-
公开(公告)号：CN113745835A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111060646.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
-
公开(公告)号：CN111682313A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010637237.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线，包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线，所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧，所述平面发射器的数量为两个，所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧，且均与所述缝隙天线垂直，两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧，且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术，该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下，在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射，提高了缝隙天线的增益。
-
公开(公告)号：CN111682311A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010635180.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113258287A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110671262.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构，包括金属墙、底板和两个辐射模块，所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接，且位于所述公共接地板的顶部，两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接，并均位于所述底板的顶部，且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置，在满足去耦和匹配要求的前提下，不仅使天线阻抗匹配变好，而且还实现了较好的去耦效果，修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有技术中方向图偏移的问题。
-
公开(公告)号：CN212571347U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021285150.9
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN216251139U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122188502.X
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
-
公开(公告)号：CN215497087U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121346238.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构，包括金属墙、底板和两个辐射模块，所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接，且位于所述公共接地板的顶部，两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接，并均位于所述底板的顶部，且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置，在满足去耦和匹配要求的前提下，不仅使天线阻抗匹配变好，而且还实现了较好的去耦效果，修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好地解决了现有技术中方向图偏移的问题。
-
公开(公告)号：CN212303907U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021284004.4
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线，包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线，所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧，所述平面发射器的数量为两个，所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧，且均与所述缝隙天线垂直，两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧，且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术，该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下，在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射，提高了缝隙天线的增益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
