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公开(公告)号：CN114630880A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076095.9
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C01B33/18 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)选自由包含不饱和键的羧酸及其盐所组成的群组中的至少一种。‑COO－M+·····(1)(M+表示一价阳离子)。
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公开(公告)号：CN108728253A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810183847.6
申请日：2018-03-06
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: C11D1/37 , B08B3/08 , C11D1/10 , C11D1/22 , C11D3/00 , C11D3/044 , C11D3/046 , C11D3/10 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/3765
Abstract: 本发明提供一种清洗用组合物及使用其的被处理体的处理方法，所述清洗用组合物在为了对被处理体进行加工等处理而经由固定层将被处理体固定于支撑体的方法中，可有效地去除自被处理体剥离支撑体后的被处理体的表面的来源于固定层的残渣等污染。本发明的清洗用组合物：含有钾及钠，且用以对被处理体的自支撑体剥离的面进行清洗，所述清洗用组合物中，当将所述钾的含量设为MK ppm、将所述钠的含量设为MNa ppm时，MK/MNa＝5×103～1×105。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108395845A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710387509.X
申请日：2017-05-26
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/02 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/042 , B24B49/16 , H01L21/02074 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L21/31133 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种生产性优异、抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效率地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有钾及钠、以及下述通式(1)所表示的化合物A，当将所述钾的含量设为MKppm、将所述钠的含量设为MNappm时，MK/MNa＝1×10-1～1×104。所述通式(1)中，R1～R4分别独立地表示氢原子或有机基。M-表示阴离子。
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公开(公告)号：CN107353832A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710238028.2
申请日：2017-04-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有3×101个/mL～1.5×103个/mL的粒径为0.1μm～0.3μm的粒子。
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公开(公告)号：CN107353831A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710235092.5
申请日：2017-04-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供一种抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有钾及钠，当将所述钾的含量设为MK(ppm)、将所述钠的含量设为MNa(ppm)时，MK/MNa＝5×103～1×105。
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公开(公告)号：CN114667593A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080078357.5
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)硅烷化合物。‑COO‑M+……(1)(M+表示一价阳离子)。
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公开(公告)号：CN107210214A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006490.3
申请日：2016-03-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/04 , B24B37/20 , B24B57/02 , C09G1/02 , C23F1/00 , C23F3/04 , C23G1/20 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/4846 , H01L21/4864 , H01L23/49866 , H05K3/26 , H05K2203/0793
Abstract: 本发明的化学机械研磨用处理组合物的特征为：含有(A)水溶性胺、(B)具有含芳香族烃基的重复单元的水溶性聚合物、及水系介质，优选含有(C)具有芳香族烃基的有机酸，且pH为9以上。
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