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公开(公告)号：CN1495244A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03151489.8
申请日：2003-08-01
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302 , B24B1/00 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。
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公开(公告)号：CN101946309A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880126610.9
申请日：2008-12-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的化学机械研磨用水系分散体包含(A)在主干聚合物部具有阴离子性官能团的接枝聚合物和(B)磨粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1300828C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03103346.6
申请日：2003-01-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B1/00 , C09K3/14 , C09G1/00
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。
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公开(公告)号：CN1434491A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03103346.6
申请日：2003-01-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B1/00 , C09K3/14 , C09G1/00
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。
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公开(公告)号：CN101993593A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260779.2
申请日：2010-08-20
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及光学半导体封装用组合物。本发明提供一种光学半导体封装用组合物和使用该组合物制作的发光元件，所述光学半导体封装用组合物的特征在于，包含：(A)聚硅氧烷，其含有环氧基和具有或不具有取代基的苯基；和(B)环氧树脂用固化剂，相对于所述(A)聚硅氧烷，所述具有或不具有取代基的苯基的含量为8～30质量％。本发明的光学半导体封装用组合物能形成不损害耐热性和耐光性并使耐裂纹性、密合性、对电极变色的耐性提高的固化物。
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公开(公告)号：CN101490814A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026430.9
申请日：2007-09-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有(A)重均分子量为500,000～2,000,000且在分子内具有杂环的第一水溶性高分子、(B)重均分子量为1,000～10,000且具有选自羧基及磺基中的一种的第二水溶性高分子或其盐、(C)氧化剂、以及(D)磨料，pH为7～12。
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公开(公告)号：CN1290961C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03151489.8
申请日：2003-08-01
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302 , B24B1/00 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。
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