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公开(公告)号：CN115144940A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210289606.6
申请日：2022-03-23
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明提供一种翘曲小、雾度(Haze)值小且耐久性优异的光学滤波器、固体摄像装置及照相机模块。一种光学滤波器，在基材的至少一面具有将包含高折射率层与低折射率层的多层结构重复交替地层叠而成的电介质多层膜，高折射率层为CexMyOz。M为Si、Ta或Al的任一种，x、y、z为0.5≦x≦0.95、0.05≦y≦0.5、1≦z。
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公开(公告)号：CN114730711A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079835.4
申请日：2020-11-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法，可高速研磨作为配线材料的钨膜且可减少被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)具有下述通式(1)所表示的官能基的含有氧化铝的粒子；以及(B)液状介质。‑SO3‑M+·····(1)(M+表示一价阳离子)。
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公开(公告)号：CN114730710A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079736.6
申请日：2020-11-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法，可高速研磨作为配线材料的钨膜且可减少被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)表面的至少一部分被氧化硅‑氧化铝的被膜被覆的氧化铝粒子；以及(B)液状介质。
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公开(公告)号：CN114630880A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076095.9
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C01B33/18 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)选自由包含不饱和键的羧酸及其盐所组成的群组中的至少一种。‑COO－M+·····(1)(M+表示一价阳离子)。
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公开(公告)号：CN118804963A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380024395.6
申请日：2023-03-10
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种可通过增大相对于氧化硅膜而言的钨膜的研磨速度来有选择性地研磨钨膜，且贮存稳定性也优异的化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法、以及可用于这些中的研磨粒的制造方法。另外，本发明提供一种可高速研磨氧化硅膜，且贮存稳定性也优异的化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法、以及可用于这些中的研磨粒的制造方法。本发明的研磨粒的制造方法包括将羟基(‑OH)经由共价键而固定于表面的粒子、具有环氧基的烷氧基硅烷、及碱性化合物混合并进行加热的工序。
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公开(公告)号：CN115715423A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202180037516.1
申请日：2021-05-25
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种用于不仅相对于硅氧化物膜而且相对于非晶硅膜或多晶硅膜也选择性地研磨氮化硅膜的研磨粒或化学机械研磨用组合物。本发明的研磨粒的制造方法包括：第一步骤，对混合物进行加热，所述混合物含有氢硫基(‑SH)经由共价键固定于表面的粒子以及具有碳‑碳不饱和双键的化合物；以及第二步骤，在所述第一步骤后，进而添加过氧化物并进行加热。
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公开(公告)号：CN114761502A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082375.0
申请日：2020-11-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物以及研磨方法，可在高速地研磨含有钨膜或硅氮化物膜的半导体基板的同时，减少研磨后的被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有(A)含有氧化钛的研磨粒、以及(B)液状介质，其中所述化学机械研磨用组合物中的所述(A)成分的仄他电位的绝对值为8mV以上。
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公开(公告)号：CN114667593A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080078357.5
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)硅烷化合物。‑COO‑M+……(1)(M+表示一价阳离子)。
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