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公开(公告)号：CN104716122A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410773627.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/12042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01Q13/08 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件封装件，包括封装剂和半导体芯片。半导体芯片至少部分地嵌入在封装剂中。包括至少一个导电壁结构的微波组件被集成在封装剂中。另外，半导体器件封装件包括被配置为将微波组件电耦合到半导体芯片的电互连。
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公开(公告)号：CN113113390A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110039511.4
申请日：2021-01-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/66
Abstract: 本公开的各实施例涉及具有射频芯片和波导结构的射频装置。射频装置包括半导体封装，该半导体封装包括射频芯片和射频天线。半导体封装被设计为通过半导体封装的至少一个连接元件与电路板进行机械和电气连接，其中半导体封装的表面朝向电路板。射频装置还包括波导结构，该波导结构被定向在与半导体封装的表面平行的方向上，其中射频天线被设计用于以下至少一项：在与半导体封装的表面平行的方向上向波导结构中辐射，或者在与半导体封装的表面平行的方向上通过波导结构接收信号。
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公开(公告)号：CN111524870A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010079713.7
申请日：2020-02-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/66 , H01L21/50 , G01S7/02 , H01P5/08
Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一个连接元件，被布置在基底的第一表面上，用于将基底与电路板电连接和机械连接；以及雷达半导体芯片，被布置在基底的第一表面上。
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公开(公告)号：CN105374802B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201510474094.0
申请日：2015-08-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01P5/107 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01P1/042 , H01P11/002 , H01P11/003 , H04B5/00
Abstract: 本发明提供了微波芯片封装器件。种微波器件包括:包括微波半导体芯片的半导体封装和与半导体封装相关联的波导部分。波导部分被配置成传递微波波导信号。波导部分包括个或多个块。微波器件进步包括被配置成将来自微波半导体芯片的微波信号变换成微波波导信号或将微波波导信号变换成用于微波半导体芯片的微波信号的变换器元件。
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公开(公告)号：CN119008601A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410610543.9
申请日：2024-05-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括基板集成波导的芯片封装件。一种芯片封装件包括半导体芯片和基板集成波导。基板集成波导包括第一金属层、布置在第一金属层之上的第二金属层和布置在第一金属层与第二金属层之间的电介质基板。芯片封装件还包括形成在第二金属层中的槽以及电耦合半导体芯片和第二金属层的信号线。当在垂直于第二金属层的方向上观察时，信号线与槽交叉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104602449B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410563373.X
申请日：2014-10-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01P5/107 , H01P3/12 , H04B10/2575 , H04B10/572 , H05K1/0206 , H05K1/024 , H05K1/0242 , H05K1/0251 , H05K1/116 , H05K1/181 , H05K3/4697
Abstract: 本发明公开了一种用于毫米波电路板的系统和方法。根据一个实施例，一种电路板包括第一导电层的至少一部分的信号线，该信号线具有在电路板中的空腔之上自该空腔的第一侧面延伸的第一部分。该电路板还包括包围该空腔的第一多个导电导通孔，并且该第一多个导通孔包括邻近空腔的第一侧面布置的至少一个盲孔。
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公开(公告)号：CN104716122B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410773627.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/12042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01Q13/08 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件封装件，包括封装剂和半导体芯片。半导体芯片至少部分地嵌入在封装剂中。包括至少一个导电壁结构的微波组件被集成在封装剂中。另外，半导体器件封装件包括被配置为将微波组件电耦合到半导体芯片的电互连。
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公开(公告)号：CN119297569A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410879524.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及RF模块。第一器件在PCB第二侧上，电连接到第一信号线。第二器件在PCB第二侧上，电连接到第二信号线。RF模块包括与第一器件关联的第一RF端口，第一器件包括生成LO信号的LO，电路板包括在第一RF端口和与第一中空波导关联的第一波导端口之间的第一开口，第一开口将LO信号从第一RF端口传递到第一中空波导中。RF模块包括与第二器件关联的第二RF端口，电路板包括在第二RF端口和与第一波导关联的第二波导端口之间的第二开口，第二开口从第一中空波导接收LO信号。第二器件基于接收的LO信号处理第一RF信号。RF模块包括与第二器件关联的第三RF端口，电路板包括在第三RF端口和与第二中空波导关联的第三波导端口之间传递第一RF信号的第三开口。
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公开(公告)号：CN104425422B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410437698.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/568 , H01L21/76838 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L23/60 , H01L24/19 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L2223/6633 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/85 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本公开涉及功能化的重分布层，具体提供了一种电子器件，其包括：至少一个互连、包括至少一个电芯片焊盘的半导体芯片、对半导体芯片的至少一部分进行封装的包封结构、以及被布置在至少一个互连与至少一个芯片焊盘之间并且与其电耦合的导电重分布层，其中重分布层包括至少一个调整结构，该至少一个调整结构被配置用于调整半导体芯片与其外围之间的过渡的射频性质。
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公开(公告)号：CN104425422A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410437698.3
申请日：2014-08-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/568 , H01L21/76838 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L23/60 , H01L24/19 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L2223/6633 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/85 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本公开涉及功能化的重分布层，具体提供了一种电子器件，其包括：至少一个互连、包括至少一个电芯片焊盘的半导体芯片、对半导体芯片的至少一部分进行封装的包封结构、以及被布置在至少一个互连与至少一个芯片焊盘之间并且与其电耦合的导电重分布层，其中重分布层包括至少一个调整结构，该至少一个调整结构被配置用于调整半导体芯片与其外围之间的过渡的射频性质。
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