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公开(公告)号：CN100457394C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410045393.4
申请日：2004-05-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/76229
Abstract: 一种具有不规则表面的待抛光物体的抛光方法，其中该物体具有带凸面和凹面的基质，在基质的凸面上形成的终止(stopper)层，和覆盖基质的凹面与终止层而形成的嵌入绝缘层，该方法的特征在于包括第一抛光步骤：使用可维持500埃/分钟或更低抛光速度的淤浆(A)，使嵌入的绝缘层变平，和第二抛光步骤：使用可维持600埃/分钟或更高抛光速度的淤浆(B)，进一步抛光该嵌入的绝缘层，在待暴露的凸面上形成终止层。在制造半导体器件中，该方法可用于在浅沟槽隔离(浅沟槽隔离)过程中使晶片变平。
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公开(公告)号：CN1881539A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610080578.8
申请日：2006-05-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体及采用该水系分散体的化学机械研磨方法，以及用于调制化学机械研磨用水系分散体的试剂盒。所述化学机械研磨用水系分散体含有(A)成分：无机粒子、(B)成分：选自有机粒子及有机无机复合粒子中的至少1种粒子、(C)成分：选自喹啉羧酸、喹啉酸、2元有机酸(但喹啉酸除外)及羟基酸中的至少1种酸、(D)成分：选自苯并三唑及其衍生物中的至少1种、(E)成分：氧化剂以及(F)成分：水，其中，上述(A)成分的配合量为0.05～2.0质量％，上述(B)成分的配合量为0.005～1.5质量％，上述(A)成分的配合量(WA)与上述(B)成分的配合量(WB)的比(WA/WB)为0.1～200，而且pH值为1～5。
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公开(公告)号：CN1300828C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03103346.6
申请日：2003-01-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B1/00 , C09K3/14 , C09G1/00
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。
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公开(公告)号：CN1572424A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045393.4
申请日：2004-05-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/76229
Abstract: 一种具有不规则表面的待抛光物体的抛光方法，其中该物体具有带凸面和凹面的基质，在基质的凸面上形成的终止(stopper)层，和覆盖基质的凹面与终止层而形成的嵌入绝缘层，该方法的特征在于包括；第一抛光步骤：使用可维持500埃/分钟或更低抛光速度的淤浆(A)，使嵌入的绝缘层变平，和第二抛光步骤：使用可维持600埃/分钟或更高抛光速度的淤浆(B)，进一步抛光该嵌入的绝缘层，在待暴露的凸面上形成终止层。在制造半导体器件中，该方法可用于在浅沟槽隔离(浅沟槽隔离)过程中使晶片变平。
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公开(公告)号：CN1434491A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03103346.6
申请日：2003-01-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B1/00 , C09K3/14 , C09G1/00
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100366694C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200310104711.5
申请日：2003-10-31
IPC: C09G1/04
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。
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公开(公告)号：CN1276051C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410055263.9
申请日：2004-07-01
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/302
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 公开了一种水分散体，其包含(A)磨料粒，(B)选自2-溴-2-硝基-1，3-丙二醇，2-溴-2-硝基-1，3-丁二醇，2，2二溴-2-硝基乙醇和2，2-二溴-3-次氮基丙酰胺中的至少一种化合物，和(C)一种不同于组分(B)中化合物的有机组分。该水分散体即使储存后或在中性pH范围内使用也没有腐败的问题，以及特别应用于半导体器件制造的STI方法中时生产出几乎没有凹痕或划痕的极好的抛光表面。
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公开(公告)号：CN1495244A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03151489.8
申请日：2003-08-01
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302 , B24B1/00 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。
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公开(公告)号：CN101537599B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910127065.1
申请日：2006-02-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨方法，在采用镶嵌法制造半导体装置的工序中，通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序，化学机械地研磨埋设于配线用凹部的金属配线部以外的应除去的剩余金属配线材料，第一研磨工序和第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体混合物是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在第一研磨工序和第二研磨工序中，通过改变水系分散体(I)和水溶液(II)的混合比来改变研磨速度，第二研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度为第一研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度的10～80％。该方法可有效地除去剩余的配线材料，而且能够给予高品质被研磨面。
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公开(公告)号：CN101537599A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910127065.1
申请日：2006-02-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨方法，在采用镶嵌法制造半导体装置的工序中，通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序，化学机械地研磨埋设于配线用凹部的金属配线部以外的应除去的剩余金属配线材料，第一研磨工序和第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体混合物是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在第一研磨工序和第二研磨工序中，通过改变水系分散体(I)和水溶液(II)的混合比来改变研磨速度，第二研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度为第一研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度的10～80％。该方法可有效地除去剩余的配线材料，而且能够给予高品质被研磨面。
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