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公开(公告)号：CN102753724A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008881.6
申请日：2011-02-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供即使在氧等氧化剂非存在下也能容易分解的钌膜形成用材料。发明涉及一种含有下述式（1）表示的化合物的钌膜形成用材料。Ru（PR13）l（L1）m（L2）n（1）（所述式（1）中，R1各自独立地为氢原子、卤素原子、碳原子数为1～4的烃基、或者碳原子数为1～4的卤代烃基，L1是氢原子或者卤素原子，L2是具有至少两个双键的碳原子数为4～10的不饱和烃化合物，l是1～5的整数，m是0～4的整数，n是0～2的整数。其中，l＋m＋2n＝5或者6）。
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公开(公告)号：CN1757483A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510113273.8
申请日：2005-09-16
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/24
Abstract: 一种化学机械抛光衬垫，在以下条件下测量抛光基板在30℃和60℃下的储存弹性模量时，该化学机械抛光衬垫在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)小于或等于120MPa，而且在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)与在60℃下的储存弹性模量E′(60℃)的比(E′(30℃)/E′(60℃))大于或等于2.5，条件如下：初始负荷：100g；最大偏移：0.01％；频率：0.2Hz。使用上述化学机械抛光衬垫的化学机械抛光方法。该化学机械抛光衬垫可以抑止在化学机械抛光步骤中在被抛光表面产生刮痕，并且可以提供高质量的抛光表面，而且该化学机械抛光方法通过使用该化学机械抛光衬垫而提供高质量的抛光表面。
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公开(公告)号：CN102753724B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201180008881.6
申请日：2011-02-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供即使在氧等氧化剂非存在下也能容易分解的钌膜形成用材料。发明涉及一种含有下述式（1）表示的化合物的钌膜形成用材料。Ru（PR13）l（L1）m（L2）n（1）（所述式（1）中，R1各自独立地为氢原子、卤素原子、碳原子数为1～4的烃基、或者碳原子数为1～4的卤代烃基，L1是氢原子或者卤素原子，L2是具有至少两个双键的碳原子数为4～10的不饱和烃化合物，l是1～5的整数，m是0～4的整数，n是0～2的整数。其中，l＋m＋2n＝5或者6。）
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1864929A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510073749.X
申请日：2005-05-20
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 化学机械抛光垫，其具有抛光面、与此对面的非抛光面以及规定这些面的侧面，其中所述的抛光面有(i)与从抛光面的中心部分行往周边部分的一条假想直线交叉的多个第1沟槽构成的第1沟槽组，此多个第1沟槽彼此互相不交叉，或从抛光面的中心部分行往周边部分螺旋线逐渐扩大的1个第1螺旋状沟槽任意一种，和(ii)由多个沿从抛光面的中心部分行往周边部分的方向延伸且与上述第1沟槽组的第1沟槽或第1螺旋状沟槽任一者交叉的第2沟槽所构成的第2沟槽组，此多个第2沟槽彼此互相不交叉。此化学机械抛光垫充分抑制了被抛光面上划痕的产生，且抛光速度优异，因此利于在化学机械抛光方法中使用。
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公开(公告)号：CN1970232B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610172857.7
申请日：2006-09-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D18/00 , B24D17/00 , B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明涉及一种制造化学机械抛光垫的方法，其提供了一种完全抑制被抛光表面上形成划痕且具有良好抛光速率的化学机械抛光垫。该方法包括(A)组步骤和(B)组步骤中的任一组，(A)组步骤至少包括以下(A1)至(A5)的步骤：(A1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(A2)将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成垫状体的步骤；(A3)将垫状体安装在切削机圆台上的步骤，该切削机至少具有装配有铣刀的铣削单元、能够标引角度并定位的驱动单元和通过驱动单元转动的圆台；(A4)用铣刀形成第二组槽的步骤；以及(A5)形成第一组槽的步骤，并且(B)组步骤至少包括以下(B1)至(B3)的步骤：(B1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(B2)通过使用具有相应于第二组槽形状的凸起的金属模型，将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成具有第二组槽的垫状体的步骤；以及(B3)形成第一组槽的步骤。
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公开(公告)号：CN1970232A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610172857.7
申请日：2006-09-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D18/00 , B24D17/00 , B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明涉及一种制造化学机械抛光垫的方法，其提供了一种完全抑制被抛光表面上形成划痕且具有良好抛光速率的化学机械抛光垫。该方法包括(A)组步骤和(B)组步骤中的任一组，(A)组步骤至少包括以下(A1)至(A5)的步骤：(A1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(A2)将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成垫状体的步骤；(A3)将垫状体安装在切削机圆台上的步骤，该切削机至少具有装配有铣刀的铣削单元、能够标引角度并定位的驱动单元和通过驱动单元转动的圆台；(A4)用铣刀形成第二组槽的步骤；以及(A5)形成第一组槽的步骤，并且(B)组步骤至少包括以下(B1)至(B3)的步骤：(B1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(B2)通过使用具有相应于第二组槽形状的凸起的金属模型，将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成具有第二组槽的垫状体的步骤；以及(B3)形成第一组槽的步骤。
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公开(公告)号：CN1990183A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610156267.5
申请日：2006-12-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D17/00 , B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明的化学机械抛光垫在抛光表面上具有以下两组槽：(i)第一沟槽组，与单根从抛光表面的中心向周边延伸的虚拟直线相交，并且由以下等式表示的槽脊比为6－30：槽脊比＝(P－W)÷W(P是虚拟直线和第一沟槽间相邻交点之间的距离，而W是第一沟槽的宽度)；和(ii)第二沟槽组，从抛光表面的中心部分向周边部分延伸，包括在中心部分区域中彼此接触的第二沟槽和在中心部分区域中不与任何其它第二沟槽接触的第二沟槽。本发明的化学机械抛光垫即使当化学机械抛光用水分散体的量少时，也具有高抛光速率、并且在被抛光表面抛光量方面具有极好的平面内一致性。
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公开(公告)号：CN100537144C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510113273.8
申请日：2005-09-16
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/24
Abstract: 一种化学机械抛光衬垫，在以下条件下测量抛光基板在30℃和60℃下的储存弹性模量时，该化学机械抛光衬垫在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)小于或等于120MPa，而且在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)与在60℃下的储存弹性模量E′(60℃)的比(E′(30℃)/E′(60℃))大于或等于2.5，条件如下：初始负荷：100g，最大偏移：0.01%，频率：0.2Hz。使用上述化学机械抛光衬垫的化学机械抛光方法。该化学机械抛光衬垫可以抑止在化学机械抛光步骤中在被抛光表面产生刮痕，并且可以提供高质量的抛光表面，而且该化学机械抛光方法通过使用该化学机械抛光衬垫而提供高质量的抛光表面。
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