公开(公告)号：CN108004564A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711222130.X

申请日：2017-11-29

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 强颖怀 ,  贾晨晨 ,  顾修全 ,  赵宇龙

IPC: C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C30B31/04 ,  C30B31/06 ,  C30B33/08

CPC classification number: Y02E60/366 ,  Y02E70/10 ,  Y02P20/134 ,  C25B11/04 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B31/04 ,  C30B31/06 ,  C30B33/08

Abstract: 一种基于黑硅PN结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法，属于半导体光电极制备方法及光解水反应装置。(1)在将普通的P型单晶或多晶硅片表面微纳米化形成黑硅后，经过低温低浓度源扩散工艺，将所得的黑硅片置于扩散炉中750-800℃预热并通入流量为0.1-0.2L/min(升每分钟)的O2，预先将黑硅片表面轻微氧化；然后通入流量为0.9～1.5L/min的POCl3，在800～870℃下扩散30～80min后形成均匀的黑硅PN结；最后用氢氟酸将PN结黑硅表面的磷硅玻璃层去除。优点：利用太阳能作为驱动，只需少量外力驱动，原理简单、易组装、成本低；将硅片反射率降低至2％～15％，从而提升了对光的利用；通过扩散工艺制备均匀的PN结，进一步提升该装置的光解水效率。