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公开(公告)号：CN1264205C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03138457.9
申请日：2003-03-26
IPC: H01L21/316 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01L28/40
Abstract: 进行一种用于淀积非晶金属氧化膜，例如非晶氧化钽膜的膜淀积工艺以及一种用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理工艺，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态，且所述离子和自由基反应在高于5mA/cm2的离子电流密度下至少包含氧，因此，在整个工艺中低温处理成为可能。另外，由于可以淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜，非晶金属氧化膜可以有很高的可靠性并能低廉地生产。通过低温处理可低廉地制造膜特性极好的非晶氧化钽膜。同样，当制造具有非晶金属氧化膜的电容元件和半导体器件时，可以通过低温处理淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜并且可制造高可靠性的电容元件和半导体器件。
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公开(公告)号：CN103167748A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210513035.6
申请日：2012-12-04
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H05K3/02 , H05K1/0259 , H05K1/162 , H05K2203/175
Abstract: 本发明公开了一种电路板的制造方法。所述方法包括如下各步骤：使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路；在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；以及在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。根据本发明，提供了能够抑制电介质膜的静电破坏的电路板制造方法。
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公开(公告)号：CN102737842A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210080606.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L23/49822 , H01G4/01 , H01G4/33 , H01L21/4846 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种薄膜电容器、安装基板以及该安装基板的制造方法。所述薄膜电容器包括：两个电极层；电介质膜，其介于所述两个电极层之间；开口部，其在厚度方向上贯穿所述两个电极层中至少一个电极层或者贯穿与所述两个电极层中至少一个电极层邻近的处于同一层中的导电层，并贯穿所述电介质膜；以及加固元件，其在所述开口部中将所述电介质膜的侧表面连接到被贯穿的所述电极层的侧表面或被贯穿的所述导电层的侧表面。为此，本发明能够防止电介质膜与上部电极和/或下部电极之间的剥离。
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公开(公告)号：CN1455441A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03138457.9
申请日：2003-03-26
IPC: H01L21/316 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01L28/40
Abstract: 进行一种用于淀积非晶金属氧化膜，例如非晶氧化钽膜的膜淀积工艺以及一种用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理工艺，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态，且所述离子和自由基反应在高于5mA/cm2的离子电流密度下至少包含氧，因此，在整个工艺中低温处理成为可能。另外，由于可以淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜，非晶金属氧化膜可以有很高的可靠性并能低廉地生产。通过低温处理可低廉地制造膜特性极好的非晶氧化钽膜。同样，当制造具有非晶金属氧化膜的电容元件和半导体器件时，可以通过低温处理淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜并且可制造高可靠性的电容元件和半导体器件。
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