公开(公告)号：CN118165652A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410291536.7

申请日：2024-03-14

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 陈磊 ,  党社会 ,  刘帅 ,  张登毅 ,  雒春升 ,  吴庆果 ,  程力 ,  钱林茂

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液，包括0～40wt％的研磨颗粒、0.01～15wt％的抛光增速剂、0～5wt％的复配选择吸附剂、去离子水和pH值调节剂，pH值调节剂用于调节抛光液的pH值为6～11.5，wt％表示质量百分比。本发明所提供的一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液，通过添加一定质量分数的抛光增速剂和对底层材料具有选择吸附性的复配选择吸附剂，使得异质结构表面硅材料获得每分钟超过微米级的材料去除速率和具有亚纳米精度的硅表面，并实现对底层氮化硅/氧化硅/金属铜材料的高去除选择比，有效提升了异质结构表面硅材料的抛光效率、半导体器件的成品率和可靠性，并提供该抛光液的应用方法。