-
公开(公告)号：CN119907728A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380066044.1
申请日：2023-08-02
Applicant: 迪睿合株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: B23K26/066 , B23K26/361 , G09F9/00 , G09F9/33 , H10H20/857 , H10H20/01
Abstract: 提供能够得到单片的优异的加工性和转印性的掩模和掩模的制造方法以及显示装置的制造方法和显示装置。使用在使激光透射的开口内具有对激光遮光的既定形状的遮光部并在遮光部的外周透射激光的掩模，从基材(21)侧对设置于基材(21)上的固化性树脂膜(22)照射激光，除去该照射部分的固化性树脂膜(22)(除去部(23))，在基材(21)上形成由反应率为25％以下的固化性树脂膜(22)构成的既定形状的单片。由此，能够得到单片的优异的加工性和转印性，能够提高节拍时间。
-
公开(公告)号：CN109467941B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201811036873.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种高强度、翘曲小、粘合力优异的树脂组合物、该组合物膜化而成的高强度树脂膜、具有该树脂膜的固化物的半导体层叠体及其制造方法、以及该半导体层叠体被切片而成的半导体装置及其制造方法。所述树脂组合物的特征在于，含有：(A)环氧树脂；(B)下述式(1)和/或式(2)中记载的环氧化合物；(C)下述式(3)所示的环氧化合物；(D)酚性固化剂；及(E)固化促进剂。[化学式1][化学式2][化学式3]式中，A为单键或选自下述式中的二价有机基团。[化学式4]
-
公开(公告)号：CN106065182B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201610258375.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及树脂组合物、树脂膜、半导体器件及其制造方法。用于封装大直径薄膜晶片的成膜树脂组合物包括(A)具有3,000‑500,000的重均分子量且含有式(1)的重复单元的有机硅树脂：其中R1‑R4为一价烃基，但R3和R4不都为甲基，m和n为0‑300的整数，R5‑R8为二价烃基，a和b为正数以致a+b＝1，和X为特定的二价有机基团；(B)式(7)的酚化合物：其中Y为碳原子或2‑20个碳原子的四价烃基，和R13‑R16为一价烃基或氢原子；和(C)填料。
-
公开(公告)号：CN105566913B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201510725622.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 包含由式(1)表示的构成单元并且具有3,000‑500,000的Mw的有机硅树脂含有：10‑50wt％的(A‑1)具有10‑40wt％的有机硅含量(所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数)的第一有机硅树脂和(A‑2)具有50‑80wt％的有机硅含量(所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数)的第二有机硅树脂。包含有机硅树脂的树脂组合物能够以膜形式形成，并且其具有令人满意的对于大尺寸/薄晶片的覆盖或封装性能。树脂组合物或树脂膜确保令人满意的粘合性、低翘曲和晶片保护性。该树脂膜可用于晶片级包装。
-
公开(公告)号：CN110176432A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910491197.6
申请日：2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/03 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/02 , H01L21/48 , H01L21/56 , B23K1/00 , B29C70/78 , B29C70/88 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/58 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D7/00 , C25D7/12 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108384005A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810104003.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/22 , C08G77/452
CPC classification number: C08G81/024 , C08F224/00 , C08F226/06 , C08G73/0246 , C08G73/22 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/442 , C08G77/452 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/54 , C08G77/80 , C08K5/5419 , C08L83/10
Abstract: 本发明为有机硅改性的聚苯并噁唑树脂和制备方法。通过加成聚合制备包括式(1a)和(1b)的重复单元的有机硅改性的聚苯并噁唑树脂。R1至R4为C1-C8一价烃基，m和n为0-300的整数，R5为C1-C8亚烷基或亚苯基，a和b为小于1的正数，a+b＝1，X1为式(2)的二价连接基。所述树脂是柔性的，可溶于有机溶剂并且易于使用。
-
公开(公告)号：CN105960426B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201580005434.3
申请日：2015-01-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08G77/48 , C08G59/306 , C08G59/32 , C08G77/52 , C08J5/18 , C08J2383/14 , C08K3/013 , C08K3/36 , C08K5/0025 , C08K5/09 , C08K5/13 , C08K5/17 , C08L63/00 , C08L83/14 , C09D163/00 , C09D183/14 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及树脂组合物，其含有下述(A)、(B)和(C)成分：(A)具有由下述组成式(1)表示的结构单元的重均分子量为3,000～500,000的有机硅树脂、(B)环氧树脂固化剂、(C)填料，本发明能够提供树脂组合物及树脂膜，其能够将晶片汇总地进行成型(晶片成型)，特别是对于大口径、薄膜晶片具有良好的成型性，同时在成型后提供低翘曲性和良好的晶片保护性能，进而能够良好地进行成型工序，能够适合用于晶片水平封装。
-
公开(公告)号：CN107325264A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710288592.5
申请日：2017-04-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G59/32 , C08G59/20 , C08G59/62 , C08G59/42 , C08K3/36 , C08J5/18 , H01L23/29 , B32B27/28 , B32B27/26 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B33/00
Abstract: 本发明要解决的问题在于，提供一种树脂组合物，其能够将晶片总括地塑封，尤其对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性，在塑封后给予低翘曲性以及良好的晶片保护性能、良好的可靠性及耐热性，且能够良好地进行塑封工序，并且能够适合用于晶片级封装。本发明的解决问题的技术方案是一种树脂组合物，其特征在于，含有：(A)硅酮树脂，其具有由下述组成式(1)表示的构成单元且重量平均分子量为3000～500000；(B)环氧树脂固化剂；以及，(C)填料；并且，相对于全部质量，所述树脂组合物含有50～95质量％的所述(C)成分，
-
公开(公告)号：CN106633903A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610962697.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08L83/06 , C08G59/24 , C08G77/14 , C08G77/485 , C08G77/52 , C08K3/36 , C08L63/00 , C08L83/14 , C08L2201/02 , C08L2203/16 , C08L2203/206 , C08L2205/03 , C09D163/00 , C09D183/14 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L23/562 , C08L61/14 , C08J5/18 , C08J2383/06 , C08J2383/07 , C08J2461/14 , C08L83/04 , C08L2203/20 , H01L23/293 , H01L23/295
Abstract: 可以以膜形式形成包括(A)有机硅树脂、(B)经三嗪改性的酚醛清漆化合物和(C)填料的阻燃树脂组合物。所述树脂膜对大尺寸/薄的晶片具有令人满意的覆盖或封装性能。
-
公开(公告)号：CN106415823A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580018117.5
申请日：2015-03-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/312 , H01L23/52 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/11 , H05K3/00 , H05K3/28 , H05K3/40
CPC classification number: H01L23/562 , C08G59/3281 , C08G77/52 , C08L83/14 , C09D163/00 , C09D183/14 , C23C14/00 , C23C14/042 , C23C14/34 , C25D5/022 , C25D5/505 , C25D7/00 , C25D7/123 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/12 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/52 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/8203 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/3511 , H05K1/185 , H05K2201/10515 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/83005
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件以及与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
79
records
(took 0.039 seconds)
