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公开(公告)号：CN100437924C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410090362.0
申请日：2004-11-04
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/205 , Y10S451/921
Abstract: 一种化学机械抛光垫，其具有用于抛光待抛光物体的一个表面、与该表面相对的一个非抛光表面以及用于连接上述表面的一个侧面，并且其包括凹入部分的图案，它在非抛光表面上形成并开口于非抛光表面而不是侧面。
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公开(公告)号：CN1290961C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03151489.8
申请日：2003-08-01
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302 , B24B1/00 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。
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公开(公告)号：CN1831076A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610056893.7
申请日：2006-03-09
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体及化学机械研磨方法、以及用于调制化学机械研磨用水系分散体的试剂盒。其中，所述化学机械研磨用水系分散体可以高效地分别研磨各种被研磨物，可以得到充分平坦化的高精度的加工面，而且即使超过最佳研磨时间而继续进行化学机械研磨，配线部分中的凹陷或磨耗也不会恶化。所述化学机械研磨用水系分散体含有(A)磨料、(B)有机酸、(C)苯并三唑或者其衍生物、(D)聚(甲基)丙烯酸盐、(E)氧化剂及(F)水，所述(A)磨料的配合量为2～10质量％。
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公开(公告)号：CN1757666A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510104102.9
申请日：2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯－醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2－聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
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公开(公告)号：CN1590026A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410064056.X
申请日：2004-07-16
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1569399A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410045172.7
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
Abstract: 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其具有优良清除率和能够抛光以获得优良平面性。这种抛光垫包含：(A)70－99.9质量％的交联二烯弹性体和(B)0.1－30质量％的含有酸酐结构的聚合物，以上述化合物(A)和(B)总量为100质量％计，并且其比重为0.9－1.2。
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公开(公告)号：CN100486770C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200510068474.0
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24D18/0009
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫，其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件，且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面，可不降低研磨性能地透过终点检测用光。
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公开(公告)号：CN100457394C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410045393.4
申请日：2004-05-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/76229
Abstract: 一种具有不规则表面的待抛光物体的抛光方法，其中该物体具有带凸面和凹面的基质，在基质的凸面上形成的终止(stopper)层，和覆盖基质的凹面与终止层而形成的嵌入绝缘层，该方法的特征在于包括第一抛光步骤：使用可维持500埃/分钟或更低抛光速度的淤浆(A)，使嵌入的绝缘层变平，和第二抛光步骤：使用可维持600埃/分钟或更高抛光速度的淤浆(B)，进一步抛光该嵌入的绝缘层，在待暴露的凸面上形成终止层。在制造半导体器件中，该方法可用于在浅沟槽隔离(浅沟槽隔离)过程中使晶片变平。
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公开(公告)号：CN100410017C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510054230.7
申请日：2005-02-05
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D3/22 , C08J5/00 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 一种化学机械抛光垫，包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。上述化学机械抛光垫的制造方法，其特征在于制备含有(A)苯乙烯聚合物、(B)二烯聚合物和(C)交联剂的组合物，将上述组合物成形为预定的形状，并在成形的同时或者成形后加热使其固化，以及一种化学机械抛光方法，其特征在于通过上述化学机械抛光垫对被抛光物的被抛光面进行抛光。根据本发明，可以提供一种化学机械抛光垫，其能够优选适用于金属膜的抛光或绝缘膜的抛光、特别是STI技术，在得到平坦的被抛光面的同时，还能达到较高的抛光速度，且具有足够长的寿命。
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公开(公告)号：CN100352605C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410064056.X
申请日：2004-07-16
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
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