公开(公告)号：CN118165652A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410291536.7

申请日：2024-03-14

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 陈磊 ,  党社会 ,  刘帅 ,  张登毅 ,  雒春升 ,  吴庆果 ,  程力 ,  钱林茂

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液，包括0～40wt％的研磨颗粒、0.01～15wt％的抛光增速剂、0～5wt％的复配选择吸附剂、去离子水和pH值调节剂，pH值调节剂用于调节抛光液的pH值为6～11.5，wt％表示质量百分比。本发明所提供的一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液，通过添加一定质量分数的抛光增速剂和对底层材料具有选择吸附性的复配选择吸附剂，使得异质结构表面硅材料获得每分钟超过微米级的材料去除速率和具有亚纳米精度的硅表面，并实现对底层氮化硅/氧化硅/金属铜材料的高去除选择比，有效提升了异质结构表面硅材料的抛光效率、半导体器件的成品率和可靠性，并提供该抛光液的应用方法。

公开(公告)号：CN116356328A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310107665.1

申请日：2023-02-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 陈磊 ,  魏鑫 ,  陈香 ,  石炜 ,  钱林茂 ,  程力 ,  刘阳钦

IPC: C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种用于镍基单晶高温合金各向异性等速去除的抛光液，包括以下重量份原料：0.01～40wt％的研磨颗粒、0.01～10wt％的金属氧化剂和0.01～10wt％的金属络合剂，其余组分为去离子水和pH值调节剂，抛光液的pH值为2～10；研磨颗粒包括金刚石材料和/或金属氧化物。本发明公开的用于镍基单晶高温合金各向异性等速去除的抛光液，可以通过调整氧化剂浓度和pH值对镍基单晶高温合金不同晶面的各向异性进行等速去除，并且使得镍基单晶高温合金获得亚纳米级表面粗糙度和趋近于零的亚表面损伤。