公开(公告)号：CN105408398A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042692.4

申请日：2014-07-29

Applicant: 宝洁公司

Inventor： R·K·帕纳戴克 ,  S·D·史密斯 ,  R·J·麦凯恩 ,  C·巴雷拉

IPC: C08G77/452 ,  C08G77/388 ,  C08L83/10 ,  A61K8/898 ,  C11D3/37 ,  D06M15/643

CPC classification number: C08G77/26 ,  A61K8/898 ,  A61K2800/5426 ,  A61Q5/02 ,  A61Q5/12 ,  C07F7/10 ,  C08G77/452 ,  C08G77/48 ,  C08L83/10 ,  C11D3/162 ,  C11D3/3742 ,  D06M15/6436

Abstract: 本文公开了具有创造性的嵌段阳离子有机聚硅氧烷和包含此类有机聚硅氧烷的消费产品组合物。此类组合物可有效沉积到目标基底上，以递送消费者期望的有益效果诸如调理、抗皱、柔软和抗静电有益效果。

公开(公告)号：CN104508015A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380039036.4

申请日：2013-08-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大竹俊裕

IPC: C08G77/48 ,  C08G77/38 ,  C08K3/04 ,  C08L83/14 ,  H02N11/00

CPC classification number: C08L83/04 ,  C08C19/10 ,  C08G77/28 ,  C08G77/48 ,  C08G77/80 ,  C08J7/12 ,  C08K3/04 ,  C08K7/24 ,  H01B1/24 ,  Y10T428/2982 ,  C08L83/14

Abstract: 本发明提供一种能够以低电压大幅发生位移的刺激响应性化合物、变形材料及使用其的驱动器。本发明的刺激响应性化合物具有：一对聚硅氧烷链、将一对聚硅氧烷链之间进行交联的交联部、和键合于聚硅氧烷链的液晶部；交联部具有：单元A，其具有作为旋转轴发挥作用的键、且具有位于该键的一端的第1基团和位于键的另一端的第2基团；配置于第1基团的第1键合部位的第1单元B；配置于第2基团的第1键合部位的第2单元B，第1单元C和第2单元C；第1单元C与一对聚硅氧烷链中的一条链键合，第2单元C与一对聚硅氧烷链中的另一条链键合，第1单元B与第2单元B通过还原反应而键合。

公开(公告)号：CN103517956A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280012557.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 道康宁公司

Inventor： 萧冰·周 ,  埃里克·S·莫耶

IPC: C09D183/04 ,  C08G77/48

CPC classification number: C09D5/006 ,  C08G77/48 ,  C09D183/14

Abstract: 本发明提供了聚硅烷硅氧烷共聚物或树脂及其制备方法。本发明还提供了将所述聚硅烷硅氧烷共聚物施加到基材上形成用于光刻法(193nm)的聚硅烷硅氧烷膜的方法。所述聚硅烷硅氧烷膜符合用于抗反射涂层(ARC)应用所期望或需要的所述基本性能标准。

公开(公告)号：CN103189419A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180053363.6

申请日：2011-09-22

Applicant: 道康宁公司

Inventor： J·B·霍斯特曼 ,  S·斯维尔

IPC: C08G77/14 ,  C08G77/26 ,  C08G77/48 ,  C08G77/54

CPC classification number: C08G77/44 ,  C08G77/04 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/26 ,  C08G77/48 ,  C08G77/54 ,  C08G77/70 ,  C08G77/80 ,  H01L23/296 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了有机硅氧烷嵌段共聚物的固体组合物，其具有大于1.5的折射率。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：40摩尔％至90摩尔％的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10摩尔％至60摩尔％的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5摩尔％至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基，其中：所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段，每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]，所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段，并且至少30％的所述非线型嵌段彼此交联，每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000克/摩尔。

公开(公告)号：CN101189278B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680010443.2

申请日：2006-03-30

Applicant: 大金工业株式会社 ,  道康宁公司

Inventor： 伊丹康雄 ,  桝谷哲也 ,  彼得·C·胡佩费尔德 ,  唐·李·克莱尔

IPC: C08G65/00 ,  C09D183/02 ,  C08G77/48 ,  C09D183/12

CPC classification number: C08G77/46 ,  C08G77/48 ,  C09D183/12

Abstract: 一种含有由通式(A)和/或通式(B)表示的有机硅酮化合物的表面改性剂及其应用：F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″Si(X′)3-a(R1)a(A)和F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)2-a(R1)aSi(B)，其中，q是1～3的整数；m、n和o独立地为0～200的整数；p是0、1或2；X是氧或者二价有机间隔基团；X″是二价有机硅酮间隔基团；X′是水解性基团；以及当a为0或1时，z是0～10的整数。

