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公开(公告)号：CN109850842B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910163123.X
申请日：2019-03-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品进行清洗和腐蚀处理，以去除单晶硅样品表面的自然氧化层，并获得氢原子或羟基终止的单晶硅表面；S2、对单晶硅表面进行去离子水冲洗后，依次再放入酒精溶液和去离子水中超声清洗，以去除单晶硅表面污染；S3、利用扫描探针显微镜上的探针对单晶硅表面进行加工，探针以设定接触压力、接触时间或循环次数在加工位置反复进行压入‑分离操作，从而去除加工位置处的硅原子获得无晶格缺陷的纳米坑。该方法对加工环境无特殊要求，加工表面晶格保持完整，基底材料无残余损伤，加工获得的纳米坑结构具有高可靠服役性能；加工步骤简单且灵活性高，加工成本低。
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公开(公告)号：CN118003223A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410116290.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 西南交通大学
IPC: B24B29/02 , B24B1/00 , B24B47/12 , B24B57/02 , B24B57/00 , B24B41/06 , B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 本发明公开了一种用于零件狭长内孔表面的绳式抛光方法，包括以下步骤：S1、获取待抛光件；S2、获取待抛光面/孔的尺寸及待抛光件的其它信息，制作抛光绳、设定抛光机参数和选择抛光液；S3、安装抛光绳、固定抛光件、写入抛光控制程序；S4、抛光机器根据控制程序进行抛光；S5、检查抛光是否达到应有效果，如果“是”就结束，否则重新进行抛光。本发明所提供的一种用于零件狭长内孔表面的绳式抛光方法，通过缠有抛光材料的抛光绳穿过狭长内孔，利用其高速旋转对工件内壁进行磨削抛光加工，同时工件运动，实现对工件的狭长内孔表面的随形抛光。
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公开(公告)号：CN110048435B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201910269498.4
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 西南交通大学 , 南方电网科学研究院有限责任公司
IPC: H02J3/24
Abstract: 本发明公开了一种基于Jensen不等式的电力广域时滞控制器设计方法，用于为广域系统设计时滞稳定控制器，提高闭环系统时滞稳定裕度，该方法步骤如下：步骤1，随机生成待求系统初代控制器参数；步骤2，建立无时滞时闭环系统状态空间模型；步骤3，对无时滞时稳定的闭环系统，应用二分法迭代调用Jensen不等式时滞判据求取允许的时滞稳定上限；步骤4，应用差分进化算法的交叉、变异及选择操作生成新一代控制器参数；步骤5，判断迭代次数达上限或前后两次最优允许时滞稳定上限差是否小于指定值，如是，进入步骤6，否则返回步骤2；步骤7，输出最优控制器参数及其时滞稳定上限，结束操作。
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公开(公告)号：CN114702843B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210503884.7
申请日：2022-05-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: C09D1/00 , C09D7/61 , C09D7/65 , C10M103/06 , C10N30/06
Abstract: 本发明公开一种改善大气环境下二硫化钼涂层摩擦磨损性能的方法，应用于能量摩擦耗散技术领域，针对现有的二硫化钼在大气环境下摩擦磨损性能急剧恶化的问题；本发明通过将二硫化钼粉末、表面活性剂和碳酸钠加入去离子水中配成二硫化钼混合溶液A，然后对混合溶液A进行超声处理；将混合溶液滴到硅基底上并进行真空加热处理；本发明方法通过加入碳酸钠降低了大气环境下二硫化钼涂层的氧化程度，从而有效改善其摩擦磨损性能。
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公开(公告)号：CN114956064A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210498061.X
申请日：2022-05-07
Applicant: 西南交通大学
IPC: C01B32/194 , B05D3/04
