公开(公告)号：CN1957459A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016368.6

申请日：2005-05-20

Applicant: JSR株式会社 ,  住友电木株式会社

Inventor： 白土香织 ,  盐田淳 ,  多田昌弘 ,  朝隈纯俊

IPC: H01L21/768 ,  C08G73/22 ,  C08L79/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08G73/22 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的层叠体，含有在半导体层上方设置的、具有规定图案的铜配线(20)，在上述铜配线层(20)上设置的、含有聚苯并噁唑树脂层的保护层，在上述保护层上设置的绝缘层(40)。

公开(公告)号：CN100481378C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580016368.6

申请日：2005-05-20

Applicant: JSR株式会社 ,  住友电木株式会社

Inventor： 白土香织 ,  盐田淳 ,  多田昌弘 ,  朝隈纯俊

IPC: H01L21/768 ,  C08G73/22 ,  C08L79/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08G73/22 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的层叠体，含有在半导体层上方设置的、具有规定图案的铜配线层(20)，在上述铜配线层(20)上设置的、含有聚苯并噁唑树脂层的保护层，在上述保护层上设置的绝缘层(40)。

公开(公告)号：CN101932618A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880101105.9

申请日：2008-07-30

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 佐野曜子 ,  藤田一义 ,  朝隈纯俊

IPC: C08F12/00 ,  C08F38/00 ,  C09D5/25 ,  C09D147/00 ,  C09D149/00 ,  C09D157/00 ,  C09D201/00 ,  H01B17/56 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/3327 ,  C08G2261/3328 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/50 ,  C08G2261/592 ,  C09D145/00 ,  C09D147/00 ,  C09D165/00 ,  H01B3/307 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于形成兼具低介电常数、高耐热性及高机械强度的绝缘膜的聚合物及组合物、以及由其得到的绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件。本发明的绝缘膜形成用聚合物，其特征在于，通过聚合用下述通式(1)表示的反应性化合物而得到。本发明的绝缘膜，其是使用含有上述聚合物的绝缘膜形成用组合物形成，其中，该绝缘膜具有平均空隙直径是0.7nm～5nm的分子空隙并且其介电常数是2.3以下。本发明的电子器件，具有上述绝缘膜。通式(1)中，R1、R2及R3表示相互相同或不同的具有环结构的有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。