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公开(公告)号：CN118299188A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410232691.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于淬火处理的核壳结构钴镍氧化物/普鲁士蓝电极材料，首先，通过溶剂热法制备Co‑Ni‑MOF，然后，通过高温煅烧处理制备钴镍氧化物，最后在氯化铁/铁氰化钾混合溶液中进行快速淬火处理，在钴镍氧化物的表面迅速生长出一层无定形的普鲁士蓝；微观形貌为核壳结构，由钴镍氧化物的片状堆叠的内外层都均匀包裹着一层普鲁士蓝，其中，普鲁士蓝的厚度为20‑60nm。其制备方法包括以下步骤：1，Co‑Ni‑MOF的制备；2，钴镍氧化物的制备；3，钴镍氧化物/普鲁士蓝核壳结构的制备。作为电极材料应用于超级电容器时，在1A g‑1的电流密度下，比电容为800‑900F g‑1。在10A g‑1的电流密度下，在5000次循环后，比电容保持率为88‑95％。
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公开(公告)号：CN113871217A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111179993.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs衍生物PBA@Co‑Ni‑S复合材料，采用室温沉淀法，形成了一种尺寸均匀的纳米立方体，之后进行静置吸附法在立方体表面负载MOF纳米片，最后以溶剂热法硫化来活化MOF纳米片来实现快速可逆的法拉第反应，从而提高EC的电化学性能。Fe‑Co‑PBA提供主要形貌，结构较稳定；后续在Fe‑Co‑PBA表面进行MOF的包覆，纳米片的形貌提高了整体材料的比表面积；之后进行硫化处理，进一步调控了外层MOF的电子结构，提高了性能。其制备方法包括以下步骤：1 Fe‑Co‑PBA的制备；2 Fe‑Co‑PBA外层负载MOF纳米片；3采用溶剂热法进行硫化处理。作为超级电容器电极材料的应用，在‑0.1‑0.45V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1200‑1300 F/g。具有优良的材料稳定性能和优良的离子传输能力。
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公开(公告)号：CN113871212B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111200907.9
申请日：2021-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的二氧化锰/碳膜复合材料，通过静电纺丝制备聚丙烯腈膜，通过高温碳化制备聚丙烯腈碳膜，在高锰酸钾溶液中淬火处理获得快速生长的MnO2纳米片，得到核壳结构；所述壳核结构由碳纤维为核，MnO2纳米片阵列为壳。其制备方法包括以下步骤：1）聚丙烯腈膜的制备；2）聚丙烯腈碳膜的制备；3）高钾含量水钠锰矿/碳膜复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0–1.3 V范围内充放电，在电流密度为4 mA cm–2时，比容量达到了700‑800 mF cm–2。本发明使用KMnO4作为前驱体溶液，通过淬火处理，不仅可以原位捕获KMnO4溶液中的钾离子，省去钾离子的预嵌入过程，大幅提高材料的比电容；有利于工业大规模生产制备，实现柔性器件的开发。
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公开(公告)号：CN113539703B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110813201.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs衍生物Co‑Ni‑B‑P复合材料，先采用溶剂热法制备Co‑Ni‑MOF，形成花簇球状一级结构；再采用化学氧化还原法进行硼化处理和磷化处理，分别形成纳米片二级结构和纳米颗粒三级结构。实现高孔隙率、保护材料结构、增加材料氧空位和增大比表面积和提升离子传输速率的效果，进而实现提升快速法拉第反应和电导率、提供赝电容的作用。其制备方法包括以下步骤：1）Co‑Ni‑MOF材料的制备；2）硼化处理；3）磷化处理。作为超级电容器电极材料的应用，在‑0.1‑0.45 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1500‑1600 F/g。具有优良的材料稳定性能和优良的离子传输能力。
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公开(公告)号：CN113745835A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111060646.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105017527A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510385686.5
申请日：2015-07-05
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种负载普鲁士蓝纳米晶的石墨烯复合材料的制备方法及其在超级电容器中的应用。该新型复合材料应用于超级电容器，在5A/g时，其电容可以达到350F/g，而且复合材料可以表现出良好的循环稳定性，连续充放电1000个循环，容量只损失2％。本发明的在溶液中实现了普鲁士蓝纳米晶在石墨烯上面的直接合成。此外，石墨烯、有良好的导电性，可以改善复合材料的导电性能。而且该新型复合材料制备工艺比较简单，制造成本低等优点，对应用于超级电容器有很大的优势。
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公开(公告)号：CN113871217B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111179993.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs衍生物PBA@Co‑Ni‑S复合材料，采用室温沉淀法，制备纳米立方体Fe‑Co‑PBA，再用十二烷基磺酸钠SDS对Fe‑Co‑PBA进行表面改性，之后在Fe‑Co‑PBA表面进行静置吸附处理负载MOF纳米片，随后进行溶剂热法硫化处理即可；Fe‑Co‑PBA起提供结构的作用；静置吸附处理，起保护材料结构、增大比表面积和提升离子传输速率的作用；硫化处理，起丰富氧化还原活性位点，提升复合材料的电导率，提升赝电容的作用。其制备方法包括以下步骤：1，Fe‑Co‑PBA材料的制备，2，静置吸附处理；3，硫化处理。作为超级电容器电极材料的应用，比电容为1200‑1300 F/g。
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公开(公告)号：CN113539703A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110813201.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs衍生物Co‑Ni‑B‑P复合材料，先采用溶剂热法制备Co‑Ni‑MOF，形成花簇球状一级结构；再采用化学氧化还原法进行硼化处理和磷化处理，分别形成纳米片二级结构和纳米颗粒三级结构。实现高孔隙率、保护材料结构、增加材料氧空位和增大比表面积和提升离子传输速率的效果，进而实现提升快速法拉第反应和电导率、提供赝电容的作用。其制备方法包括以下步骤：1）Co‑Ni‑MOF材料的制备；2）硼化处理；3）磷化处理。作为超级电容器电极材料的应用，在‑0.1‑0.45 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1500‑1600 F/g。具有优良的材料稳定性能和优良的离子传输能力。
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公开(公告)号：CN113871212A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111200907.9
申请日：2021-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的二氧化锰/碳膜复合材料，通过静电纺丝制备聚丙烯腈膜，通过高温碳化制备聚丙烯腈碳膜，在高锰酸钾溶液中淬火处理获得快速生长的MnO2纳米片，得到核壳结构；所述壳核结构由碳纤维为核，MnO2纳米片阵列为壳。其制备方法包括以下步骤：1）聚丙烯腈膜的制备；2）聚丙烯腈碳膜的制备；3）高钾含量水钠锰矿/碳膜复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0–1.3 V范围内充放电，在电流密度为4 mA cm–2时，比容量达到了700‑800 mF cm–2。本发明使用KMnO4作为前驱体溶液，通过淬火处理，不仅可以原位捕获KMnO4溶液中的钾离子，省去钾离子的预嵌入过程，大幅提高材料的比电容；有利于工业大规模生产制备，实现柔性器件的开发。
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公开(公告)号：CN216251139U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122188502.X
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
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