公开(公告)号：CN1957020A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580015093.4

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  山中达也 ,  盐田淳 ,  黑泽孝彦

IPC: C08G77/50 ,  C08G77/42 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有－Si－O－Si－结构和－Si－CH2－Si－结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。

公开(公告)号：CN1954017A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015069.0

申请日：2005-05-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  黑泽孝彦 ,  中川恭志 ,  盐田淳

IPC: C08G77/50 ,  C08G77/42 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明提供有机二氧化硅系膜的形成方法、该方法中所使用的膜形成用组合物、通过该方法得到的有机二氧化硅系膜、包含该有机二氧化硅系膜的布线结构体以及包含该布线结构体的半导体装置。所述有机二氧化硅系膜的形成方法能够以更低的电子束照射量、更短时间、更低温度高效地使涂膜硬化，而且能够形成可适合于作为比如半导体元件等中的层间绝缘膜使用的、相对介电常数小、机械强度及粘合性优异、而且等离子体耐受性和耐药液性均优异的膜。本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有－Si－O－Si－结构和－Si－CH2－Si－结构的硅化合物的涂膜的工序、加热所述涂膜的工序和对所述涂膜照射电子束来进行硬化处理的工序。

公开(公告)号：CN1957459A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016368.6

申请日：2005-05-20

Applicant: JSR株式会社 ,  住友电木株式会社

Inventor： 白土香织 ,  盐田淳 ,  多田昌弘 ,  朝隈纯俊

IPC: H01L21/768 ,  C08G73/22 ,  C08L79/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08G73/22 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的层叠体，含有在半导体层上方设置的、具有规定图案的铜配线(20)，在上述铜配线层(20)上设置的、含有聚苯并噁唑树脂层的保护层，在上述保护层上设置的绝缘层(40)。

公开(公告)号：CN1739190A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002329.6

申请日：2004-01-16

Applicant: 艾克塞利斯技术公司 ,  JSR株式会社

Inventor： C·沃尔德弗里德 ,  Q·韩 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  R·阿尔巴诺 ,  I·L·伯里三世 ,  盐田淳

IPC: H01L21/3065 ,  H01B3/46 ,  C04B41/00 ,  B29C59/14 ,  B32B37/00

Abstract: 具有提高了的弹性模量和材料硬度的低介电常数的多孔材料。制备这种多孔材料的方法包括提供多孔介电材料并用无氟等离子体气体等离子体固化此多孔介电材料以制备无氟等离子体固化的多孔介电材料。多孔介电材料的无氟等离子体固化得到具有提高了的模量和材料硬度以及相当的介电常数的材料。弹性模量的增加一般大于或约为50％。

公开(公告)号：CN1957020B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200580015093.4

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  山中达也 ,  盐田淳 ,  黑泽孝彦

IPC: C08G77/50 ,  C08G77/42 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。

公开(公告)号：CN1950473B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580014628.6

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  黑泽孝彦 ,  盐田淳

IPC: C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以-(Si-CH2)x-表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构；所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。RaSi(OR1)4-a……(1)Si(OR2)4……(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c……(3)

公开(公告)号：CN100481378C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580016368.6

申请日：2005-05-20

Applicant: JSR株式会社 ,  住友电木株式会社

Inventor： 白土香织 ,  盐田淳 ,  多田昌弘 ,  朝隈纯俊

IPC: H01L21/768 ,  C08G73/22 ,  C08L79/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08G73/22 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的层叠体，含有在半导体层上方设置的、具有规定图案的铜配线层(20)，在上述铜配线层(20)上设置的、含有聚苯并噁唑树脂层的保护层，在上述保护层上设置的绝缘层(40)。

公开(公告)号：CN1950473A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014628.6

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  黑泽孝彦 ,  盐田淳

IPC: C09D183/14 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C08G77/50 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以－(Si－CH2)x－表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构；所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。RaSi(OR1)4－a……(1)Si(OR2)4……(2)R3b(R4O)3－bSi－(R7)d－Si(OR5)3－cR6c……(3)。