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公开(公告)号:CN1494983A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN03140681.5
申请日:2003-06-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫,其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位,该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下,用于化学机械抛光。
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公开(公告)号:CN1760240B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200510119986.5
申请日:2005-10-14
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 一种具有抛光层的抛光垫,该抛光层具有特定的组成并且在30℃的储存弹性模量与在60℃的储存弹性模量的比为2-15,在30℃的储存弹性模量与在90℃的储存弹性模量的比为4-20,其由聚氨酯或聚氨酯-脲制成。该抛光垫抑制了对被抛光的表面的刮擦并且有效地将表面平面化。具有含有水溶性颗粒的抛光层的抛光垫可以实现较高的去除速率。
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公开(公告)号:CN100492597C
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN03140681.5
申请日:2003-06-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫,其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位,该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下,用于化学机械抛光。
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公开(公告)号:CN1519894A
公开(公告)日:2004-08-11
申请号:CN200410003134.5
申请日:2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料,二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积%到5体积%的区域(11);以及有机材料(10)。
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公开(公告)号:CN100570826C
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200410003134.5
申请日:2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料,二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积%到5体积%的区域(11);以及有机材料(10)。
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公开(公告)号:CN1760240A
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN200510119986.5
申请日:2005-10-14
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 一种具有抛光层的抛光垫,该抛光层具有特定的组成并且在30℃的储存弹性模量与在60℃的储存弹性模量的比为2-15,在30℃的储存弹性模量与在90℃的储存弹性模量的比为4-20,其由聚氨酯或聚氨酯-脲制成。该抛光垫抑制了对被抛光的表面的刮擦并且有效地将表面平面化。具有含有水溶性颗粒的抛光层的抛光垫可以实现较高的去除速率。
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