-
-
-
公开(公告)号：CN102741985B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180007853.2
申请日：2011-01-17
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B13/015 , B24B29/02 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明所涉及的化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有（A）具有选自磺基及其盐中的至少1种官能团的二氧化硅粒子、和（B）酸性化合物。
-
公开(公告)号：CN103155111A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048141.5
申请日：2011-10-03
Inventor： J·B·常 , L·查恩斯 , J·E·康明斯 , M·A·古罗恩 , L·J·胡卡 , D·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·W·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。
-
公开(公告)号：CN1957020B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580015093.4
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/50 , C08G77/42 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/312
Abstract: 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118207050A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311259052.6
申请日：2023-09-27
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明提供一种可抑制对作为被处理体的金属布线材料、阻挡金属材料、绝缘材料等的各种基板的损伤，并且从被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用所述组合物的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有：(A)下述通式(1)所表示的化合物；(B)水溶性高分子；(C)具有选自由氨基及其盐所组成的群组中的至少一种结构、及选自由羧基及其盐所组成的群组中的至少一种结构的化合物；以及(D)液状介质，在将所述(A)成分的含量设为MA[质量％]、将所述(C)成分的含量设为MC[质量％]时，MA/MC＝5～200。(所述式(1)中，R各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基)R4N+F‑····(1)。
-
公开(公告)号：CN103155111B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180048141.5
申请日：2011-10-03
Inventor： J·B·常 , L·查恩斯 , J·E·康明斯 , M·A·古罗恩 , L·J·胡卡 , D·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·W·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中对半导体晶片进行平面化，以去除覆盖层并将顶层平面化，在下伏层上方留下一厚度的顶层材料。在第二化学机械抛光步骤中对所述顶层材料进行平面化，以进一步去除所述顶层，并使第二材料和第三材料的下伏层暴露，使得所述顶层材料对所述第二材料、对所述第三材料的选择比介于约1:1:1至约2:1:1之间，以提供平面的形貌。
-
公开(公告)号：CN102741985A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007853.2
申请日：2011-01-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: B24B13/015 , B24B29/02 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明所涉及的化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有（A）具有选自磺基及其盐中的至少1种官能团的二氧化硅粒子、和（B）酸性化合物。
-
公开(公告)号：CN103155122A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048114.8
申请日：2011-10-03
Inventor： 安藤崇志 , L·查恩斯 , J·康明斯 , J·J·胡卡 , D·R·科里 , 金野智久 , M·克里希南 , M·F·罗法洛 , J·那拉克斯基 , 野田昌宏 , D·K·潘尼加拉帕提 , 山中达也
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545
Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。
-
公开(公告)号：CN114730711A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079835.4
申请日：2020-11-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法，可高速研磨作为配线材料的钨膜且可减少被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)具有下述通式(1)所表示的官能基的含有氧化铝的粒子；以及(B)液状介质。‑SO3‑M+·····(1)(M+表示一价阳离子)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.02 seconds)
