公开(公告)号：CN114630880A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080076095.9

申请日：2020-10-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 山田裕也 ,  王鹏宇 ,  杉江纪彦 ,  亀井康孝

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C01B33/18 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)选自由包含不饱和键的羧酸及其盐所组成的群组中的至少一种。‑COO－M+·····(1)(M+表示一价阳离子)。

公开(公告)号：CN114667593A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202080078357.5

申请日：2020-10-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 山田裕也 ,  王鹏宇 ,  杉江纪彦 ,  亀井康孝

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物及化学机械研磨方法，能够高速且平坦地研磨含有钨、钴等导电体金属的半导体基板、且能够减少研磨后的表面缺陷。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)包含下述通式(1)表示的官能基的二氧化硅粒子；以及(B)硅烷化合物。‑COO‑M+……(1)(M+表示一价阳离子)。