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公开(公告)号：CN112337485A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011261311.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种四硫化二钴合镍‑四硫化二铟合锌复合物、制备方法与应用，所述复合物中NiCo2S4为空心蛋黄‑蛋壳球体，ZnIn2S4原位生长于空心蛋黄‑蛋壳球体外表面，所述制备方法，包括以下步骤：首先制备NiCo‑MOF，以NiCo‑MOF衍生化得到的空心蛋黄‑蛋壳NiCo2S4球体作为载体，通过低温油浴法在空心蛋黄‑蛋壳球体的外表面进行ZnIn2S4纳米片的原位生长，形成蛋黄‑蛋壳结构NiCo2S4@ZnIn2S4复合物，采用水热法和低温油浴法两步制备了蛋黄‑蛋壳结构NiCo2S4@ZnIn2S4复合物，具有化学性质稳定，形貌均匀，催化效率高等优点，可用于太阳能转化利用和光催化产氢。
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公开(公告)号：CN118756225A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410932667.9
申请日：2024-07-12
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C25B11/093 , C25B11/065 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及电催化剂技术领域，具体涉及碳材料负载钼镉双金属共掺氧化钌电催化剂及其制备方法和应用，本发明以碳材料为载体，并将钼镉双金属掺杂氧化钌催化剂负载于碳材料上，钼镉双金属掺杂氧化钌后，克服了钌在高电位下的过度氧化，也避免了Ru基催化剂的结构塌陷问题，有效提高了碳材料负载钼镉双金属共掺氧化钌电催化剂的稳定性，并能够作为电解水阳极催化剂被进行应用。
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公开(公告)号：CN112337485B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011261311.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种四硫化二钴合镍‑四硫化二铟合锌复合物、制备方法与应用，所述复合物中NiCo2S4为空心蛋黄‑蛋壳球体，ZnIn2S4原位生长于空心蛋黄‑蛋壳球体外表面，所述制备方法，包括以下步骤：首先制备NiCo‑MOF，以NiCo‑MOF衍生化得到的空心蛋黄‑蛋壳NiCo2S4球体作为载体，通过低温油浴法在空心蛋黄‑蛋壳球体的外表面进行ZnIn2S4纳米片的原位生长，形成蛋黄‑蛋壳结构NiCo2S4@ZnIn2S4复合物，采用水热法和低温油浴法两步制备了蛋黄‑蛋壳结构NiCo2S4@ZnIn2S4复合物，具有化学性质稳定，形貌均匀，催化效率高等优点，可用于太阳能转化利用和光催化产氢。
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公开(公告)号：CN117399038A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311342518.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明属于光催化材料及其制备技术领域，公开了亚纳米级团簇修饰的硫化铟锌光催化剂及其制备和应用；所述制备方法为：将钴盐溶液分散于磷酸盐缓冲液混匀，形成负载液；随后，将硫化铟锌均匀分散于所述负载液中，在光照下进行搅拌处理，以在硫化铟锌表面形成磷酸氢钴，获得前驱体；将所述前驱体与次磷酸钠混匀后，于惰性气氛下进行烧结处理，将磷酸氢钴转变为磷化钴的同时在硫化铟锌中掺入磷，形成磷化钴修饰的硫化铟锌光催化剂，即获得亚纳米级团簇修饰的硫化铟锌光催化剂。本发明通过在ZnIn2S4表面负载超小尺寸CoP亚纳米级团簇，更能够降低助催化剂的光屏蔽效应，进而大幅提高光生电子的分离与转移效率。
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公开(公告)号：CN115007174A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210650805.5
申请日：2022-06-09
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可见光催化活性的二维超薄CdIn2S4纳米片的制备方法，解决当前光催化领域中光催化材料光吸收性能差，电荷分离效率低，载流子复合率高，光催化性能不高的问题，二维超薄CdIn2S4纳米片独特的结构和优良的光催化活性，具有更多暴露的活性面，更高的导带和通过飞秒时间分辨瞬态吸收测量获得更长的平均电子衰变寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114808024A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210650623.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/27
