公开(公告)号：CN119993876A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510202188.6

申请日：2025-02-24

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 陈磊 ,  徐可可 ,  缑洪遴 ,  雒春升 ,  肖晨 ,  钱林茂

IPC: H01L21/67 ,  B08B1/12 ,  B08B1/34 ,  B08B13/00 ,  B08B1/20

Abstract: 本发明公开了一种具有接触力测控的晶圆滚刷旋转刷洗装置，包括旋转平台电机、箱体、梁、滚刷电机、后压力传感器、微型模组、滚刷电机轴、滚刷和前压力传感器，所述旋转平台电机位于箱体的底部，梁的一端安装于箱体内，另一端穿过箱体与前压力传感器相连，所述后压力传感器与梁连接并位于箱体内。所述滚刷电机位于箱体内，滚刷电机的转轴端与滚刷电机轴的端部相连，滚刷电机轴与滚刷相连，滚刷的另一端与连接件相连。

公开(公告)号：CN118165652A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410291536.7

申请日：2024-03-14

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 陈磊 ,  党社会 ,  刘帅 ,  张登毅 ,  雒春升 ,  吴庆果 ,  程力 ,  钱林茂

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液，包括0～40wt％的研磨颗粒、0.01～15wt％的抛光增速剂、0～5wt％的复配选择吸附剂、去离子水和pH值调节剂，pH值调节剂用于调节抛光液的pH值为6～11.5，wt％表示质量百分比。本发明所提供的一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液，通过添加一定质量分数的抛光增速剂和对底层材料具有选择吸附性的复配选择吸附剂，使得异质结构表面硅材料获得每分钟超过微米级的材料去除速率和具有亚纳米精度的硅表面，并实现对底层氮化硅/氧化硅/金属铜材料的高去除选择比，有效提升了异质结构表面硅材料的抛光效率、半导体器件的成品率和可靠性，并提供该抛光液的应用方法。

公开(公告)号：CN116313899A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310046898.5

申请日：2023-01-31

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 杨铸 ,  钱林茂 ,  雒春升 ,  石鹏飞

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  B08B11/00 ,  B08B11/02 ,  B08B1/00 ,  B08B1/02 ,  B08B3/04

Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗装置、系统及系统的工作方法，装置包括用于真空吸盘，真空吸盘上方设有一体式的清洗执行机构，清洗执行机构一端连接有驱动机构；清洗执行机构包括刷头，刷头套设在传动转轴上，传动转轴内设有至少一路清洗液管路，清洗液管路连接有管路支撑轴，清洗液管路的一端沿管路支撑轴的长度方向往外延伸，清洗液管路的另一端靠设有多个出液口，传动转轴和刷头相对于出液口的位置设有多个导液孔。本发明的结构更加紧凑，控制更加便捷，提高了晶圆的刷洗效率。通过刷头结构的设计使得刷头旋转过程中输液管路不会随着刷头一起进行旋转，从而清洗液不会伴随着刷头的旋转运动产生飞溅和浪费。