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公开(公告)号：CN103155122B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180048114.8
申请日：2011-10-03
Inventor： 安藤崇志 , L·查恩斯 , J·康明斯 , J·J·胡卡 , D·R·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。
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公开(公告)号：CN101542690B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200880000531.3
申请日：2008-02-20
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供一种化学初械研磨用水系分散体，其pH为4～5，用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨，其含有：0.1～4质量％的(A)具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的(B)选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，所述(A)成分与所述(B)成分的质量比(A)/(B)为1～3。
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公开(公告)号：CN1495244A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03151489.8
申请日：2003-08-01
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302 , B24B1/00 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。
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公开(公告)号：CN103155122A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048114.8
申请日：2011-10-03
Inventor： 安藤崇志 , L·查恩斯 , J·康明斯 , J·J·胡卡 , D·R·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。
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公开(公告)号：CN1881539A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610080578.8
申请日：2006-05-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体及采用该水系分散体的化学机械研磨方法，以及用于调制化学机械研磨用水系分散体的试剂盒。所述化学机械研磨用水系分散体含有(A)成分：无机粒子、(B)成分：选自有机粒子及有机无机复合粒子中的至少1种粒子、(C)成分：选自喹啉羧酸、喹啉酸、2元有机酸(但喹啉酸除外)及羟基酸中的至少1种酸、(D)成分：选自苯并三唑及其衍生物中的至少1种、(E)成分：氧化剂以及(F)成分：水，其中，上述(A)成分的配合量为0.05～2.0质量％，上述(B)成分的配合量为0.005～1.5质量％，上述(A)成分的配合量(WA)与上述(B)成分的配合量(WB)的比(WA/WB)为0.1～200，而且pH值为1～5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101490814A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026430.9
申请日：2007-09-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有(A)重均分子量为500,000～2,000,000且在分子内具有杂环的第一水溶性高分子、(B)重均分子量为1,000～10,000且具有选自羧基及磺基中的一种的第二水溶性高分子或其盐、(C)氧化剂、以及(D)磨料，pH为7～12。
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公开(公告)号：CN1290961C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03151489.8
申请日：2003-08-01
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302 , B24B1/00 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。
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公开(公告)号：CN102741985B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180007853.2
申请日：2011-01-17
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B13/015 , B24B29/02 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明所涉及的化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有（A）具有选自磺基及其盐中的至少1种官能团的二氧化硅粒子、和（B）酸性化合物。
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公开(公告)号：CN103155111A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048141.5
申请日：2011-10-03
Inventor： J·B·常 , L·查恩斯 , J·E·康明斯 , M·A·古罗恩 , L·J·胡卡 , D·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·W·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。
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公开(公告)号：CN103155111B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180048141.5
申请日：2011-10-03
Inventor： J·B·常 , L·查恩斯 , J·E·康明斯 , M·A·古罗恩 , L·J·胡卡 , D·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·W·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。
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