一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线

    公开(公告)号:CN111682313A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010637237.6

    申请日:2020-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线,包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线,所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧,所述平面发射器的数量为两个,所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧,且均与所述缝隙天线垂直,两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧,且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术,该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下,在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射,提高了缝隙天线的增益。

    一种单介质层立体金属墙去耦结构

    公开(公告)号:CN113258287A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110671262.0

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构,包括金属墙、底板和两个辐射模块,所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接,且位于所述公共接地板的顶部,两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接,并均位于所述底板的顶部,且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置,在满足去耦和匹配要求的前提下,不仅使天线阻抗匹配变好,而且还实现了较好的去耦效果,修正了H面的辐射方向图,提高了E面的实际增益,从而较好的解决了现有技术中方向图偏移的问题。

    一种单介质层立体金属墙去耦结构

    公开(公告)号:CN215497087U

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202121346238.1

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本实用新型公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构,包括金属墙、底板和两个辐射模块,所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接,且位于所述公共接地板的顶部,两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接,并均位于所述底板的顶部,且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置,在满足去耦和匹配要求的前提下,不仅使天线阻抗匹配变好,而且还实现了较好的去耦效果,修正了H面的辐射方向图,提高了E面的实际增益,从而较好地解决了现有技术中方向图偏移的问题。

    一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线

    公开(公告)号:CN212303907U

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202021284004.4

    申请日:2020-07-04

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线,包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线,所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧,所述平面发射器的数量为两个,所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧,且均与所述缝隙天线垂直,两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧,且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术,该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下,在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射,提高了缝隙天线的增益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

Patent Agency Ranking