公开(公告)号：CN118207050A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311259052.6

申请日：2023-09-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 赤木壮一郎 ,  姚佳伶 ,  山田裕也 ,  森康介 ,  山中达也

IPC: C11D3/30 ,  C11D3/04 ,  C11D3/37 ,  C11D3/33 ,  C11D3/20 ,  C11D3/60 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种可抑制对作为被处理体的金属布线材料、阻挡金属材料、绝缘材料等的各种基板的损伤，并且从被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用所述组合物的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有：(A)下述通式(1)所表示的化合物；(B)水溶性高分子；(C)具有选自由氨基及其盐所组成的群组中的至少一种结构、及选自由羧基及其盐所组成的群组中的至少一种结构的化合物；以及(D)液状介质，在将所述(A)成分的含量设为MA[质量％]、将所述(C)成分的含量设为MC[质量％]时，MA/MC＝5～200。(所述式(1)中，R各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基)R4N+F‑····(1)。