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公开(公告)号：CN1855725B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN200610066681.7
申请日：2006-04-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K19/0185 , H01L27/02
CPC classification number: H03K19/018521 , H01L27/0928 , H01L27/105 , H03K3/356113
Abstract: 本发明提供一种具有低成本、可在低电压下高速工作的I/O电路的半导体集成电路器件，在I/O电路中，当使I/O电压vcc(例如3.3V)降低到vcc 18(例如1.8V)时，引起速度变差的部分是电平转换单元、和用于驱动大型主缓冲器的前置缓冲器部分。着眼于这一情况，通过对升电平转换器(LUC)和前置缓冲器(PBF)的电路施加高电压(电压vcc)，来以低成本实现可在低电压下高速工作的I/O电路。
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公开(公告)号：CN102054834A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010521409.X
申请日：2007-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L24/06 , H01L2224/05553 , H01L2924/12036 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于提供一种有利于抵抗EM和ESD的半导体集成电路器件。该器件设置有：多个I/O单元；由在上述I/O单元之上的多个互连层形成的电源线；键合焊盘，形成在电源线的上层中并处于与I/O单元对应的位置；以及引出区域，能够将I/O单元电耦合到键合焊盘。上述电源线包括第一电源线和第二电源线，上述I/O单元包括：耦合到第一电源线的第一元件和耦合到第二电源线的第二元件。第一元件设置在第一电源线侧且第二元件设置在第二电源线侧。由于在I/O单元之上的互连层，第一电源线和第二电源线可以允许高电流，由此具有抵抗EM和ESD的鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105577145A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510973927.8
申请日：2006-04-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K3/356 , H03K19/0185 , H01L27/092 , H01L27/105
CPC classification number: H03K19/018521 , H01L27/0928 , H01L27/105 , H03K3/356113
Abstract: 本发明提供一种具有低成本、可在低电压下高速工作的I/O电路的半导体集成电路器件，在I/O电路中，当使I/O电压vcc(例如3.3V)降低到vcc_18(例如1.8V)时，引起速度变差的部分是电平转换单元、和用于驱动大型主缓冲器的前置缓冲器部分。着眼于这一情况，通过对升电平转换器(LUC)和前置缓冲器(PBF)的电路施加高电压(电压vcc)，来以低成本实现可在低电压下高速工作的I/O电路。
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公开(公告)号：CN101937916B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010255093.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/00 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/53228 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/49 , H01L27/0255 , H01L27/092 , H01L2224/02166 , H01L2224/05025 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/06102 , H01L2224/06133 , H01L2224/06143 , H01L2224/06153 , H01L2224/06163 , H01L2224/49105 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体设备，包括：半导体芯片；输出电路(11)，在半导体芯片中成行布置，输出电路中的每个包括彼此耦合的第一MISFET(27)和第二MISFET(21)；键合焊盘(4)；布线(M7)，其中的每个布线布置在键合焊盘中的每个之下；导电塞(PG)，其中的每个导电塞布置在键合焊盘中的每个以及布线中的每个之间；接地布线(7)，布置在键合焊盘之下，并且耦合至输出电路中的每个的第一MISFET；以及电源布线(8)，布置在键合焊盘之下，并且耦合至输出电路中的每个的第二MISFET，其中在平面视图中，布线中的每个以及导电塞中的每个位于输出电路中的每个的第一MISFET和第二MISFET之间，以及其中在平面视图中，布线中的每个以及导电塞中的每个位于接地布线和电源布线之间。
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公开(公告)号：CN105577145B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510973927.8
申请日：2006-04-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K3/356 , H03K19/0185 , H01L27/092 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种具有低成本、可在低电压下高速工作的I/O电路的半导体集成电路器件，在I/O电路中，当使I/O电压vcc(例如3.3V)降低到vcc_18(例如1.8V)时，引起速度变差的部分是电平转换单元、和用于驱动大型主缓冲器的前置缓冲器部分。着眼于这一情况，通过对升电平转换器(LUC)和前置缓冲器(PBF)的电路施加高电压(电压vcc)，来以低成本实现可在低电压下高速工作的I/O电路。
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公开(公告)号：CN101685818B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200910205258.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/528 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/53228 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/49 , H01L27/0255 , H01L27/092 , H01L2224/02166 , H01L2224/05025 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/06102 , H01L2224/06133 , H01L2224/06143 , H01L2224/06153 , H01L2224/06163 , H01L2224/49105 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。
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公开(公告)号：CN101937916A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010255093.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/00 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/53228 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/49 , H01L27/0255 , H01L27/092 , H01L2224/02166 , H01L2224/05025 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/06102 , H01L2224/06133 , H01L2224/06143 , H01L2224/06153 , H01L2224/06163 , H01L2224/49105 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体设备，包括：半导体芯片；输出电路(11)，在半导体芯片中成行布置，输出电路中的每个包括彼此耦合的第一MISFET(27)和第二MISFET(21)；键合焊盘(4)；布线(M7)，其中的每个布线布置在键合焊盘中的每个之下；导电塞(PG)，其中的每个导电塞布置在键合焊盘中的每个以及布线中的每个之间；接地布线(7)，布置在键合焊盘之下，并且耦合至输出电路中的每个的第一MISFET；以及电源布线(8)，布置在键合焊盘之下，并且耦合至输出电路中的每个的第二MISFET，其中在平面视图中，布线中的每个以及导电塞中的每个位于输出电路中的每个的第一MISFET和第二MISFET之间，以及其中在平面视图中，布线中的每个以及导电塞中的每个位于接地布线和电源布线之间。
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