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公开(公告)号:CN109290942A
公开(公告)日:2019-02-01
申请号:CN201810814032.3
申请日:2018-07-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B49/05 , B24B37/107 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明公开了基板研磨装置及基板研磨方法,基板研磨装置具备:顶环,所述顶环用于通过将基板向研磨垫按压而进行基板研磨;光谱生成部,所述光谱生成部对基板的被研磨面进行光照射并接收其反射光,并算出该反射光的与波长对应的反射率光谱;及存储部,所述存储部存储用于基于反射率光谱而推定被研磨面的膜厚的多个膜厚推定算法。从存储于存储部的膜厚推定算法之中设定多个膜厚推定算法及其切换条件,通过所设定的膜厚推定算法来推定被研磨面的膜厚,并且在满足了切换条件的情况下,切换应适用的膜厚推定算法。
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公开(公告)号:CN102985222A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201280000599.8
申请日:2012-06-22
Applicant: 日本精工株式会社
CPC classification number: B24B51/00 , B23Q15/04 , B24B5/37 , B24B5/40 , B24B19/06 , B24B49/02 , B24B49/03 , B24B49/05 , G05B19/404 , G05B2219/34389 , G05B2219/36196 , G05B2219/49319
Abstract: 本发明涉及一种磨床及研磨加工方法,其通过实行示教(抵接)作业,从其抵接位置(SX),以恰好预定的“试研磨量A”,对工件(2)进行研磨。然后测量该工件的直径。根据该测量结果,算出研磨到加工尺寸所需要的残余量(残留研磨量),以恰好该“残留研磨量(R)”实行研磨加工。
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公开(公告)号:CN102985222B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201280000599.8
申请日:2012-06-22
Applicant: 日本精工株式会社
CPC classification number: B24B51/00 , B23Q15/04 , B24B5/37 , B24B5/40 , B24B19/06 , B24B49/02 , B24B49/03 , B24B49/05 , G05B19/404 , G05B2219/34389 , G05B2219/36196 , G05B2219/49319
Abstract: 本发明涉及一种磨床及研磨加工方法。其通过实行示教(抵接)作业,从其抵接位置(SX),以恰好预定的“试研磨量A”,对工件(2)进行研磨。然后测量该工件的直径。根据该测量结果,算出研磨到加工尺寸所需要的残余量(残留研磨量),以恰好该“残留研磨量(R)”实行研磨加工。
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公开(公告)号:CN109789530A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780060632.9
申请日:2017-09-13
Applicant: 舍弗勒技术股份两合公司
CPC classification number: B24B51/00 , B24B49/03 , B24B49/05 , F16C17/00 , F16C19/00 , F16C33/14 , F16C33/64 , F16C41/04
Abstract: 本发明涉及一种用于制造轴承部件的方法,所述轴承部件用于构成滚动或滑动轴承(40),其中使用和同步运行至少两条生产线(1,1a,1b,1c,1d)。在此,将第一轴承部件的至少一个在第一生产线中确定的尺寸至少传递给另一生产线,使得基于第一轴承部件的至少一个确定的尺寸来调控用于在至少一个其他生产线中生产其他轴承部件的磨削加工和/或珩磨。第一轴承部件和至少一个其他轴承部件彼此组合以构成滚动或滑动轴承(40)。本发明还涉及一种生产设施(100)和根据所述方法制造的滚动轴承(40)。
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公开(公告)号:CN106457507A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580020769.2
申请日:2015-04-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/05 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/03 , B24B49/04 , B24B49/12 , H01L21/67 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚,并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群,在基板上照射光,并接收来自该基板的反射光,根据反射光生成抽样光谱,选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群,研磨基板,并生成测定光谱,并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱,取得对应于选出的参考光谱的膜厚。
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