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公开(公告)号：CN114713230B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210598396.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J23/755 , B01J35/61 , C01B3/06 , B01J35/64
Abstract: 本发明公开了一种Co/Ni比为3：1的羧基化CNTs负载CoNiB复合材料，以羧基化CNTs、六水氯化钴、六水氯化镍、三乙胺、无水乙醇、水和硼氢化钠为原料，采用在冰水条件下硼氢化钠原位还原的方法，其中三乙胺起到将金属预锚定于羧基化CNTs的作用，其中，所述六水氯化钴和六水氯化镍的质量比为3：1；所得材料的微观形貌为，CoNiB生长在羧基化CNTs表面，羧基化CNTs贯穿于整个复合材料之中；其表面积为70‑120 m2 g‑1，孔径分布为3‑5 nm和30‑35 nm。作为催化硼氢化钠水解产氢催化剂的应用，在298 k条件下提供的产氢速率达到6100‑6500 ml min‑1 gcatalyst‑1，产氢量为理论值的100%，催化产氢的活化能为Ea=27‑29 kJ mol‑1；循环10次后的产氢速率为初始产氢速率的70‑75%。
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公开(公告)号：CN115504467B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211257893.9
申请日：2022-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B32/318 , C01B32/348 , H01G11/34 , H01G11/44 , H01G11/86
Abstract: 本发明公开了一种基于含氯有机物和碱溶液预处理的多孔碳材料，以含氯有机物为碳源，采用碱溶液预处理的方法获得氮硫双掺杂前驱体，再经煅烧即可制得多孔碳材料；所述含氯有机物为聚氯乙烯，所述氮硫双掺杂前驱体中，以含氮化合物为氮源，含硫化合物为硫源；所述含氮化合物为DMF溶液，含硫化合物为硫脲。其制备方法包括以下步骤：1，含氯有机物的碱溶液预处理；2，前驱体的煅烧。作为超级电容器电极材料的应用，当电流密度为0.5A g‑1时，比电容的值在290‑300F g‑1。本发明具有以下优点：1、实现“白色污染”的回收再利用；2、同时实现脱氯和氮硫掺杂；3、通过二次造孔对孔结构进行调节；4、DMF溶液既起到溶剂的作用，又起氮源的作用。
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公开(公告)号：CN112490018B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011425106.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅金属硫化物复合材料，采用两步水热法，在模板剂二氧化硅外表面生长二硫化锰、二硫化钴的纳米花状结构，同时通过硫化反应，二氧化硅被氢氧根刻蚀，从而使一部分二氧化硅从硫化物离子的水解中释放出来，将内部二氧化硅模板刻蚀出一定的孔洞，便于离子迁移即可制得基于二氧化硅的分层纳米金属硫化物复合材料。其制备方法包括以下步骤：1复合金属氧化物前驱体的制备；2基于二氧化硅金属硫化物复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.55 V范围内充电/放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1150‑1160 F/g。具有优良的材料稳定性能，和优良的离子传输能力。
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公开(公告)号：CN110491684A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910880354.2
申请日：2019-09-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针状花钴镍双金属氢氧化物复合材料及其制备方法和应用，制备方法为：以苝-3,4,9,10-四羧酸二酐煅烧获得海绵状碳作为基体材料，加入硝酸钴、硝酸镍和尿素，经水热反应得到钴镍双金属氢氧化物，并经原位反应负载于基体碳材料表面，最终得到复合材料。材料作为超级电容器电极材料的应用，在6M KOH溶液下，在0-0.45V的窗口电压范围内进行充放电，在放电电流密度为1A/g时，比电容可以达到600-750F/g。本发明以海绵状碳作为基体材料，提高了材料的导电性和稳定性；针状花钴镍双金属氢氧化物负载于基体材料表面，提高了材料的电性能，具有制备工艺简单，原材料廉价，适于量产；电化学性能良好，可用于超级电容器的电极材料。
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公开(公告)号：CN115410831B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211112489.2