Abstract: 本发明公开了一种基于退火处理以改善石墨烯宏观润滑性能的方法，包括如下步骤：S1、将石墨烯粉末、去离子水和表面活性剂混合，得到混合溶液A；S2、将所述混合溶液A进行超声处理；S3、将所述混合溶液A滴定于二氧化硅基底上，干燥后在高纯氩气下进行退火处理；S4、将石墨烯/二氧化硅样品迅速空冷至30℃左右，即可获得宏观润滑性能优异的石墨烯涂层。本发明所提供的一种基于退火处理以改善石墨烯宏观润滑性能的方法，降低了石墨烯在大气环境下的氧化程度及缺陷密度，从而改善大气环境下石墨烯的润滑性能。本发明的方法简单易行，成本极低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114888646A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210693694.6
申请日：2022-06-18
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高速轴承用多孔聚酰亚胺表面的研磨抛光方法，包括如下步骤：S1、分别使用不同目数的碳化硅砂纸对多孔聚酰亚胺材料表面进行打磨，将表面打磨平整；S2、分别使用不同研磨颗粒大小的氧化铝研磨膏，将其均匀铺撒在抛光垫上，在高速研磨机上进行研磨，实现表面精抛，多孔聚酰亚胺表面达到镜面平整；S3、分别用无水乙醇和去离子水超声清洗多孔聚酰亚胺表面，清洗残存的研磨颗粒。本发明方法可以降低高速轴承用多孔聚酰亚胺的表面粗糙度，提高其润滑性能，同时减少磨损过程中相应的黑色物质产生，延长聚酰亚胺轴承保持架的使用寿命，且方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN109437085A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811249602.5
申请日：2018-10-25
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品表面进行清洗以去除表面杂质；S2、通过机械刻划加工设备利用探针在单晶硅样品表面按设定的加工参数进行扫描加工；S3、配置刻蚀溶液，并将盛有刻蚀溶液的容器放置于磁力搅拌器中水浴加热并保持恒温，调制转子转速并保持恒定；S4、将经步骤S2处理后的单晶硅样品冲洗之后，浸入到步骤S3的容器中进行刻蚀，刻蚀时间为10～30min，取出并再次分别对单晶硅样品表面进行清洗即可。该方法通过在化学刻蚀中施加外场的方法来保持刻蚀溶液的高速流动，从而及时有效地带走单晶硅表面生成的反应产物，保证单晶硅表面微/纳结构的质量，同时加快了化学刻蚀的效率且不会对纳米结构造成任何损伤。
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公开(公告)号：CN102503155B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201110392803.2
申请日：2011-12-01
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的玻璃表面纳米加工方法，主要应用于玻璃表面微纳米结构的加工。其具体操作方法是：将尖端为球状的探针安装在原子力显微镜上，将清洗过的玻璃固定在样品台上，启动原子力显微镜，给探针施加定载荷F或者变载荷F′，并使探针沿着设定的扫描轨迹，循环次数N和扫描速率v在玻璃表面进行扫描；扫描后将玻璃置于质量浓度为10‑20％的HF溶液中，腐蚀5‑10秒，即可。该方法不需要模版或掩膜，单次腐蚀就能在玻璃表面加工斜面、台阶、阵列等三维纳米图案；其加工流程极其简便，腐蚀速率极快，是一种简单、精确、高效的玻璃表面的纳米加工方法。
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公开(公告)号：CN105181501B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510488002.4
申请日：2015-08-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01N3/56
Abstract: 本发明公开了一种真空下多探针摩擦磨损测试及原位形貌探测系统，包括主体和外部手动驱动装置；所述主体包括腔体上盖、安装在腔体上盖上面用于密封的光窗顶盖和安装腔体上盖内部的多探针组件；其能在高真空下实现对具有不同功能的SPM针尖切换，使摩擦学测试及原位形貌探测在高真空环境下可相继完成，且原位定位精度较高。由于更换针尖时无须打开腔体，确保了实验样品不受外界因素干扰，使实验所得结果更为真实可信；不仅如此，也节省了实验前期设备调整校准时间，提高实验效率。
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公开(公告)号：CN103738916B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310732192.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法，其具体操作是：将尖端为球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上，将清洗过的砷化镓固定在样品台上；启动扫描探针显微镜，给探针施加0.5‑1GPa的接触压力，并使探针按照设定的扫描轨迹、扫描循环次数在砷化镓表面进行扫描。该方法能在不同晶面、不同掺杂类型的砷化镓表面加工各种纳米凹结构，所需的接触压力不引起基体晶格缺陷，且其操作简单、位置可控、灵活性高。
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