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公开(公告)号：CN105390296B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510543497.6
申请日：2015-08-28
IPC: H01G11/32 , H01G11/22 , H01G11/50 , H01M4/133 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种电极材料，其可以形成低温下的内部电阻低且在充电状态保持时产生的气体量少的蓄电设备。本发明涉及电极材料、电极和蓄电设备，该电极材料含有碳材料，在100ml/分钟的空气气流中，以升温速度5℃/分钟进行热重量分析时，相对于升温前减少20％重量的温度为650℃以下。
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公开(公告)号：CN104425796A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410393680.8
申请日：2014-08-12
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01G11/86 , H01G11/06 , H01G11/38 , H01G11/50 , H01M4/04 , H01M4/0471 , H01M4/13 , H01M4/364 , H01M4/386 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M4/60 , H01M4/602 , Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种可得到具有稳定的充放电循环特性且充放电容量大的电极的电极材料的制造方法。该电极材料的制造方法包括将具有含硅单元和不含硅单元的聚合物加热的工序。
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公开(公告)号：CN1699019A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510078823.7
申请日：2005-04-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B37/042
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制造方法和化学机械研磨方法，该化学机械研磨垫的研磨面由算术表面粗糙度(Ra)为0.1～15μm、10点平均高度(Rz)为40～150μm、核心粗糙深度(Rk)为12～50μm、且衰减峰高度(Rpk)为7～40μm的表面构成。利用该垫，即使在对大孔径晶片的被研磨体进行化学机械研磨的情况下，也能形成具有优良表面均匀性和平坦性的被研磨面。
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公开(公告)号：CN100537143C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510078823.7
申请日：2005-04-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B37/042
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制造方法和化学机械研磨方法，该化学机械研磨垫的研磨面由算术表面粗糙度(Ra)为0.1～15μm、10点平均高度(Rz)为40～150μm、核心粗糙深度(Rk)为12～50μm、且衰减峰高度(Rpk)为7～40μm的表面构成。利用该垫，即使在对大孔径晶片的被研磨体进行化学机械研磨的情况下，也能形成具有优良表面均匀性和平坦性的被研磨面。
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公开(公告)号：CN100492597C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN03140681.5
申请日：2003-06-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫，其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位，该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下，用于化学机械抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100398598C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN03154996.9
申请日：2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/28 , C08L9/00 , C08L23/0853 , C08L2666/06 , C08L2666/08
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯-醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2-聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
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公开(公告)号：CN1970232B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610172857.7
申请日：2006-09-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D18/00 , B24D17/00 , B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明涉及一种制造化学机械抛光垫的方法，其提供了一种完全抑制被抛光表面上形成划痕且具有良好抛光速率的化学机械抛光垫。该方法包括(A)组步骤和(B)组步骤中的任一组，(A)组步骤至少包括以下(A1)至(A5)的步骤：(A1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(A2)将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成垫状体的步骤；(A3)将垫状体安装在切削机圆台上的步骤，该切削机至少具有装配有铣刀的铣削单元、能够标引角度并定位的驱动单元和通过驱动单元转动的圆台；(A4)用铣刀形成第二组槽的步骤；以及(A5)形成第一组槽的步骤，并且(B)组步骤至少包括以下(B1)至(B3)的步骤：(B1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(B2)通过使用具有相应于第二组槽形状的凸起的金属模型，将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成具有第二组槽的垫状体的步骤；以及(B3)形成第一组槽的步骤。
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公开(公告)号：CN100486770C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200510068474.0
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24D18/0009
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫，其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件，且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面，可不降低研磨性能地透过终点检测用光。
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公开(公告)号：CN100352605C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410064056.X
申请日：2004-07-16
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
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公开(公告)号：CN1970232A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610172857.7
申请日：2006-09-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D18/00 , B24D17/00 , B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明涉及一种制造化学机械抛光垫的方法，其提供了一种完全抑制被抛光表面上形成划痕且具有良好抛光速率的化学机械抛光垫。该方法包括(A)组步骤和(B)组步骤中的任一组，(A)组步骤至少包括以下(A1)至(A5)的步骤：(A1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(A2)将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成垫状体的步骤；(A3)将垫状体安装在切削机圆台上的步骤，该切削机至少具有装配有铣刀的铣削单元、能够标引角度并定位的驱动单元和通过驱动单元转动的圆台；(A4)用铣刀形成第二组槽的步骤；以及(A5)形成第一组槽的步骤，并且(B)组步骤至少包括以下(B1)至(B3)的步骤：(B1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(B2)通过使用具有相应于第二组槽形状的凸起的金属模型，将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成具有第二组槽的垫状体的步骤；以及(B3)形成第一组槽的步骤。
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