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公开(公告)号:CN118003223A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410116290.X
申请日:2024-01-26
Applicant: 西南交通大学
IPC: B24B29/02 , B24B1/00 , B24B47/12 , B24B57/02 , B24B57/00 , B24B41/06 , B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 本发明公开了一种用于零件狭长内孔表面的绳式抛光方法,包括以下步骤:S1、获取待抛光件;S2、获取待抛光面/孔的尺寸及待抛光件的其它信息,制作抛光绳、设定抛光机参数和选择抛光液;S3、安装抛光绳、固定抛光件、写入抛光控制程序;S4、抛光机器根据控制程序进行抛光;S5、检查抛光是否达到应有效果,如果“是”就结束,否则重新进行抛光。本发明所提供的一种用于零件狭长内孔表面的绳式抛光方法,通过缠有抛光材料的抛光绳穿过狭长内孔,利用其高速旋转对工件内壁进行磨削抛光加工,同时工件运动,实现对工件的狭长内孔表面的随形抛光。
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公开(公告)号:CN117817533A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410112212.2
申请日:2024-01-26
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种面向具有微细内孔零件的绳式抛光装置,包括机体模块,机体模块内设有抛光液循环模块、工件固定运动模块和抛光绳控制模块。待抛光工件安装在工件固定运动模块上,在抛光液循环模块提供抛光液的情况下,通过抛光绳控制模块完成工件的光整加工。本发明所提供的一种面向具有微细内孔零件的绳式抛光装置,通过带有抛光工作段的抛光绳穿过狭长内孔,利用其高速旋转对具有微细内孔零件内壁进行磨削抛光加工。同时工件进行多自由度运动,实现对具有狭长内孔特征零件内孔的随形抛光。该装置的抛光效率高,抛光质量、抛光均匀性较好。
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公开(公告)号:CN118165652A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410291536.7
申请日:2024-03-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液,包括0~40wt%的研磨颗粒、0.01~15wt%的抛光增速剂、0~5wt%的复配选择吸附剂、去离子水和pH值调节剂,pH值调节剂用于调节抛光液的pH值为6~11.5,wt%表示质量百分比。本发明所提供的一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液,通过添加一定质量分数的抛光增速剂和对底层材料具有选择吸附性的复配选择吸附剂,使得异质结构表面硅材料获得每分钟超过微米级的材料去除速率和具有亚纳米精度的硅表面,并实现对底层氮化硅/氧化硅/金属铜材料的高去除选择比,有效提升了异质结构表面硅材料的抛光效率、半导体器件的成品率和可靠性,并提供该抛光液的应用方法。
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