申请日：2022-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67多孔核壳结构复合材料，以六水硝酸钴和二甲基咪唑为起始原料制备Co‑ZIF‑67，再以六水硝酸镍、二水钼酸钠、Co‑ZIF‑67和尿素为原料，经一步水热法制得NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67多孔核壳结构复合材料；Co‑ZIF‑67为椭圆片状空心结构的核结构；NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67为多孔核壳结构的壳结构。其比表面积为180‑210 m2 g‑1，孔径分布为3‑4 nm。其制备方法包括：1，Co‑ZIF‑67的制备；2，NiMo‑LDH@Co‑ZIF‑67多孔核壳结构复合材料的制备。作为超级电容器电极材料，在0‑0.5 V，电流密度为1 A g‑1时充放电，比电容为1500‑2000 F g‑1；在电流密度为10 A g‑1，5000圈循环，保留初始比电容的85‑90%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117690731A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311719611.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Co‑Mo‑O/Co‑O/NF多层复合结构材料，以泡沫镍为基底，通过溶剂共沉淀法及退火处理在其表面负载Co3O4，即可得到Co‑O/NF，再经过水热法和分解处理在Co3O4的表面负载CoMoO4，即可得到Co‑Mo‑O/Co‑O/NF；所述Co‑O/NF的微观形貌为片状结构；所述Co‑Mo‑O/Co‑O/NF的微观形貌为多层复合结构，其中，Co3O4为内层，CoMoO4为外层。其制备方法包括以下步骤：1，Co‑O/NF的制备；2，Co‑Mo‑O/Co‑O/NF的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.55V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2mA cm‑2时，比电容为2‑4F cm‑2；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑5000圈循环后保留初始比电容的60‑80％。
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公开(公告)号：CN113539703B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110813201.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs衍生物Co‑Ni‑B‑P复合材料，先采用溶剂热法制备Co‑Ni‑MOF，形成花簇球状一级结构；再采用化学氧化还原法进行硼化处理和磷化处理，分别形成纳米片二级结构和纳米颗粒三级结构。实现高孔隙率、保护材料结构、增加材料氧空位和增大比表面积和提升离子传输速率的效果，进而实现提升快速法拉第反应和电导率、提供赝电容的作用。其制备方法包括以下步骤：1）Co‑Ni‑MOF材料的制备；2）硼化处理；3）磷化处理。作为超级电容器电极材料的应用，在‑0.1‑0.45 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1500‑1600 F/g。具有优良的材料稳定性能和优良的离子传输能力。
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公开(公告)号：CN114899017A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210598397.3
申请日：2022-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Co/Ni比为1：3的羧基化CNTs负载CoNiB复合材料，以羧基化CNTs、六水氯化钴、六水氯化镍、三乙胺、无水乙醇、水和硼氢化钠为原料，采用在冰水条件下硼氢化钠原位还原的方法，其中三乙胺起到将金属预锚定于羧基化CNTs的作用，其中，所述六水氯化钴和六水氯化镍的质量比为1：3；所得材料的微观形貌为，CoNiB生长在羧基化CNTs表面，羧基化CNTs贯穿于整个复合材料之中；其表面积为70‑120 m2 g‑1，孔径分布为3‑5 nm和30‑35 nm。作为超级电容器电极材料的应用，在电流密度为1 A g‑1时，比电容可以达到1900‑2300 F g‑1；在电流密度为10 A g‑1时，在5000圈循环后的比电容为初始比电容的85‑90%。
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公开(公告)号：CN118506353A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410643642.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于ROI区域提取的油封三维检测方法及装置，属于油封检测设备技术领域。方法包括：制备油封外骨架、内骨架以及曲轴端面的图像匹配模板；向油封装配位置投射预制的面结构光图像，获得油封装配位置的无条纹图像以及条纹调制图像；基于图像匹配模板以及无条纹图像进行模版匹配，得到矩形区域；基于矩形区域，对油封外骨架、内骨架以及曲轴端面进行区域提取，得到区域掩膜；基于区域掩膜以及条纹调制图像，得到区域掩膜的条纹图像；基于面结构光成像原理，求解区域掩膜的条纹图像的绝对相位值，进而得到有效图像的三维点云；对三维点云进行处理，得到内骨架和外骨架之间的高度差，高度差为最终装配尺寸结果。
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公开(公告)号：CN118335535A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410547969.4
申请日：2024-05-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有P和S双空位镍钴纳米花复合材料，通过两步水热法制备S‑NiCoS，再通过磷化/还原法在S‑NiCoS中引入P空位得到PS‑NiCoS；S‑NiCoS的微观形貌为花状结构；PS‑NiCoS的微观形貌为花状结构，比表面积为66.342m2g‑1，孔径分布为1.4‑12.3nm。其制备方法包括以下步骤：1，S‑NiCoS的制备；2，PS‑NiCoS的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。
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