一种真空下多探针摩擦磨损测试及原位形貌探测系统

    公开(公告)号:CN105181501B

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201510488002.4

    申请日:2015-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种真空下多探针摩擦磨损测试及原位形貌探测系统,包括主体和外部手动驱动装置;所述主体包括腔体上盖、安装在腔体上盖上面用于密封的光窗顶盖和安装腔体上盖内部的多探针组件;其能在高真空下实现对具有不同功能的SPM针尖切换,使摩擦学测试及原位形貌探测在高真空环境下可相继完成,且原位定位精度较高。由于更换针尖时无须打开腔体,确保了实验样品不受外界因素干扰,使实验所得结果更为真实可信;不仅如此,也节省了实验前期设备调整校准时间,提高实验效率。

    平面度自补偿的大面积微加工用多针尖阵列制备方法

    公开(公告)号:CN105858595B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201610207578.3

    申请日:2016-04-06

    Abstract: 一种平面度自补偿的大面积微加工用多针尖阵列制备方法,其作法是:在载玻片(4)上镀一层蜡片薄膜(3),并在蜡片薄膜(3)上形成均匀排列的凹槽(2);将微球(6)逐个置于各个凹槽(2)中,再用玻片(7)将微球(6)压入蜡片薄膜使所有的微球(6)均接触到载玻片(3);将弹性材料片(10)粘接在平整的针尖板(8)上,再涂一层紫外胶(11)。将针尖板(8)的紫外胶面平压在微球(6)上,同时紫外照射紫外胶,使紫外胶固化,微球(6)粘接在针尖板(8)上;最后将蜡片薄膜融化,取走载玻片(4),清洗掉微球(6)表面残留的蜡,即得。该法加工出的多针尖阵列平面度好,各针尖的高度一致;且其制备简单、成本低、易于实施。

    一种真空下多探针摩擦磨损测试及原位形貌探测系统

    公开(公告)号:CN105181501A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510488002.4

    申请日:2015-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种真空下多探针摩擦磨损测试及原位形貌探测系统,包括主体和外部手动驱动装置;所述主体包括腔体上盖、安装在腔体上盖上面用于密封的光窗顶盖和安装腔体上盖内部的多探针组件;其能在高真空下实现对具有不同功能的SPM针尖切换,使摩擦学测试及原位形貌探测在高真空环境下可相继完成,且原位定位精度较高。由于更换针尖时无须打开腔体,确保了实验样品不受外界因素干扰,使实验所得结果更为真实可信;不仅如此,也节省了实验前期设备调整校准时间,提高实验效率。

    基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法

    公开(公告)号:CN106567131B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201610981246.0

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法,包括以下步骤:S1、将单晶硅(100)表面清洗干净,对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理;S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑;S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀,得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法,采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法,即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构,该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。

    基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法

    公开(公告)号:CN106567131A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610981246.0

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法,包括以下步骤:S1、将单晶硅(100)表面清洗干净,对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理;S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑;S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀,得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法,采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法,即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构,该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。

    平面度自补偿的大面积微加工用多针尖阵列制备方法

    公开(公告)号:CN105858595A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610207578.3

    申请日:2016-04-06

    CPC classification number: B81C3/001

    Abstract: 一种平面度自补偿的大面积微加工用多针尖阵列制备方法,其作法是:在载玻片(4)上镀一层蜡片薄膜(3),并在蜡片薄膜(3)上形成均匀排列的凹槽(2);将微球(6)逐个置于各个凹槽(2)中,再用玻片(7)将微球(6)压入蜡片薄膜使所有的微球(6)均接触到载玻片(3);将弹性材料片(10)粘接在平整的针尖板(8)上,再涂一层紫外胶(11)。将针尖板(8)的紫外胶面平压在微球(6)上,同时紫外照射紫外胶,使紫外胶固化,微球(6)粘接在针尖板(8)上;最后将蜡片薄膜融化,取走载玻片(4),清洗掉微球(6)表面残留的蜡,即得。该法加工出的多针尖阵列平面度好,各针尖的高度一致;且其制备简单、成本低、易于实施。

Patent Agency Ranking