公开(公告)号：CN101675097A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014328.1

申请日：2008-04-16

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： 朱弼忠

IPC: C08G77/58 ,  C08K7/26 ,  C08J5/00 ,  C09D183/14

CPC classification number: C09D183/14 ,  B32B5/022 ,  B32B5/024 ,  B32B27/08 ,  B32B27/12 ,  B32B27/18 ,  B32B27/26 ,  B32B27/28 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/286 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B2260/021 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/0253 ,  B32B2262/0269 ,  B32B2262/0276 ,  B32B2262/10 ,  B32B2262/101 ,  B32B2262/106 ,  B32B2264/0214 ,  B32B2264/102 ,  B32B2264/104 ,  B32B2264/108 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/30 ,  B32B2307/308 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/5825 ,  B32B2307/714 ,  B32B2419/00 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/12 ,  B32B2457/20 ,  B32B2457/208 ,  B32B2607/02 ,  C08G77/48 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种包含至少两个聚合物层的增强的有机硅树脂膜，其中至少一个聚合物层包含至少一种含二甲硅氧烷单元的有机硅树脂的固化产物，和至少一个聚合物层包含碳纳米材料。

公开(公告)号：CN101490137A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026679.X

申请日：2007-06-13

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： 朱弼忠

IPC: C08G77/48 ,  C09D183/14

CPC classification number: C08G77/48 ,  C09D183/14

Abstract: 含有二甲硅烷氧烷基单元的硅氧烷树脂，含有该硅氧烷树脂的硅氧烷组合物，和包含硅氧烷树脂的固化产物或氧化产物的涂布的基底。

公开(公告)号：CN1662578A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814811.0

申请日：2003-06-27

Applicant: LG·化学株式会社

Inventor： 姜晶元 ,  文明善 ,  高敏镇 ,  姜贵权 ,  申东析 ,  南惠映 ,  金永得 ,  催范圭 ,  金秉鲁 ,  朴相敃

IPC: C08G77/06 ,  H01L21/31 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L21/3121 ,  C08G77/48 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物，特别涉及一种有机硅酸盐聚合体，所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备：混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物，然后加入水和催化剂以进行水解和缩合，而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物，用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质，本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法，及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体；一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜，其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰；通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能，可阻止相分离，可容易地控制微孔，因为在固化过程中有机物质热分解形成孔，而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。

公开(公告)号：CN1209365C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN99108031.9

申请日：1999-06-10

Applicant: 德古萨股份公司

Inventor： 汉斯-德特勒夫·卢京斯兰德 ,  克里斯托夫·巴茨-佐恩

IPC: C07F7/18 ,  C08G77/392 ,  C08L21/00 ,  C08K5/54 ,  C09C1/28 ,  B29D30/06

CPC classification number: C08G77/485 ,  C08G77/48 ,  C08K5/548 ,  C08L21/00

Abstract: 本发明涉及低聚有机硅烷聚硫烷，它是由三种结构单元A和/或B和/或C构成的。其中Y＝H，CN，-(CH2)nSiRR1R；R，R1，R2和R3各自表示H，(C1-C4)烷基，(C1-C4)烷氧基，卤素或OSiR1R2R3基团；x、z的统计平均值分别是1-6，2-6；n是1-8；o，p和q各自是1-40的正整数，o+p+q≥2和＜40；其前提条件是存在至少一种结构单元A或B，和该聚硫烷在橡胶及模塑制品尤其气胎的应用。

公开(公告)号：CN1273975A

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：CN99108031.9

申请日：1999-06-10

Applicant: 德古萨-于尔斯股份公司

Inventor： 汉斯-德特勒夫·卢京斯兰德 ,  克里斯托夫·巴茨-佐恩

IPC: C07F7/18 ,  C08G77/392 ,  C08L21/00 ,  C08K5/54 ,  C09C1/28 ,  B29D30/06

CPC classification number: C08G77/485 ,  C08G77/48 ,  C08K5/548 ,  C08L21/00

Abstract: 本发明涉及低聚有机硅烷聚硫烷,它是由三种结构单元A和/或B和/或C构成的。其中Y=H,CN,－(CH2)nSiRR1R;R,R1,R2和R3各自表示H,(C1－C4)烷基,(C1－C4)烷氧基,卤素或O SiR1R2R3基团;x、z的统计平均值分别是1—6,2—6;n是1—8;o,p和q各自是1—40的正整数,o+p+q≥2和