半导体集成电路器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102054834A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201010521409.X

    申请日:2007-12-21

    Abstract: 本发明目的在于提供一种有利于抵抗EM和ESD的半导体集成电路器件。该器件设置有:多个I/O单元;由在上述I/O单元之上的多个互连层形成的电源线;键合焊盘,形成在电源线的上层中并处于与I/O单元对应的位置;以及引出区域,能够将I/O单元电耦合到键合焊盘。上述电源线包括第一电源线和第二电源线,上述I/O单元包括:耦合到第一电源线的第一元件和耦合到第二电源线的第二元件。第一元件设置在第一电源线侧且第二元件设置在第二电源线侧。由于在I/O单元之上的互连层,第一电源线和第二电源线可以允许高电流,由此具有抵抗EM和ESD的鲁棒性。

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