Abstract: 本发明公开了一种本Si/MoS2光电催化固氮电极材料的制备方法，对Si片进行刻蚀和煅烧，得到Si纳米线阵列，在Si纳米线阵列上包裹MoS2，来提高其固氮效率和稳定性，并且固氮过程中无需添加有机物作为牺牲剂；Si具有成本低、储量高、带隙窄、导带位置合适的特点，有良好的光电固氮性能；以MoS2作为Si纳米线的保护层和电子收集层，能有效提高Si的稳定性和固氮活性。
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公开(公告)号：CN110508291B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910823580.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种Au‑ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法，属于光电化学催化材料制备与改性的方法。制备方法：基于ZnIn2S4纳米阵列电极在其表面光沉积纳米Au颗粒，提高ZnIn2S4的光催化固氮性能；首先采用水热法在FTO导电玻璃上生长一层ZnIn2S4纳米片阵列，通过光沉积的方法在其表面沉积Au颗粒制得Au‑ZnIn2S4电极；Au‑ZnIn2S4电极片固定放进甲醇水溶液中，持续通入高纯氮气，在氙灯光照下将N2转化为NH3，进而转化为NH4+；取反应溶液与纳氏试剂混合显色，确定反应溶液中NH4+浓度，进而确定材料光催化固氮性能。优点：制备简单，制备条件宽松，无毒，材料应用过程中易于回收，能够循环利用；以ZnIn2S4禁带宽度较窄，能吸收更大范围的可见光，Au在可见光范围能也有很强的吸收，提高了材料对可见光的综合利用率。
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公开(公告)号：CN114808024B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210650623.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/27
Abstract: 本发明公开了一种本Si/MoS2光电催化固氮电极材料的制备方法，对Si片进行刻蚀和煅烧，得到Si纳米线阵列，在Si纳米线阵列上包裹MoS2，来提高其固氮效率和稳定性，并且固氮过程中无需添加有机物作为牺牲剂；Si具有成本低、储量高、带隙窄、导带位置合适的特点，有良好的光电固氮性能；以MoS2作为Si纳米线的保护层和电子收集层，能有效提高Si的稳定性和固氮活性。
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公开(公告)号：CN111298809A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010095688.1
申请日：2020-02-17
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法，属于半导体光电催化材料的制备方法。制备方法，首先制备ZnIn2S4纳米片阵列，ZnIn2S4纳米片阵列垂直生长在衬底上；然后通过等离子体清洗在其表面产生大量的S空位，调节等离子清洗功率来实现引入不同量的S空位。引入的S空位在ZnIn2S4导带下侧形成一个局域能级，降低带隙宽度，提高ZnIn2S4纳米阵列电极片的吸光性能。S空位也可作为光生电子陷阱，提高光生电荷的寿命，进而提高其光催化性能。优点：富含S空位的ZnIn2S4纳米片阵列具有比表面积大、光吸收性能好，制备条件宽松，无毒，材料应用过程中易于回收，能够循环利用。
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公开(公告)号：CN110508291A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910823580.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法，属于光电化学催化材料制备与改性的方法。制备方法：基于ZnIn2S4纳米阵列电极在其表面光沉积纳米Au颗粒，提高ZnIn2S4的光催化固氮性能；首先采用水热法在FTO导电玻璃上生长一层ZnIn2S4纳米片阵列，通过光沉积的方法在其表面沉积Au颗粒制得Au-ZnIn2S4电极；Au-ZnIn2S4电极片固定放进甲醇水溶液中，持续通入高纯氮气，在氙灯光照下将N2转化为NH3，进而转化为NH4+；取反应溶液与纳氏试剂混合显色，确定反应溶液中NH4+浓度，进而确定材料光催化固氮性能。优点：制备简单，制备条件宽松，无毒，材料应用过程中易于回收，能够循环利用；以ZnIn2S4禁带宽度较窄，能吸收更大范围的可见光，Au在可见光范围能也有很强的吸收，提高了材料对可见光的综合利用率。
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