化学机械研磨垫及其制造方法

    公开(公告)号:CN101375374A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200780003474.X

    申请日:2007-01-22

    CPC classification number: B24D18/00 B24B37/20 H01L21/67294

    Abstract: 本发明的化学机械研磨垫具有圆形研磨面和作为该研磨面背面的非研磨面,内部含有能够使用电磁波非接触地读取或读写的信息记录介质,优选研磨面半径方向的信息记录介质的重心位置在从研磨面半径上的中心朝向外周的方向上,处于研磨面半径的0~10%或80~100%的范围内。

    化学机械研磨垫
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101379598B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200780004401.2

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H01L21/31053 B24B37/24 H01L21/31058 H01L21/3212

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够在赋予高研磨速度的同时,充分地抑制被研磨面的刮痕的发生,且对于研磨量能够实现高度的被研磨面内均匀性的化学机械研磨垫。上述目的通过研磨层的表面电阻率为1.0×107~9.9×1013Ω的化学机械研磨垫达成。该研磨层优选由含有(A)体积电阻率为1.0×1013~9.9×1017Ω·cm的高分子基质成分和(B)体积电阻率为1.0×106~9.9×1012Ω·cm的成分的组合物形成。

    化学机械研磨垫
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101379598A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200780004401.2

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H01L21/31053 B24B37/24 H01L21/31058 H01L21/3212

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够在赋予高研磨速度的同时,充分地抑制被研磨面的刮痕的发生,且对于研磨量能够实现高度的被研磨面内均匀性的化学机械研磨垫。上述目的通过研磨层的表面电阻率为1.0×107~9.9×1013Ω的化学机械研磨垫达成。该研磨层优选由含有(A)体积电阻率为1.0×1013~9.9×1017Ω·cm的高分子基质成分和(B)体积电阻率为1.0×106~9.9×1012Ω·cm的成分的组合物形成。

    化学机械抛光垫和化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN1990183A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610156267.5

    申请日:2006-12-28

    CPC classification number: B24B37/26 B24B37/30

    Abstract: 本发明的化学机械抛光垫在抛光表面上具有以下两组槽:(i)第一沟槽组,与单根从抛光表面的中心向周边延伸的虚拟直线相交,并且由以下等式表示的槽脊比为6-30:槽脊比=(P-W)÷W(P是虚拟直线和第一沟槽间相邻交点之间的距离,而W是第一沟槽的宽度);和(ii)第二沟槽组,从抛光表面的中心部分向周边部分延伸,包括在中心部分区域中彼此接触的第二沟槽和在中心部分区域中不与任何其它第二沟槽接触的第二沟槽。本发明的化学机械抛光垫即使当化学机械抛光用水分散体的量少时,也具有高抛光速率、并且在被抛光表面抛光量方面具有极好的平面内一致性。

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