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公开(公告)号：CN101996979A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010241077.X
申请日：2010-07-30
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/645 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/12034 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/1515 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/157 , H01L2924/1903 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01Q1/38 , H01Q19/24 , H01Q19/30 , H05K1/024 , H05K1/141 , H05K1/16 , H05K2201/0191 , H05K2201/09036 , H05K2201/10674 , H01L2924/00 , H01L2924/20752
摘要： 本发明公开了中介层、包括该中介层的模块及电子装置。所述中介层包括：基板，它具有正面和背面；布线，它形成在所述基板的正面侧上并且与半导体芯片电连接；电气元件，它与所述布线连接；以及凹部，它在对应于所述电气元件的位置处从所述基板的背面侧形成。所述模块包括上述中介层和安装在该中介层上的半导体芯片。所述电子装置包括上述中介层、安装在该中介层上的半导体芯片以及用于安装该中介层的安装基板。利用本发明实施例的中介层，能够简化制造步骤，并且该中介层表现出较好的高频特性。对于本发明实施例的包括上述中介层的模块及电子装置，能够提高可靠性和产率。
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公开(公告)号：CN107851651A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041625.X
申请日：2016-07-08
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/12
CPC分类号： H01L27/14618 , G02B7/09 , G03B13/36 , H01L24/96 , H01L27/14 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L2224/16225 , H01L2224/95001 , H01L2224/97 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H04N5/335
摘要： 本技术涉及一种其能够提供能够处理图像传感器中的I/O数量的增加的图像传感器封装的半导体装置、一种制造半导体装置的方法以及一种电子设备。所述半导体装置设置有：图像传感器，其包括形成在半导体基板上的光电转换元件；玻璃基板，其设置在所述图像传感器的第一主表面侧上；布线层，其形成在所述图像传感器的与所述第一主表面相反的一侧的第二主表面侧；以及外部端子，用于将来自图像传感器的信号输出到外部。所述布线层中的金属布线形成为从图像传感器的内部向外周延伸并连接到外部端子。例如，本技术可以应用于图像传感器封装等。
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公开(公告)号：CN104299916A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410325675.3
申请日：2014-07-09
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/486 , G02F1/136286 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H05K1/115 , H05K1/185 , H05K1/186 , H05K3/10 , H05K3/30 , H05K3/42 , H05K3/4605 , H05K3/4697 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155
摘要： 本发明的实施例提供配线基板及制造方法，部件嵌入式玻璃基板及制造方法。该配线基板具有包括贯通玻璃通路的配线且该配线基板由玻璃基板形成。该配线基板的制造方法包括：形成穿透配线基板且被图案化的变化层；将配线形成在已形成有变化层的配线基板的前表面上；以及将电极材料填充在通过移除变化层而形成的孔中，由此形成贯通玻璃通路，该贯通玻璃通路连接配线基板的前表面上的配线与配线基板的背表面侧的配线。
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公开(公告)号：CN107851651B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201680041625.X
申请日：2016-07-08
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/12
摘要： 本技术涉及一种其能够提供能够处理图像传感器中的I/O数量的增加的图像传感器封装的半导体装置、一种制造半导体装置的方法以及一种电子设备。所述半导体装置设置有：图像传感器，其包括形成在半导体基板上的光电转换元件；玻璃基板，其设置在所述图像传感器的第一主表面侧上；布线层，其形成在所述图像传感器的与所述第一主表面相反的一侧的第二主表面侧；以及外部端子，用于将来自图像传感器的信号输出到外部。所述布线层中的金属布线形成为从图像传感器的内部向外周延伸并连接到外部端子。例如，本技术可以应用于图像传感器封装等。
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公开(公告)号：CN102005439A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010258686.6
申请日：2010-08-20
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F2017/0046 , H01L2224/16225
摘要： 本发明公开了具有机械强度得到提高的隔膜结构的高频器件。所述高频器件包括：基板，它具有开口；第一介电层，它由对所述基板的材料具有蚀刻选择性的材料形成，并被设置在所述基板上且覆盖所述开口；第二介电层，它位于所述第一介电层上；以及高频元件，它被设置在所述第二介电层上与所述开口相对的位置处。因此，提高了机械强度，并且提高了制造产率。
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公开(公告)号：CN101997506A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010243766.4
申请日：2010-08-02
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H03H7/09
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H03H7/0115 , H03H7/175 , H03H7/1775 , H03H2001/0064 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种高频装置，其能够抑制涡流电流和寄生电容的产生，并且显示出优异的高频特性。该高频装置包括：具有凹陷的基板；该基板之上的电介质层；以及多个电子元件，提供在电介质层中或者电介质层上，并且多个电子元件中的至少一个相对于该凹陷。
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公开(公告)号：CN104299916B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201410325675.3
申请日：2014-07-09
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/12
摘要： 本发明的实施例提供配线基板及制造方法，部件嵌入式玻璃基板及制造方法。该配线基板具有包括贯通玻璃通路的配线且该配线基板由玻璃基板形成。该配线基板的制造方法包括：形成穿透配线基板且被图案化的变化层；将配线形成在已形成有变化层的配线基板的前表面上；以及将电极材料填充在通过移除变化层而形成的孔中，由此形成贯通玻璃通路，该贯通玻璃通路连接配线基板的前表面上的配线与配线基板的背表面侧的配线。
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公开(公告)号：CN105474396A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046020.0
申请日：2014-08-21
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14629 , H01L27/14663 , H01L27/14685
摘要： 提供了一种辐射检测器(1)，其包括：多个光电转换装置(20)，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层(15)内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面(20A)；以及多个闪烁器晶体(30)，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。
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公开(公告)号：CN101996979B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010241077.X
申请日：2010-07-30
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/645 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/12034 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/1515 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/157 , H01L2924/1903 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01Q1/38 , H01Q19/24 , H01Q19/30 , H05K1/024 , H05K1/141 , H05K1/16 , H05K2201/0191 , H05K2201/09036 , H05K2201/10674 , H01L2924/00 , H01L2924/20752
摘要： 本发明公开了中介层、包括该中介层的模块及电子装置。所述中介层包括：基板，它具有正面和背面；布线，它形成在所述基板的正面侧上并且与半导体芯片电连接；电气元件，它与所述布线连接；以及凹部，它在对应于所述电气元件的位置处从所述基板的背面侧形成。所述模块包括上述中介层和安装在该中介层上的半导体芯片。所述电子装置包括上述中介层、安装在该中介层上的半导体芯片以及用于安装该中介层的安装基板。利用本发明实施例的中介层，能够简化制造步骤，并且该中介层表现出较好的高频特性。对于本发明实施例的包括上述中介层的模块及电子装置，能够提高可靠性和产率。
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