发明公开
- 专利标题: 辐射检测器、制造辐射检测器的方法、成像单元以及成像显示系统
- 专利标题(英): Radiation detector, method of manufacturing the radiation detector, imaging unit, and imaging and display system
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申请号: CN201480046020.0申请日: 2014-08-21
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公开(公告)号: CN105474396A公开(公告)日: 2016-04-06
- 发明人: 五十岚崇裕 , 畑田出穗 , 儿玉健 , 足立研 , 冈修一 , 御手洗俊 , 大岛居英 , 柳川周作 , 松本一治
- 申请人: 索尼公司
- 申请人地址: 日本国东京都港区港南1-7-1
- 专利权人: 索尼公司
- 当前专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址: 日本国东京都港区港南1-7-1
- 代理机构: 北京正理专利代理有限公司
- 代理商 付生辉; 张雪梅
- 优先权: 2013-177175 2013.08.28 JP; 2014-117766 2014.06.06 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/004290 2014.08.21
- 国际公布: WO2015/029389 EN 2015.03.05
- 进入国家日期: 2016-02-19
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
提供了一种辐射检测器(1),其包括:多个光电转换装置(20),每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层(15)内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面(20A);以及多个闪烁器晶体(30),所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触,其中,所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。
IPC分类: