-
公开(公告)号：CN102065650B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010543622.0
申请日：2010-11-08
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H05K1/162 , H05K2201/09509 , H05K2201/09763 , H05K2203/125
Abstract: 本发明提供一种印刷电路板及其制造方法，该制造方法包括：电容元件形成步骤，在基板内的基板树脂层中埋设电容元件，该基板包括与插设在其间的基板树脂层层叠的多个配线层，该电容元件形成步骤包括采用多个配线层之一上的导电层或者采用多个配线层之一形成下电极；在基板树脂层的耐热温度以下且室温以上的温度下形成含结晶金属氧化物的电容器电介质膜；以及在电容器电介质膜的在与下电极相反的一侧的上表面上形成上电极。
-
公开(公告)号：CN102821545A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210167121.6
申请日：2012-05-25
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01G4/005 , H01G4/33 , H01L21/4857 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/162 , H05K3/4652 , Y10T156/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种多层布线板、其制造方法以及半导体装置，所述多层布线板包括：功能区，其包括在上电极和下电极之间具有介电层的薄膜电容器；和除功能区以外的周边区，其中，在周边区的至少一部分中设有层叠有介电层和导电层的系泊部，并且导电层的与介电层接触的表面的粗糙度大于上电极或下电极的与介电层接触的表面的粗糙度。本发明可抑制功能区中的在薄膜电容器的上电极或下电极与介电层之间的界面处的剥离，并且可延长产品寿命。
-
公开(公告)号：CN105474396A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046020.0
申请日：2014-08-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14663 , H01L27/14685
Abstract: 提供了一种辐射检测器(1)，其包括：多个光电转换装置(20)，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层(15)内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面(20A)；以及多个闪烁器晶体(30)，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。
-
公开(公告)号：CN1264205C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03138457.9
申请日：2003-03-26
IPC: H01L21/316 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01L28/40
Abstract: 进行一种用于淀积非晶金属氧化膜，例如非晶氧化钽膜的膜淀积工艺以及一种用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理工艺，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态，且所述离子和自由基反应在高于5mA/cm2的离子电流密度下至少包含氧，因此，在整个工艺中低温处理成为可能。另外，由于可以淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜，非晶金属氧化膜可以有很高的可靠性并能低廉地生产。通过低温处理可低廉地制造膜特性极好的非晶氧化钽膜。同样，当制造具有非晶金属氧化膜的电容元件和半导体器件时，可以通过低温处理淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜并且可制造高可靠性的电容元件和半导体器件。
-
公开(公告)号：CN106716612A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580048381.3
申请日：2015-09-08
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本技术的一个实施例的制造安装基板的方法包括以下三个步骤：(1)在半导体层上形成多个电极并且然后在面对电极的每个位置处形成一个焊料凸块的步骤；(2)利用涂层覆盖所述焊料凸块并且使用涂层作为掩模选择性地蚀刻半导体层以将半导体层分离成多个元件的步骤；(3)去除涂层并且然后将多个元件安装在布线基板上以便焊料凸块面向布线基板从而形成安装基板的步骤。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1455441A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03138457.9
申请日：2003-03-26
IPC: H01L21/316 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01L28/40
Abstract: 进行一种用于淀积非晶金属氧化膜，例如非晶氧化钽膜的膜淀积工艺以及一种用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理工艺，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态，且所述离子和自由基反应在高于5mA/cm2的离子电流密度下至少包含氧，因此，在整个工艺中低温处理成为可能。另外，由于可以淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜，非晶金属氧化膜可以有很高的可靠性并能低廉地生产。通过低温处理可低廉地制造膜特性极好的非晶氧化钽膜。同样，当制造具有非晶金属氧化膜的电容元件和半导体器件时，可以通过低温处理淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜并且可制造高可靠性的电容元件和半导体器件。
-
公开(公告)号：CN106256055A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201580023164.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/022 , G02B6/12 , G02B6/42 , H01L31/0232
Abstract: 根据本公开的光电模块设置有光学元件，该光学元件具有包含第一基底材料的光功能元件阵列以及包含不同于第一基底材料的第二基底材料的多个光接收元件/发光元件。光功能元件阵列具有包括第一表面和第二表面的光学基板，和与光学基板集成并在第一表面上一维或二维地设置的多个光功能元件。光接收元件/发光元件中的每一个与光功能元件中的每一个被设置为隔着光学基板彼此面对并且使得相对于光学基板在垂直方向上共轴布置。光接收元件/发光元件被设置为以被分成与所述光功能元件阵列中的阵列数量相比更小数量的单元的状态，与第二表面具有间隔。
-
公开(公告)号：CN104233203A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410252677.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 索尼公司
Inventor： 足立研
IPC: C23C14/34 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/645 , B28B3/025 , B28B7/44 , B30B11/027 , B30B15/0017 , B30B15/34
Abstract: 本发明提供了一种能够维持高生产性并抑制模具的消耗的烧结装置、使用这种烧结装置的烧结体的制造方法和靶材，所述烧结装置包括：设置在大气中的非可动部；可动部，所述可动部具有能够收容处理物的模具并且相对于所述非可动部可拆卸地装载；覆盖部件，所述覆盖部件以大致密闭状态包围装载在所述非可动部上的所述可动部并且能够在以大致密闭状态包围所述可动部的状态下使所述可动部与所述非可动部分离。
-
公开(公告)号：CN103170629A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210539292.7
申请日：2012-12-13
Applicant: 索尼公司
IPC: B22F3/14
CPC classification number: B29C67/04 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种烧结机及制造烧结体的方法，所述烧结机包括：模具，其用于容纳加工对象并具有孔，所述孔从所述模具的外侧面向所述模具的内侧延伸；加压构件，其用于对所述模具中的所述加工对象施加压力；以及加热部，其用于加热所述模具中的所述加工对象。本发明能够减小模具外表面的品质变化的影响，从而能够进行稳定的温度测量。
-
公开(公告)号：CN103167748A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210513035.6
申请日：2012-12-04
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H05K3/02 , H05K1/0259 , H05K1/162 , H05K2203/175
Abstract: 本发明公开了一种电路板的制造方法。所述方法包括如下各步骤：使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路；在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；以及在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。根据本发明，提供了能够抑制电介质膜的静电破坏的电路板制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.019 seconds)
