一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN111298809A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010095688.1

    申请日:2020-02-17

    Abstract: 一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法,属于半导体光电催化材料的制备方法。制备方法,首先制备ZnIn2S4纳米片阵列,ZnIn2S4纳米片阵列垂直生长在衬底上;然后通过等离子体清洗在其表面产生大量的S空位,调节等离子清洗功率来实现引入不同量的S空位。引入的S空位在ZnIn2S4导带下侧形成一个局域能级,降低带隙宽度,提高ZnIn2S4纳米阵列电极片的吸光性能。S空位也可作为光生电子陷阱,提高光生电荷的寿命,进而提高其光催化性能。优点:富含S空位的ZnIn2S4纳米片阵列具有比表面积大、光吸收性能好,制备条件宽松,无毒,材料应用过程中易于回收,能够循环利用。

    一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110508291A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910823580.7

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法,属于光电化学催化材料制备与改性的方法。制备方法:基于ZnIn2S4纳米阵列电极在其表面光沉积纳米Au颗粒,提高ZnIn2S4的光催化固氮性能;首先采用水热法在FTO导电玻璃上生长一层ZnIn2S4纳米片阵列,通过光沉积的方法在其表面沉积Au颗粒制得Au-ZnIn2S4电极;Au-ZnIn2S4电极片固定放进甲醇水溶液中,持续通入高纯氮气,在氙灯光照下将N2转化为NH3,进而转化为NH4+;取反应溶液与纳氏试剂混合显色,确定反应溶液中NH4+浓度,进而确定材料光催化固氮性能。优点:制备简单,制备条件宽松,无毒,材料应用过程中易于回收,能够循环利用;以ZnIn2S4禁带宽度较窄,能吸收更大范围的可见光,Au在可见光范围能也有很强的吸收,提高了材料对可见光的综合利用率。

    一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN108409157A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810226667.1

    申请日:2018-03-19

    Inventor: 仇亮 顾修全

    Abstract: 一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法,属于可见光响应的光电极材料的制备方法。配制水热反应前驱体溶液,往水中依次加入可溶性的二价锌盐、三价铟盐、硫脲以及适量的盐酸,充分搅拌均匀至澄清溶液状态,无任何沉淀不溶物存在;再将前驱体溶液及衬底转移至水热反应釜中,保持导电面朝下放置,升温至200~250℃,使其反应2~6h;反应釜自然冷却后,取出反应产物,洗涤、干燥。制备出的ZnIn2S4纳米薄片阵列具有比表面积大、可见光响应、单晶有序结构、附着力强、耐腐蚀等优点,能够生长在各种类型的衬底上,应用于光电催化分解水制氢、污水处理、生物传感、太阳能电池等领域;方法简单、无毒,且易于操作、制备工艺参数窗口宽,制备成本低,适合工业化生产。

    一种基于Ag3PO4薄膜的可见光吸收层的制备方法

    公开(公告)号:CN104437569A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410657651.8

    申请日:2014-11-18

    Abstract: 一种基于Ag3PO4薄膜的可见光吸收层的制备方法,属于光催化、光电材料的制备方法。使用“共沉淀—旋涂—干燥—烧结”四步工艺制备而成,步骤:1)采用共沉淀法获得Ag3PO4纳米级超细粉体,粉体的尺度在20~500nm范围;2)将Ag3PO4粉末超声分散于透明有机溶剂中,再将获得的溶胶状分散液旋涂于基底上,得到预制的Ag3PO4膜层;3)将预制的Ag3PO4膜层置于20-80℃的烘箱中干燥,然后载将其放置于马弗炉内烧结以除去有机物残留。该Ag3PO4可见光吸收层的厚度在0.2~10μm范围,不仅有着良好的可见光响应特性和附着力,而且作为光催化剂易于回收,能够用于光电化学电池的光阳极。在光降解污染物、光解水以及光电转换等领域有着较大的应用潜力。优点:方法简单、无毒,且易于操作,成本低。

    一种磷酸银薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104190451A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410371554.2

    申请日:2014-07-30

    Abstract: 一种磷酸银薄膜的制备方法,属于半导体光催化与光电化学材料的制备方法。步骤:1)用酒精、丙酮试剂依次超声清洗玻璃或硅片基底;2)用溅射、热蒸发方法在基底上沉积一层Ag膜;3)在Ag膜层上滴满硝酸银AgNO3,旋涂、干燥;再滴上磷酸氢二钠Na2HPO4水溶液,旋涂、干燥;4)再将其置于马弗炉中,升温至300~550℃,保温烧结0.5~3h,得到磷酸银Ag3PO4薄膜。所述的硝酸银AgNO3水溶液的质量百分比浓度为0.017%-0.34%;所述的磷酸氢二钠Na2HPO4水溶液的质量百分比浓度为0.014%-0.28%;所述磷酸银Ag3PO4薄膜为结构,厚度为0.3~10μm。优点:1.本发明方法简单、无毒,且易于操作。2.本发明方法不需要使用惰性气氛保护,成本低,适合进行工业化生产。3.得到的膜层附着力较好,且膜层的厚度易于控制。

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