对象物的处理方法、暂时固定用组合物、半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN108369892B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN201680055127.0

    申请日:2016-07-26

    Inventor: 森隆 水野光

    Abstract: 本发明提供一种在经由暂时固定材将处理对象物暂时固定于支撑体上的状态下进行对象物的加工·移动处理,继而利用光照射分离法将支撑体与对象物分离的方法,可防止所述对象物的光劣化。一种对象物的处理方法,包括:形成层叠体的步骤,所述层叠体具有支撑体、包含层(I)的暂时固定材、以及处理对象物,所述层(I)含有具有结构单元(A1)的聚合物(A);对处理对象物进行加工、和/或使层叠体移动的步骤;自支撑体侧对层(I)照射光的步骤;以及将支撑体与处理对象物分离的步骤。[式(A1)中,Ar为缩合多环芳香族环;R1为氢原子或碳数1~20的烃基;R2为卤素原子或碳数1~20的烃基;R3为氢原子或有机基;a为1以上的整数,b为0以上的整数。]

    基材的处理方法及半导体装置

    公开(公告)号:CN107851551B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201680041470.X

    申请日:2016-07-22

    Abstract: 本发明提供一种基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置。本发明的基材的处理方法依次包括:形成层叠体的步骤,所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材,所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层(I)、以及形成于所述层(I)中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层(II)的暂时固定材;对所述基材进行加工,和/或使所述层叠体移动的步骤;对所述层(II)照射光的步骤;自所述支撑体分离所述基材的步骤;以及自所述基材去除所述层(I)的步骤。

    对象物的处理方法、暂时固定用组合物、半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN108369892A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680055127.0

    申请日:2016-07-26

    Inventor: 森隆 水野光

    Abstract: 本发明提供一种在经由暂时固定材将处理对象物暂时固定于支撑体上的状态下进行对象物的加工·移动处理,继而利用光照射分离法将支撑体与对象物分离的方法,可防止所述对象物的光劣化。一种对象物的处理方法,包括:形成层叠体的步骤,所述层叠体具有支撑体、包含层(I)的暂时固定材、以及处理对象物,所述层(I)含有具有结构单元(A1)的聚合物(A);对处理对象物进行加工、和/或使层叠体移动的步骤;自支撑体侧对层(I)照射光的步骤;以及将支撑体与处理对象物分离的步骤。[式(A1)中,Ar为缩合多环芳香族环;R1为氢原子或碳数1~20的烃基;R2为卤素原子或碳数1~20的烃基;R3为氢原子或有机基;a为1以上的整数,b为0以上的整数。]

    基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置

    公开(公告)号:CN107851551A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680041470.X

    申请日:2016-07-22

    CPC classification number: H01L21/02 H01L21/304

    Abstract: 本发明提供一种基材的处理方法,其为在经由暂时固定材将基材暂时固定于支撑体上的状态下进行基材的加工·移动处理的方法,可通过剥离和/或溶剂清洗而容易地将自支撑体分离基材后残留于基材上的粘接层去除。本发明的基材的处理方法依次包括:形成层叠体的步骤,所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材,所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层(I)、以及形成于所述层(I)中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层(II)的暂时固定材;对所述基材进行加工,和/或使所述层叠体移动的步骤;对所述层(II)照射光的步骤;自所述支撑体分离所述基材的步骤;以及自所述基材去除所述层(I)的步骤。

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