公开(公告)号：CN1699019A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510078823.7

申请日：2005-04-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 保坂幸生 ,  下山裕司 ,  志保浩司 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/042

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制造方法和化学机械研磨方法，该化学机械研磨垫的研磨面由算术表面粗糙度(Ra)为0.1～15μm、10点平均高度(Rz)为40～150μm、核心粗糙深度(Rk)为12～50μm、且衰减峰高度(Rpk)为7～40μm的表面构成。利用该垫，即使在对大孔径晶片的被研磨体进行化学机械研磨的情况下，也能形成具有优良表面均匀性和平坦性的被研磨面。

公开(公告)号：CN100537143C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510078823.7

申请日：2005-04-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 保坂幸生 ,  下山裕司 ,  志保浩司 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/042

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制造方法和化学机械研磨方法，该化学机械研磨垫的研磨面由算术表面粗糙度(Ra)为0.1～15μm、10点平均高度(Rz)为40～150μm、核心粗糙深度(Rk)为12～50μm、且衰减峰高度(Rpk)为7～40μm的表面构成。利用该垫，即使在对大孔径晶片的被研磨体进行化学机械研磨的情况下，也能形成具有优良表面均匀性和平坦性的被研磨面。