
-
公开(公告)号：CN114453365B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210054402.4
申请日：2022-01-18
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺，其清洗工艺包括以下步骤：S1、首先进行温水预清洗，片盒通过一定温度的温水喷淋达到祛除片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，在进行低温纯水清洗，片盒通过一定温度低温水喷淋达到二次清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，S2、然后进行低温最终清洗。本发明可以主要配合一种便捷式大直径片盒清洗机而设定的一种新型工艺，进行更有效的去除硅片片盒表面的颗粒杂质和金属离子，提高硅片表面洁净度，防止硅片的二次污染。
-
公开(公告)号：CN114749406A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210338411.6
申请日：2022-04-01
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种便捷式大直径硅片片盒清洗设备，包括底座，所述底座的顶部设置有清洗箱，所述底座的内部固定安装有电机，所述电机的输出端贯穿清洗箱安装有中心轴，所述中心轴的外侧表面固定安装有片盒架，所述片盒架上方的清洗箱内部环绕设置有喷淋口，所述喷淋口上方的清洗箱内壁环绕设置有烘干管，所述清洗箱的一侧表面设置有加热管，所述加热管的下方设置有温控器，所述清洗箱的一侧表面贯穿设置有溢流管。该一种便捷式大直径硅片片盒清洗设备，首先通过设置的密闭空间，使得硅片清洗过程中不与外界进行接触，同时经过3次纯水喷淋，以及通过加12次旋转高温配合低温交替烘干，大大提高了片盒的整体清洁度。
-
公开(公告)号：CN117161836A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311200013.9
申请日：2023-09-18
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，包括：1)改善压力变化曲线，将加压模式调整为缓压，使压力上升时间延长，减少硅片压力骤增带来的硅片应力损伤；2)改变粗研的压力，加大研磨去除量，并压实硅片；减少研磨用时，同步改善硅片在游星片中的晃动；3)增大加工初段时的流量，结合轻压轻转速，使研磨砂在初始阶段更好的铺满在硅片表面，避免硅片初始阶段大盘对硅片硬接触所造成硅片表面应力过大。
-
公开(公告)号：CN114918205A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210490473.9
申请日：2022-05-07
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
IPC分类号： B08B9/20
摘要： 本发明公开了一种便捷式片盒清洗机片篮专用架，包括固定架主体框架，所述固定架主体框架的内侧纵向排布设置有片篮主体支撑结构，所述片篮主体支撑结构的上方设置有片篮主体放置区，所述片篮主体放置区的一侧固定架主体框架上设置有片篮主体阻挡结构，所述片篮主体阻挡结构的两端皆设置有调节块，所述调节块的一侧贯穿活动安装有调节杆，所述调节杆的内端通过轴承转动安装有紧固环。该一种便捷式片盒清洗机片篮专用架，通过纵向排布设置在固定架主体框架内侧的片篮主体支撑结构，使得主体结构可分为上中下，一个专用架可同时洗三个片篮，相对片盒的清洗产能提高，同时专用架整体尺寸更小，占地面积更小，有利于空间的合理利用化。
-
公开(公告)号：CN117182665A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311204631.0
申请日：2023-09-18
申请人： 中环领先半导体材料有限公司
摘要： 本发明改善半导体晶圆NT几何参数的磨片工艺，通过在硅片不同阶段的损伤层以及硅片在研磨盘中运行状态，调整研磨液流量和压力变化曲线，将加压模式调整为缓压，使压力上升时间延长，减少硅片压力骤增带来的硅片应力损伤；研磨初期，加大研磨压力，进一步加大研磨去除量，并压实硅片，使研磨砂在初始阶段更好的铺满在硅片表面，减少硅片初始阶段大盘对硅片硬接触所造成硅片表面应力过大的问题；研磨中期，减少研磨流量大小，使研磨砂更稳定的在大盘间流动，研磨砂对硅片的作用力更均匀。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.033 秒)
